--- title: "AMAT（紀要）：半導體設備年增超 20%，強勁勢頭至 2027 年" description: "以下是海豚君整理的關於應用材料 AMAT2026 財年第一季度財報電話會紀要，財報解讀請移步《應用材料 AMAT：Capex 大週期駕到，設備股春天來了！》應用材料 AMAT 交流核心信息：1）2026 年展望：半導體設備業務預計本自然年增長超過 20%，需求偏向下半年；NAND 與 ICAPS（持平）增長較慢。服務業務低雙位數增長率（11-15%）。客户潔淨室空間可用性是投資節奏調整的關鍵因素." type: "topic" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/topics/38715670.md" published_at: "2026-02-13T03:57:25.000Z" author: "[Dolphin Research](https://longbridge.com/zh-HK/news/dolphin.md)" --- # AMAT（紀要）：半導體設備年增超 20%，強勁勢頭至 2027 年 以下是海豚君整理的關於應用材料 AMAT2026 財年第一季度財報電話會紀要，財報解讀請移步《[應用材料 AMAT：Capex 大週期駕到，設備股春天來了！](https://longbridge.cn/zh-CN/topics/38714314?channel=SH000001&invite-code=294324&app_id=longbridge&utm_source=longbridge_app_share&locale=zh-CN&share_track_id=ec472ace-140e-4711-a038-9b073082cd7b)》 **應用材料 AMAT 交流核心信息：** **1）2026 年展望：半導體設備業務預計本自然年增長超過 20%，需求偏向下半年；NAND 與 ICAPS（持平）增長較慢。服務業務低雙位數增長率（11-15%）。**客户潔淨室空間可用性是投資節奏調整的關鍵因素。基於客户長期可見性，**強勁增長勢頭預計延續至 2027 年。** **2）NAND 市場：**2026 年設備需求預計適度增長，**NAND 在晶圓廠設備支出中佔比預計保持在 10% 以下。** **3）存儲擴產：目前 DRAM 領域的投資，絕大部分都集中在全新產能擴建上；而在 NAND 閃存領域，當下的投資則更多聚焦於產線升級。** **整體來看，**應用材料 AMAT 本次不僅給出了超預期的 “下季度指引”，更是明確給出了 2026 年全年展望。**其中半導體設備業務全年在增長超 20%，這也是大幅好於市場期待的。** 結合公司給出的下季度指引來看，第二財季（2-4 月）半導體設備業務收入 58 億美元，**那麼公司在 2026 年財年下半年的平均單季度收入有望達到 70 億美元以上。**未來兩年都將是 Capex 擴張期，**公司明確的展望將公司總收入兩年複合增速預期從原來的市場預期（10%）上調至 15% 左右。** **公司收入中有將近 3 成來自於中國大陸地區，受中美半導體摩擦的不確定性，市場一直給公司相對同行較低的 PE 估值。在業績預期上修後，公司股價對於 2027 財年的 PE 僅為 23 倍左右，遠低於 ASML、拉姆研究的 30 倍以上 PE。** **雖然中國大陸地區收入仍有一定風險，但當前存儲市場對設備的需求是大幅超出市場預期的，而公司估值依然還是相對偏低的。在本輪 Capex 大週期下，公司的業績和估值都有望得到向上修復的機會。