长鑫科技挂牌上市在即，长江存储还会远吗？

摘要：2028 年周期供需拐点将至，上市融资扩产分秒必争

ID ：朝阳资本论

作者：鼓风

6 月份的存储，二级市场买方强势，叠加业绩预期，“超级周期” 名副其实。

就在刚不久，美光科技财报又加了一把火。2026 财年第三财季营收 414.6 亿美元，同比暴增 346%；毛利率达 84.9%。

面对本轮存储超级景气周期，国产存储双雄，长鑫科技、长江存储正抓紧机会 “上车”。

客观看，留给长鑫和长存抢占通用存储市场的黄金时间窗口，只有 1-2 年。

毕竟，高盛、摩根士丹利等国际投行研判高度一致：本轮存储景气周期将贯穿 2026-2027 年，2028 年是供需拐点。

赛道内的龙头企业判断与投行如出一辙。

据韩媒透露，三星内部已预判，这轮由 AI 算力需求驱动的内存超周期，将在 2028 年前后走向终结。

美光也明确表态，存储芯片供应紧张将持续至 2027 财年之后，预计 2028 年才会逐步改善。

此外，海外巨头已在提前布局通用存储市场的回归。

据韩媒消息，SK 海力士近期已放缓 HBM4 扩产步伐，明确要将更多产能与研发资源倾斜至通用型 DRAM 市场。

可以说，一旦 HBM 供需缓和，海外巨头随时可能集体回头重抢通用存储市场，快速挤压国产厂商的生存空间。

届时，如果国产存储双雄尚未在产能规模、技术代际、客户黏性上建成足够深的护城河，通用存储市场价格战将重新开打。

而价格战，恰恰是长鑫 2023 年亏损 163 亿、2024 年亏损 71 亿的导火索。

市场会用真金白银买 2026 年业绩暴涨的长鑫，不会买 2024 年亏损的长鑫。

周期反转拐点，才是真正的定价锚。

这也是长鑫科技火速过会拿批文、165 天完成注册的根本原因；也是长江存储 5 月进入辅导、6 月完成武汉新芯股权重整、扫清一切上市障碍的直接动力。

当下，是长鑫和长存上市融资扩产抢占通用存储市场的最佳窗口，可能也是唯一窗口。错过这 1-2 年，再等下一个这样 AI 爆发周期，不知猴年马月了。

超级周期不会等人，海外巨头不会轻易让出通用存储市场，争分夺秒，分秒必争。

存储赛道太火了

2026 年，全球半导体资本市场最热主线，非存储赛道莫属。

从美股到韩股，从科创板到创业板，板块全线走出史诗级行情：三巨头三星、SK 海力士、美光三大龙头集体站稳万亿美元市值。

A 股 “存储模组三杰”——德明利、佰维存储、江波龙年内股价全线大涨，尤其德明利表现活跃，从 230 元涨到 800 元，让投资者侧目。

（A 股存储龙头德明利近 3 个月的股价走势，从 230 元一路飙涨破 800 元，年内累计最大涨幅超 250%）

资金持续扎堆的背后，产业逻辑已经重构，存储芯片不再是跟随消费电子波动的周期元器件，而是 AI 算力时代的核心战略资产、数字石油。

过去，中国在 DRAM 和 NAND 两大核心存储赛道没有底气，全球存储市场的游戏规则由美韩巨头单方面书写，中国既无规模、也无技术话语权。

在这轮存储景气周期，国产龙头规模扩张迅速，市场研究机构 Counterpoint 报告显示，长鑫科技已在 DRAM 赛道拿下全球约 8% 的份额，长江存储在 NAND 赛道占据全球 13% 的市场。

现在可以说，中国存储产业从 “旁观者” 转变为深度参与全球产业分工与标准制定的 “共建者”，不仅能开始自主定义技术路线，还能用成熟产能直接参与市场价格博弈，更以核心 IDM 平台牵引整条国产供应链协同升级，在全球存储产业格局中逐渐拥有发言权。

这也是长鑫科技能够以 165 天（从受理到注册生效）创下大型硬科技 IPO 审核效率纪录的根本原因，存储超级景气周期不等人，此时此刻不融资不扩产，更待何时？

四十年的追赶与十年的攻坚

这一轮国产存储龙头能快速抢占通用存储市场份额，首先要归功于海外三巨头。

为什么这么说？

因为三星、SK 海力士、美光为追逐 HBM 超高毛利，将 70% 以上新增先进晶圆产能倾斜 HBM，大幅缩减 DDR4、普通 DDR5、消费级 NAND 投片量，形成 “高端挤压低端” 的产能断层。

