--- title: "存儲行業投資分析：超級週期下的機遇與挑戰" description: "昨天市場沒什麼看頭，窄幅震盪，基本上跟我一週前瞻裏面的劇本是一個，還是要看今晚的數據情況。黃金今天再次來到 5050-5060 的壓力位，仍然有可能再度下探，上車機會走過路過不要錯過。加密持續寒冬，昨天 hood 的財報不及預期，主要還是加密持續萎靡拖累了利潤。最近不知大家有沒有留意到，加密出現在新聞裏面的頻率變高了，不知道有沒有説法咯～今天主要想聊一下確定性更高的存儲系..." type: "topic" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/topics/38655133.md" published_at: "2026-02-11T10:20:39.000Z" author: "[花街S姐](https://longbridge.com/zh-HK/profiles/17743303)" --- # 存儲行業投資分析：超級週期下的機遇與挑戰 昨天市場沒什麼看頭，窄幅震盪，基本上跟我一週前瞻裏面的劇本是一個，還是要看今晚的數據情況。黃金今天再次來到 5050-5060 的壓力位，仍然有可能再度下探，上車機會走過路過不要錯過。加密持續寒冬，昨天 hood 的財報不及預期，主要還是加密持續萎靡拖累了利潤。最近不知大家有沒有留意到，加密出現在新聞裏面的頻率變高了，不知道有沒有説法咯～ 今天主要想聊一下確定性更高的存儲系，存儲作為開年以來最熱門的題材之一，我翻了一下過往文章，居然沒有專門寫過，再加上剛好這幾天進入了回調的階段，所以今天想討論一下存儲行業的未來預期、擴廠後的供需缺口、核心邏輯拆解，並對週期是否見頂進行判斷。 **價格趨勢與供需格局** 存儲芯片價格在 2026 年初呈現出強勁的上漲勢頭。DRAM 合約價在 2026 年 1 月環比大幅上漲，其中 PC DRAM 合約價上漲約 98%，服務器 DRAM 上漲約 90%。UBS 指出，2025 年至 2027 年間，DRAM 每 Gb 價格可能累計上漲 289%，而 NAND 價格可能累計上漲 144%。儘管預計 2026 年第二季度 DRAM 價格漲幅將放緩至 20-25% 的季度環比增長，但整體價格水平仍將保持高位。 從供需層面來看，市場普遍預期存儲行業將面臨嚴重的供不應求，2026 年和 2027 年 DRAM 的供需缺口將分別達到-4.9% 和-2.5%，NAND 的供需缺口分別為-4.2% 和-2.1%。其中，2026 年的 DRAM 短缺被認為是過去 15 年來最嚴重的一次。 **表 1：DRAM 與 NAND 供需缺口預測 (2026E/2027E)** **擴廠與產能缺口** 儘管存儲廠商已開始增加資本開支（Capex）以擴充產能，但新產能的釋放速度遠不足以彌補強勁的需求增長。主要原因包括： **1 潔淨室空間限制**：現有潔淨室空間有限，尤其是在 HBM（高帶寬內存）產能優先的情況下，傳統 DRAM 產能的增加受到制約。 **2 新建工廠週期長**：三星 P5 和海力士龍仁等新建工廠預計要到 2027 年下半年才能實現大規模量產。 **3 HBM 擠佔效應**：HBM 的生產對晶圓的消耗量是傳統 DRAM 的 3 倍，這意味着即使總晶圓產出增加，可用於傳統 DRAM 的有效產能也會被 HBM 大量擠佔。 大摩預計，2026 年晶圓產能增長僅為 7% 。這種有限的產能擴張與爆發式增長的需求形成了鮮明對比，進一步加劇了供需緊張。 **核心邏輯拆解：AI 驅動與技術瓶頸** 本輪存儲超級週期的核心驅動力是人工智能的快速發展，特別是 AI 服務器對 HBM 和高容量 DDR5 的巨大需求。NVIDIA 推出的 Rubin 平台及其 ICMSP 架構，預計將為 NAND 市場帶來巨大的增量需求，每顆 GPU 可能需要額外增加 16TB 的 KV Cache 存儲。高盛預計，服務器相關 DRAM 需求（包括 HBM）將佔全球 DRAM 總需求的 53%-57%，使其成為全球 DRAM 需求最重要的驅動力。 與此同時，DRAM 微縮技術的放緩也改變了行業的成本結構。隨着密度提升的減緩，每比特成本的下降速度變慢，存儲產品的定價更多地取決於產能分配和供需動態，而非單純的技術進步**帶來的成本降低**。 此外，**雲服務提供商的強勁需求是支撐當前存儲價格高位運行的關鍵因素**。即使 PC 和智能手機市場因存儲成本上升而出現需求疲軟，CSP 的需求依然旺盛，並願意支付溢價以確保供應。存儲成本在服務器物料清單中的佔比已從 46% 上升至 67%，凸顯了存儲在 AI 服務器中的戰略重要性。 **週期是否見頂？** 關於存儲週期是否見頂，市場存在一定的分歧，爭議點在於短缺能否持續到 2027 年甚至更久。支持週期持續的邏輯主要在於： **• AI 需求的持續爆發**：只要 AI 技術和應用持續發展，對高性能存儲的需求就不會減弱。 **• 新產能釋放滯後**：如前所述，大規模新產能的釋放需要時間，在 2027 年之前難以有效緩解供需緊張。 **• 庫存水平低位**：目前生產商和客户的庫存水平普遍較低，難以應對突發需求或供應中斷。 然而，潛在的風險點也不容忽視，包括： **• 需求破壞**：存儲價格的持續飆升可能導致 PC 和智能手機等消費電子產品出現 “需求破壞”，即消費者因成本過高而推遲購買或選擇低配產品。 **• 新產能集中釋放**：如果 2027 年之後，大量新建工廠產能集中釋放，可能導致市場再次出現供過於求的局面。 綜合來看，在 AI 需求強勁、技術瓶頸和產能擴張滯後的多重因素作用下，存儲行業的 “超級週期” 有望持續。在 2026 年，DRAM 和 NAND 的營業利潤率預計將達到歷史高位，例如三星和海力士的 DRAM OPM 可能達到 70%-80%。對於投資者而言，當前存儲行業的估值（如美光）仍處於相對較低水平，存在重估空間。 **結論** 存儲行業正處於一個由 AI 驅動的結構性增長週期中，供需緊張的局面在短期內難以改變。儘管存在價格過高導致需求破壞和未來產能集中釋放的風險，但 AI 的長期發展趨勢和現有產能的限制，使得存儲行業在未來幾年內仍具備較高的投資價值。 [$英偉達 (NVDA.US)](https://longbridge.com/quote/NVDA.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$特斯拉 (TSLA.US)](https://longbridge.com/quote/TSLA.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$Meta(META.US)](https://longbridge.com/quote/META.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$亞馬遜 (AMZN.US)](https://longbridge.com/quote/AMZN.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$黃金 ETF - 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