** **一、**$應用材料(AMAT.US) **財報核心數據回顧** **2026 財年第二季度指引：** - **公司營收：76.5 億美元（±5 億美元）**，環比增長約 9%。 - Non-GAAP 每股收益：2.64 美元（±0.20 美元）。 - 半導體系統營收：約 58 億美元。 - AGS 營收：約 16 億美元。 - 其他營收：約 2.5 億美元。 - **Non-GAAP 毛利率：約 49.3%**。 - Non-GAAP 運營費用：約 14.15 億美元。 - Non-GAAP 税率：約 11%。 **公司 2026 年增長展望**：**半導體設備業務預計本自然年增長超過 20%，需求偏向下半年；客户潔淨室空間可用性是投資節奏調整的關鍵因素**。**基於客户長期可見性，強勁增長勢頭預計延續至 2027 年。** **二、應用材料 AMAT 財報電話會詳細信息** **2.1 高層陳述核心信息** **各業務板塊進展與展望** **先進製程邏輯** - 客户正增加 FinFET 節點產能，並行推進全環繞柵極節點。 - 公司為先進製程邏輯明確的第一大工藝設備供應商，在材料沉積、改性及處理、導體刻蝕、電子束技術方面擁有強大領導地位。 - 全環繞柵極節點顯著擴大公司可用市場，併為多個市場份額增長點提供催化劑。 **DRAM 與 HBM** - 客户積極增加 6F²節點產能，並行開發下一代 DRAM 器件架構。 - AI 計算推動 HBM DRAM 巨大需求：HBM 芯片尺寸更大，每比特美元所需晶圓投片量為標準 DRAM 的 3-4 倍。 - HBM 堆疊芯片數量正從 12 個增至 16 個，未來將達 20 個或以上，進一步拉動晶圓投片與先進封裝需求。 - 公司為**內存領域第一大工藝設備供應商，在 DRAM 佈線/圖案化材料沉積、導體刻蝕及電子束技術方面**為明確領導者。 **先進封裝** - 2026 年增長最快細分市場為 HBM 及 3D 芯粒堆疊。 - 公司在材料沉積與去除技術領域擁有領導地位，正擴大先進封裝整體領先優勢。 **NAND** - **2026 年設備需求預計適度增長，NAND 在晶圓廠設備支出中佔比預計保持在 10% 以下**。 **ICAP 市場（物聯網、通信、汽車、電源、傳感器）** - 全球及中國晶圓廠設備支出預計同比基本持平 **技術創新與產品路線圖** **冷場發射電子束技術（CFE）：**預計本自然年收入翻倍至超過 10 億美元，為 2026 年增長最快業務之一；該技術加速下一代芯片架構學習速度及公司工藝設備組合採用。 **2026 年新產品規劃：**計劃推出十多款新產品，包括本週宣佈的 3 款： **自由基處理系統：**提供納米片表面單品級精密工程，實現更高速度的下一代全環繞柵極晶體管。 **刻蝕平台最新變體：**為全環繞柵極晶體管及先進 DRAM 關鍵邊緣步驟提供埃米級精度，擴展導體刻蝕市場領導地位。 **光譜 ALD 系統：**選擇性沉積單晶新材料，將先進邏輯器件接觸電阻降低高達 15%。 **材料過渡：**公司引領邏輯接觸形成從 ALD 鎢向 ALD 鉬的過渡；隨着晶體管數量及佈線層數增加，銅 PVD 步驟將繼續顯著增長，規模保持比 ALD 鉬大一個數量級。 **EPIC 平台與聯合創新** **EPIC 聯合開發協議：本週宣佈與三星電子的首個 EPIC 協議**；全球 Epic 平台旨在支持與客户及研發夥伴的高速聯合創新。 **進展：**Epic 將於今年晚些時候上線。 **服務業務（AGS）與 AI 賦能** **先進服務需求：**客户在大批量製造中提升複雜新設備產量，對先進服務需求加速，支持**服務業務低雙位數增長率（11-15%）**。 **AIX 軟件功能：**超過 30,000 個腔體連接至 AIX 服務器，採用 AI 驅動監控、診斷與分析；連接工具響應時間縮短 30%，增加客户晶圓產出並提高公司服務工程師生產力。 **物流自動化：**所有主要配送中心已採用最先進 AI 驅動機器人系統，顯著提升零件交付速度、準確性及庫存優化。 **產能、供應鏈與運營** **客户可見性：**雲服務提供商計劃資本支出水平上升，所有器件類型半導體工廠利用率提升，先進製程代工邏輯及 DRAM 產能基本滿載、價格上漲。客户正提供顯著更長的可見性，並增加計劃未來數年完成的新工廠及晶圓廠擴建項目。 **製造能力：**過去幾年系統製造能力幾乎翻番，供應鏈運營加強。近期已向直接供應商提供更長需求可見性，使其能在供應鏈中擴散需求信號，確保材料與勞動力支持。 **庫存準備：**主動增加庫存近 5 億美元以滿足生產計劃，處於有利地位應對客户增長需求。 **2.2Q&A 問答** **Q：如何看待 2026 年 WFE？同行預測低雙位數至 22%，公司預期半導體設備業務增長超 20%，相對 WFE 如何判斷？增長驅動力和份額來源？** A：公司預期本自然年半導體設備業務增長超 20%，以下半年為主；潔淨室空間限制增長速率，2027 年也將是強勁年份。 AI 是核心驅動力。能效計算由**先進製程邏輯、DRAM（含 HBM）及先進封裝賦能，預計這些將是 2026、2027 及未來數年 WFE 增長最快細分市場**。公司在上述高增長市場均為第一，且具備延續領導地位與獲取份額的條件。 先進製程邏輯：第一，有望在**環繞柵極及佈線（含背面供電）中佔據服務市場超 50% 份額；沉積、導體刻蝕、封裝均為第一**。DRAM：標準 DRAM、HBM DRAM、HBM 封裝均為第一；HBM 晶圓需求增長，客户需投 3-4 倍晶圓達相同比特；佈線/圖案化材料沉積領導者，導體刻蝕及電子束快速成長；2026 年增長強勁，在 6F²及 4F²領域有望獲取份額。 先進封裝：整體第一，HBM 第一；封裝為 2026 年及未來數年高增長業務；2026 年增長最快為 HBM 及 3D 芯粒堆疊，公司憑藉材料沉積與去除技術領導地位佔據高份額。 NAND 與 ICAPS：受 AI/高性能計算驅動較少；**NAND 今年增長但較慢，仍低於 WFE 總量 10%**；**ICAPS 市場今年整體及中國均持平**，因近年支出已高。綜上，公司本自然年半導體設備業務增長超 20%，在高速增長市場佔據第一，為 2027 年及後續數年奠定良好基礎。 **Q：如何考慮上升週期中的毛利率？尤其考慮銷量上升、價值定價及客户下游利潤率顯著改善。** A：自 CEO 上任以來，毛利率已提升 7%，現處於 25 年來最高水平。公司戰略為聚焦轉折點創新，瞄準增長最快的價值池——數據中心 AI 計算所驅動的邏輯、DRAM（含 HBM）及封裝。這些是公司擁有明確領導地位且增長最快的 WFE 細分市場，可驅動強勁營收與利潤率增長。 公司擁有更高價值產品管線，並通過 EPIC 平台將高速度聯合創新推至新階段。EPIC 可提供多節點可見性以指導研發投資，同時提升研發生產力、價值共享及產品/先進服務技術被設計採納的能力。頂尖客户研發創新者將與公司創新者同地協作，客户可更早接觸關鍵創新，在芯片及封裝技術競爭中搶佔市場先機。創新不僅限於工藝設備，還包括電子束及 AIx（AI 驅動軟件平台），以加速學習週期、更快將創新推向市場。 **Q：關於 WFE。公司提到今年中國及全球 ICAPS 將持平。過去三個月觀點如何演變？三個月前共識預期中國 2026 年下降，現預期持平，變化原因是什麼？** A：上季預期 2026 年為強勁年份，由 AI 驅動市場（先進製程邏輯、DRAM 含 HBM）主導，該觀點不變。