这给了长鑫科技、长江存储扩张中低端通用存储市场的机会。

长鑫科技一跃成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商，2026 年一季度营收 508 亿元，同比增长 719%，归母净利润 247.62 亿元，全球市占率升至 7.7%。长江存储一季度营收突破 200 亿元，同比增长约 100%，全球 NAND 市占率从 8% 跃升至 13%。

当然，打铁也要自身硬。

当下国产存储双雄的 DRAM、NAND 产品成熟度达标，通用存储颗粒性能、良率、成本全面对标海外中端产品，已经具备承接全球通用订单的硬实力。

从无到有再到规模这一步，国家用了四十年，国产存储双雄用了十年。

回望历史，中国存储产业的追梦之旅始于 1975 年，北京大学实验室里诞生的第一块 1024 位 MOS DRAM，曾让中国存储站在了世界起跑线上。

然而此后数十年，产业化的漫长征程却在技术封锁与资本鸿沟面前一再延宕。

真正的转折发生在 2016 年。

那一年，长鑫科技与合肥政府达成协议，全力攻坚技术壁垒极高的 DRAM 制造。

彼时，三星、SK 海力士、美光三家巨头已垄断全球 90% 以上份额，技术、资金、专利三重壁垒将中国拒之门外。

几乎同一时间，长江存储在武汉成立，下定决心绕过海外厂商的 2D NAND 专利封锁，直接切入 3D NAND 赛道。

为什么 DRAM 和 NAND 两大存储赛道，会交由两家不同的公司分头攻坚？

这其实是国家层面的战略布局。

2016 年之前，存储芯片是中国产业链中 “卡脖子” 最深的环节之一，形势紧迫，中国不可能先攻一条再攻另一条，必须双线并进、同时突围。

技术层面，DRAM 和 NAND 虽然同属存储芯片，但技术原理和制造工艺截然不同。

DRAM 的核心在于制程微缩，依赖光刻精度，比拼的是线宽极限；NAND 的核心在于 3D 堆叠层数，依赖薄膜沉积和刻蚀工艺，比拼的是垂直高度。

两者的技术路线、人才结构、设备需求交集有限。在当时的条件下，一家公司同时攻克两条路线，人力、资金和管理精力都无法承载。将两条赛道分拆给不同团队，各自集中资源专注突破，是理性的战略选择。

正是基于上述客观情况，2016 年三大存储器项目同步启动：长江存储主攻 NAND Flash；合肥国资与兆易创新联手设立长鑫，自主研发 DRAM；福建晋华原计划通过与联华电子合作切入 DRAM，后因法律纠纷而发展停滞。

多线并进，各有侧重，形成了覆盖两大核心赛道的完整拼图。

从区域产业布局来看，两座城市分头卡位存储产业最关键的两条赛道并非偶然。

武汉光谷集聚 300 余家集成电路企业，涵盖芯片设计、制造、封装、测试全链条，其中就包括长江存储这一产业龙头，天然的产业集群效应让长江存储在上游设备验证、材料配套、人才供给等方面均享有地利之便，为 3D NAND 的快速迭代提供了坚实的产业腹地。

合肥则依托长鑫科技的龙头带动效应，集聚 400 余家集成电路企业，以长鑫为核心，DRAM 产业链上下游的设计公司、设备厂商、材料供应商围绕其构建了完整的生态圈，让长鑫在制程追赶过程中能够实现 “就近配套、快速响应”。

十年之后，这场战略布局的价值已全面兑现，尤其随着 2025 年存储超级周期开启，投入终迎回报。

长鑫与长存成长为各自赛道的领军者，在龙头的带动下，国产存储设备、材料、封测整条产业链协同爆发，中国第一次打通了从晶圆到模组的存储全链路。

抓紧上市融资扩产，助力 DRAM 赛道突破

存储是重资产标准化赛道，规模直接决定单位成本，韩国三星和海力士之所能崛起到垄断全球，背靠韩国政府的扶持以及财阀资本的现金流托底。

长鑫、长江存储也类似，和韩国政府持续扶持逻辑一致，国内大基金、地方国资是长鑫、长存核心股东，合肥、武汉地方政府提供土地、配套资金、税收优惠，在行业下行周期提供现金流托底，允许企业阶段性亏损换产能扩张。

2024 年行业底部，两家企业没有缩减资本开支，反而持续推进新厂区建设，完美复刻韩国 “别人减产我扩产” 的周期打法。

当下海外巨头收缩通用存储产能，正是国产厂商逆周期放量、抢占份额的黄金窗口期。

也因此，对长鑫科技与长江存储而言，此刻唯一的战略命题是：赶紧上市，速度融资，立刻扩产，承接这一波时代红利。

所以就有了资本市场的神速表现。

作为中国大陆唯一具备 DRAM 全流程 IDM 量产能力的企业，长鑫科技创下大型硬科技 IPO 审核效率纪录。

募资 295 亿元，规模位列科创板历史第二，资金重点投向晶圆产线升级、DDR5 通用颗粒扩产、HBM 高端 AI 存储研发，扩产节奏完美匹配海外大厂收缩通用产能的窗口期。

