半導體設備 ETF 易方達（159558）迎補漲行情，近 20 日攬金超 102 億

昨日 A 股市場走出了一波極致反轉行情，半導體板塊掀漲停潮。值得關注的是，半導體設備 ETF 易方達（159558）單天強勢漲停，但相比標的指數中證半導體材料設備主題指數（931743）15.46% 的漲幅仍有折價，今日或存在補漲動能，溢價修復行情值得期待。

截至 9:44，中證半導體材料設備主題指數（931743）上漲 0.31%，同一時間半導體設備 ETF 易方達（159558）漲超 6%。十大權重股中，中微公司跌 0.95%，北方華創漲 8.56%，長川科技漲 0.62%，拓荊科技漲 2.99%，華海清科漲 0.54%，中科飛測漲 3.7%，江豐電子漲 4.56%，華峯測控漲 1.19%，芯源微漲 0.57%，滬硅產業漲 0.9%。截至前一交易日，該指數近 1 年漲 192.74%。

半導體設備 ETF 易方達（159558）持續獲得資金湧入，截至前一交易日，該基金近 5 日 “吸金” 超 4.7 億，近 10 日 “吸金” 超 40 億，近 20 日 “吸金” 超 102 億。近一月獲融資淨買入 3.57 億元，在同類 ETF 中排名第二。

消息面上，三星電子近期就中長期半導體產能投資戰略的可行性向主要合作伙伴徵求意見，其中提到了未來 5 年在韓國建成 4 座晶圓廠的規劃。三星半導體在韓新晶圓廠規劃包括平澤 P5 和 P6、龍仁首座晶圓廠、光州首座晶圓廠。三星電子此前宣佈計劃在光州投資約 400 萬億韓元，建設兩座新的半導體晶圓廠；同時龍仁晶圓廠集羣的進度也將加速。

此外，三星電子正擴大與英偉達在 NAND 閃存領域的合作，在此前已開展 DRAM、高帶寬內存（HBM）及晶圓代工合作的基礎上，進一步深化存儲芯片供應關係。據報道，三星已開始量產第十代 V-NAND 並向英偉達供貨，同時擴大第九代 V-NAND 產能，並推進第十一代 500 層級 V-NAND 開發。

摩根大通策略師團隊認為，芯片股"很快將開始獲得買盤支撐"，建議投資者在今夏擇機重新佈局；摩根士丹利策略師團隊則預計，即便芯片股出現反彈，也難以在今年下半年重回領漲地位，並更傾向於持有超大規模雲計算企業。

半導體設備 ETF 易方達（159558）緊密跟蹤中證半導體材料設備主題指數，該指數聚焦半導體設備與半導體材料領域，在國產化趨勢中具備較強彈性。

易方達基金是國內領先的綜合性資產管理機構，20 餘年指數投資專業沉澱。指數產品線全面佈局主流寬基指數，涉及多個行業指數，覆蓋跨境、跨市場指數，觸達全球 10 餘個交易所。專業指數投研團隊，具備豐富的產品設計、投資管理經驗。

半導體設備 ETF 易方達（159558）提供了一鍵佈局這一高景氣賽道的高效工具，在波動中把握產業趨勢紅利。場外投資者也可關注聯接基金 A/C（021893/ 021894）

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