**當時認為中國及全球 ICAPS WFE 本自然年將小幅下降，主因產能消化。目前 ICAPS 調整為整體持平（全球及中國）。**長期看，ICAPS 半導體市場仍將增長中高個位數，但顯著低於 AI 數據中心驅動的市場（先進製程邏輯、DRAM、先進封裝）。 **Q：關於先進封裝。HBM 封裝與 3D 芯粒堆疊強勁，能否量化今年與去年的對比？在 20% 半導體設備增長中，先進封裝如何定位？** A：今年先進封裝 WFE 支出增長，主要體現在 HBM 與 3D 芯粒堆疊。公司在該市場位居第一且份額極高，驅動先進封裝成為今年增長最快業務之一，並延續整體領導地位。 展望未來，AI 能效計算驅動客户需求：封裝基板趨於最大化，以最高密度連接更多 GPU、內存及高速 I/O，實現更高性能與更低功耗。未來數年新基板、新架構將進入上量階段。公司在這些轉折點擁有強大創新管道，封裝業務預計將持續領導行業，並以高複合年增長率增長多年。 **Q：關於超 20% 設備增長。Q1 設備營收指引 58 億美元，若全年 20% 增長，則 Q2-Q4 平均需達約 65 億美元，且全年似乎更強。此計算是否正確？應如何理解全年增長軌跡及退出率？** A：計算框架正確。**信號是全年增長超 20%，下半年更高**。Q2 指引已給出，中間季度未填補，因具體進度仍在確認。確有對應需求支撐 20% 增長信號，思考方向在合理範圍內，但無確切軌跡。 **Q：增長動力是否僅受潔淨室空間限制？若空間更多，增長率是否更高？2027 年初與年底相比如何？** A：今年先進製程與 DRAM 增長確由潔淨室空間計量，限制了可達成規模。客户已基本耗盡可用空間，多個新工廠將於 2027 年上線，產能每季度增加，明年仍處受限狀態。 與最大客户 CEO 及研發負責人溝通，AI 數據中心需求為長期大浪潮，將持續較長時間。客户提及極高複合年增長率，數據中心晶圓啓動量將超越 PC、最終超越智能手機。現判斷 2027 具體形態為時尚早，但基於客户對話，預期 2027 亦為非常強勁年份。 **Q：半導體行業達萬億美元節點較預期大幅提前。此前認為 WFE 的資本投入度約 15%，對應 1500 億美元市場。在 AI 數據中心收入加速驅動下，15% 是否仍是 WFE 資本投入度的正確思考方式？** A：WFE 資本投入度已增長至約 15%。但對公司而言，更關鍵的是聚焦贏得每個細分市場，尤其要在最大、增長最快的市場中確保領先。AI 數據中心增長使行業擴張提前到來。 增速最快的設備市場是先進製程邏輯、DRAM（含 HBM）及先進封裝——因其賦能 AI 數據中心能效性能。公司多年投資於此，已建立強領導地位，今年終端增長最快，且將持續多年。 關於 WFE 資本投入度，長期組合模型已發生變化。此前模型為 1/3 先進邏輯、1/3 ICAPS、1/3 內存，各細分增長率相近，單一資本投入度數字對預測有用。但目前終端市場增速顯著分化，需要新增長框架。公司在最快增長市場佔據有利位置，**先進邏輯與 DRAM 在總量中的佔比將顯著超過 ICAPS 及其他內存部分**。 **Q：基於此，是否意味着公司能夠 “捕獲更多價值”——對投資者而言即更高毛利率？這些市場的擴張是否將推動實現這一點？** A：自 2019 年預見 AI 浪潮起，公司已持續投入，成立集成材料解決方案小組，為 WFE 支出結構轉變做準備。核心是創造高價值客户解決方案。AI 是各方競速將新架構推向市場的競賽。 在賦能 AI 數據中心的細分市場，公司具備提供高價值解決方案的強勢地位，並將分享所創價值。過去多年已實現毛利率增長，對未來維持毛利率增長具高度信心。 **Q：AGS 運營費用增長不大，但 200 毫米設備業務從 AGS 轉移至 SSG 後，AGS pro forma 實際在增長？能否給出規模？** A：財報已提供重組後重述數據，**200 毫米設備從服務業務移至設備業務。Q1 AGS 同比增長 15%，Q2 指引同比增長約 12–13%**。**未來 AGS 應保持低雙位數或更高增長**。 基礎為 5.5 萬台裝機，每年增長 5% 以上；**AGS 新產品（如 AIx）推出；全部為經常性收入，2/3 有合同覆蓋，平均合同期 2.9 年，續約率 90%**；服務業務現金盈利能力可覆蓋股息支付。 **Q：過去幾年系統製造能力翻倍。若 2023 年半導體設備業務季度營收約 50 億美元，是否意味着半導體設備業務季度收入有望達到 100 億美元？** A：想法合理，但不給出具體數字。製造能力有顯著上升空間，預置空間已部分擴建以支持當前增長，仍有更多預置空間可用，可輕鬆擴至更高。 核心是與約 2000 家供應商協同，需提供強信號並與客户合作獲取兩年可見性及具體物料清單，使供應商提前準備。輸出能力充足。客户討論中，挑戰不僅是潔淨室，更在於供應鏈與服務工程師培訓。得益於客户理解，公司已獲得顯著更長可見性及具體配置信息，為前所未有。 **Q：2026 年下半年加速的驅動力是什麼？常規預期內存潔淨室受限至明年下半年，因此不是內存，是代工/邏輯空間？** A：**確實是潔淨室**。上季已預期下半年更高，基於 DRAM 與先進製程可用空間。客户已提升今年預期，空間仍在計量 DRAM 與先進製程。本季度新工廠項目持續宣佈，全球工廠項目數逐季上升。明年 DRAM 與先進製程多個工廠計劃上線，客户正全力加速推進。 **Q： 當前 WFE 中由數據中心/AI 驅動的比例？去年是多少？以區分增長與非增長部分。** A：近期領先晶圓啓動中超過 20% 用於數據中心。該比例正快速上升，**今年數據中心在領先晶圓消耗上已超越 PC。預測數據中心將於 2029 年超越智能手機**。**傳統數據中心部分增速 10%~20%，AI 相關組件增速 30%~40%，整體 WFE 增長率由此超 20%**。 **Q：AGS 過去 6 年 CAGR 約 11%，處低雙位數目標區間。在當前系統業務增長、客户利用率提升、增值服務滲透及龐大裝機基礎下，AGS 本年會否超過 10-12% 的歷史增速？已錄得 13-15% 同比增長，是否有理由認為不可持續？** A：Q1 同比增長 15%，各項有利因素確為疊加。裝機增長、新產品及價值提升，通常使 AGS 增速高於半導體業務。歷史增速受貿易限制丟失部分客户影響，低於本季水平。展望低雙位數有信心，高利用率季度可更高。 服務創新管道強勁。3 萬腔體連接 AIx 服務器，可提升服務價值與工程師生產力。客户正爬升環繞柵極、背面供電等複雜新工廠及複雜內存架構，集成平台與集成步驟增加。未來 AGS 增長前景良好，有機會實現更快增長。 **Q：過程診斷與控制業務在 DRAM、先進製程邏輯、先進封裝中，需求最強的領域是哪裏？今年是否接近或超過 20 億美元年化運行率？** A：不設具體數字，但今年為增長最快業務之一。公司在電子束成像技術領域保持領導地位，擁有最高分辨率、10 倍更快成像速度。該技術對工藝設備業務及客户加速學習週期、更快將創新推向市場至關重要。將發佈新材料表徵新技術與新產品。今年增長率居公司前列，高度確信高增長將持續至 2027 年及以後。 **Q：能否對 2026、2027 年邏輯與 DRAM 的相對增長率進行排序？未來幾季是否一方持續高於另一方？** A：無法排序。客户需求受工廠可用性計量，難以從需求端判斷。