随着这轮景气周期，长鑫科技基本面已跨过盈亏平衡点，进入业绩爆发期。

2025 年公司首次年度扭亏，营收 617.99 亿元，归母净利润 18.75 亿元；2026 年增长势能全面释放，单季营收突破 508 亿元，同比暴涨 719.13%，单季归母净利润 247.62 亿元，日均盈利超 2.75 亿元。

上半年业绩预告显示，营收有望突破 1100 亿元至 1200 亿元，归母净利润 500 亿至 570 亿元。

市场普遍预期 7 月底至 8 月初正式挂牌，上市后充足资本将持续加码通用 DRAM 产能，放大周期红利带来的份额增量。

特别值得一提的是技术面，在 EUV 光刻机全面禁运的背景下，长鑫依托 DUV 多重曝光工艺走出极限追赶路线。

19nm 成熟制程稳定量产，支撑 DDR4 海量出货；17nm 先进制程良率突破 90%，全面适配 DDR5、LPDDR5X 等中端服务器、移动端通用产品，最高速率达 8000MT/s；16nm 制程已实现规模化量产，下一代更先进制程正持续研发推进，逼近 DUV 工艺物理极限。

在定价上，长鑫科技也是坚持用低价抢市场的策略，DDR4 等成熟产品定价远低于海外竞品，逼海外厂商主动放弃中低端通用市场。

战略价值方面，长鑫科技的作用也远不止于 “造出了国产 DRAM”。

在长鑫出现之前，中国大陆 DRAM 颗粒 100% 依赖进口，如今党政、金融、能源等关键信息基础设施拥有了完全自主的内存芯片供应，从根源上规避了地缘断供风险。

与此同时，长鑫的崛起打破了三星、SK 海力士、美光三家寡头长达数十年的价格同盟，国内终端厂商议价权大幅提升。

在设备国产化方面，北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海等企业的 PVD/CVD、刻蚀、薄膜沉积、湿法清洗及测试设备均已加速进入长鑫供应链体系，当前国产设备整体占比已达四至五成。

长江存储 NAND 赛道话语权，正在质变

DRAM 赛道之外，国产 3D NAND 龙头长江存储的资本化进程同样全面提速，意在抓住本轮存储超级周期完成通用 NAND 产能跨越式扩张。

2026 年 5 月 19 日，长江存储正式在湖北证监局完成 IPO 辅导备案，由中信证券与中信建投联合辅导。根据市场普遍预期，长江存储最快有望于 2026 年下半年向科创板提交上市申请。

为扫清合规障碍，公司推动子公司武汉新芯股权重整、撤回独立 IPO 申请，彻底消除同业竞争。

从技术层面看，长江存储最核心的竞争力，在于全球独有的 “Xtacking®晶栈架构”。

采用 “双晶圆独立制造 + 混合键合” 模式，将存储单元阵列与 CMOS 外围电路分别在两片晶圆上独立制造，再通过铜 - 铜直接键合技术垂直拼接，彻底解决了传统架构中外围电路挤占存储面积、堆叠层数越高良率越难控制的瓶颈。

依托这一架构，长江存储跑出行业最快迭代速度：2018 年 32 层实现从 0 到 1，2022 年 232 层跻身全球第一梯队，2025 年 294 层产品实现量产。

当前 294 层 TLC 通用颗粒良率超 90%，存储密度达 20Gb/mm²；其 232 层产品量产良率更高达 92.5%，性能已比肩巨头竞品。与三星 286 层、SK 海力士 321 层相比，层数差距已缩小至一代以内。

产品端已搭建完整通用存储矩阵：致态消费级 SSD 对标三星旗舰；中端企业级 SSD 批量进入国内云厂商、运营商，填补美光、铠侠收缩的中端通用服务器闪存份额；闪存颗粒产品已广泛应用于下游模组厂商及嵌入式存储方案。

在国产替代层面，长江存储的战略价值同样突出，是国内唯一打通了从设备到材料全链条国产化验证的晶圆制造平台。

三期工厂国产设备采购占比首次突破 50%，整体国产设备采用率约 45%，已是国内所有晶圆厂中的最高水平。关键设备环节也已经实现国产主导。比如在刻蚀设备领域，中微公司在长江存储供应链中占比超 40%，其 3D NAND 刻蚀设备全球市占率第一。