**半導體業務整體增長超 20%；NAND 與 ICAPS（持平）增長較慢**；先進製程、DRAM、先進封裝為更快增長業務組，受 AI 拉動強度相似。三者均在快車道，增長率更高，但客户晶圓廠上線時間不同，難以區分，公司不以此方式考量。 **Q：此前預期 2026 下半年毛利率隨收入吸收而提升，該預期是否仍成立？無中國因素下，毛利率達或超 15% 需要什麼條件？** A：預計毛利率温和改善，存在順風與逆風。**順風：半導體業務超 20% 增長，其毛利率高於 AGS；逆風：中國業務持平，全年客户組合轉向小客户**。仍有持續改善機會，但全年進展將非常緩慢。 **Q：未來幾季度內存產能大幅擴產的情況，焦點是否在節點轉換、從現有產能擠出更多比特？節點升級與新建產能場景下公司機會如何？主要是 AGS 故事，還是有其他？** A：**目前 DRAM 領域的投資，絕大部分都集中在全新產能擴建上，這類投資的規模我們是能切實看到的。而在 NAND 閃存領域，當下的投資則更多聚焦於產線升級**。公司參與較少，該業務規模較小。 高帶寬內存 HBM 的晶圓投片量是普通內存 DRAM 的三倍。而從第三代高帶寬內存升級至第四代後，這一投片倍數還會從三倍提升至四倍，且堆疊芯片數從 12 層向 16 層邁進，未來還會增加至 20 層。 **Q：為產能爬坡提前備庫 5 億美元，庫存天數及營運資本應如何預期？** A：當前庫存天數約 153 天，預計不會大幅上升。過去一年增加 5 億美元庫存，已為更高產出做好準備，足以支撐預測收入。收入逐季上升，庫存天數將保持在該區間附近。 **Q：運營費用模型。現處更大增長路徑，預計將加大投入。本季度是否已全部納入？全年如何考慮？** A：Q1 運營費用控制良好，同比無顯著增長。**Q2 環比增長約 6%，正為投資組合中的增長項目（含 Epic 實驗室相關早期項目）提供資金**。大部分增長為有效投資。隨 Epic 年底上線，投資水平將提升，但支出增速預期慢於收入增速。 **Q：系統業務毛利率約 54%（實際 54.5%）。隨着系統增長更快，毛利率改善是落在該水平還是整體？是否可見温和改善？** A：**整體毛利率將延續温和改善**。年內逆風來自客户組合，但產品組合持續向更高價值遷移。每個研發項目完成都在將組合向最有價值的轉折點調整。長期毛利率有持續改善機會。 **Q：DRAM 方面，客户正在開發 4F²。維持市場份額的信心如何？決策何時明朗？** A：過去十年 DRAM 市場份額顯著增長，為公司最強業務。6F²將繼續增長份額，4F²同樣處於非常強勢地位，對持續獲取份額具高度信心。 **Q：NAND 今年是否有產能增加？** A：**NAND 閃存領域的晶圓投片量已有數年未出現增長**。我們目前也在持續出貨相關產品，而這些產品中絕大部分都用於 NAND 閃存產線的升級改造。 究其原因，是每一代製程節點的技術升級都能大幅提升存儲位密度，僅憑當前的晶圓投片量，就足以滿足市場的需求。。 本文的風險披露與聲明：[海豚君免責聲明及一般披露](https://support.longbridge.global/topics/misc/dolphin-disclaimer) ### Related Stocks - [LRCX.US - 泛林集團](https://longbridge.com/zh-HK/quote/LRCX.US.md) - [AMAT.US - 應用材料](https://longbridge.com/zh-HK/quote/AMAT.US.md) - [ASML.US - 阿斯麥](https://longbridge.com/zh-HK/quote/ASML.US.md) --- > **免責聲明**：本文內容僅供參考，不構成任何投資建議。