从刻蚀到薄膜沉积，从晶圆载具到 CMP 抛光垫，从靶材到硅片，长江存储在用大规模量产采购，验证并拉动整条国产供应链的结构性升级。

“两存” 合力，重塑全球存储产业格局

长鑫与长存已筑起了中国存储产业的防火墙，两者合力，正在从三个维度重塑全球存储产业格局。

产能层面，集体突围正在改变全球供给格局。

长鑫科技目前月产能 28 万至 30 万片 DRAM，2026 年底目标 40 万片；长江存储月产能 20 万片 NAND，远期规划 50 万片。

从全球供需格局看，2026 年全球 DRAM 产能约 1220 万至 1280 万片/月，NAND 产能约 1600 万至 1700 万片/月，“两存” 的产能扩张正在实质性改变全球存储供给结构。

全部达产后，两存合计月产能将达 90 万片，足以对全球存储供需产生深远影响。

技术层面，标准定义权正在发生历史性转移。

长鑫的 17nm 制程良率突破 90%，DDR5 速率达 8000MT/s，性能差距与龙头产品缩至 5% 以内；长江存储的 Xtacking 架构更实现了从 “跟跑” 到 “并跑” 的跨越。

尤其是 2025 年初三星与长江存储达成混合键合技术专利许可协议，这是全球存储产业三十年来，海外巨头首次向中国企业购买核心技术专利。

当然客观差距也明显，制程代差依然存在，长鑫在工艺密度和能效上仍有约 1.5 至 2 代的追赶空间，HBM 领域差距更大。

资本层面，生态牵引力正在形成正向循环。

长鑫科技 IPO 募资 295 亿元、长江存储预期募资 200-300 亿（该数据基于市场机构的合理预测），这些募集的资金会流向哪里？

大概率预测融资额度约 80% 将转化为存储产业链的设备采购订单，且会大规模采购国产设备，直接拉动刻蚀、薄膜沉积、清洗、量检测等国产半导体设备全产业链的订单增长，最终形成 “资本投入→产能扩张→国产替代深化→业绩释放” 的正向循环。

存储双雄将国产设备替代扎根到了全产业链深处。

景气周期存续多久是关键

对投资存储赛道的投资人而言，围绕存储双雄，有两个敏感问题无法回避。

一是存储超级景气周期能持续多久？产能过剩拐点何时到来；二是资本市场能否承受如此大的募资抽血压力。

存储景气周期前者决定如长鑫科技业绩暴涨持续多久，毕竟其单季净利润达 330 亿元是建立在存储紧缺 DRAM 产品价格暴涨之上。

目前看，高盛等国际投行的预测是本轮存储超级景气周期大概率贯穿 2026-2027 年，供给刚性、HBM 挤占、长协锁货三重因素叠加，决定了紧缺格局难以在短期内逆转。

但风险是，海外大厂不是永远不做通用存储，只是当下 HBM 的毛利是通用存储的 3-4 倍，资源优先倾斜高端赛道。一旦 HBM 供需缓和，海外巨头随时可以调整产线结构，回头重新抢占通用存储市场。

韩国媒体传出，三星内部此前已预判 DRAM 超级周期将于 2028 年终结，正据此校准投资节奏，避免重蹈过度扩张的覆辙。

美光大量新增产能预计将在 2028 年左右集中涌入市场，届时供需平衡可能面临重新洗牌。

另一龙头 SK 海力士则更直接，调整产能规划倾斜资源给通用 DRAM 产能。

韩媒称，已占据 HBM 竞争优势 SK 海力士无需继续采取激进的扩产竞争策略。相比之下，通用型 DRAM 供应严重短缺，盈利能力也已经超过 HBM，成为获取更多利润的新重点。

所以，留给长鑫和长存抢通用存储市场的时间窗口，也就 1-2 年光景。

换言之，必须赶在 2028 年海外新产能集中释放、供需格局逆转之前，完成产能扩张和市场份额的锁定。

对绝大部分理性的投资人而言，业绩暴涨的长鑫值得买入，但 2024 年亏损的长鑫就不会多看一眼，所以市场集体关注周期反转拐点。

另外关于募资抽血的问题。两存合计预测 500-600 亿元的融资规模，在 A 股日均成交额超 3 万亿元的市场体量中能否承受？

客观说，不好评价， 两存上市节奏大概率错开许久，并非同个区间释放，关键还是存储赛道产业趋势是决定市场走向的核心变量。

这里也有赌国运的逻辑，赌存储双雄能够逆流而上，稳住市场份额，业绩营收持续增长，持续吸引资金流入。

把视角拉大，复盘全球存储产业四十年格局变迁，其实每一次龙头换位，都离不开对周期窗口的精准把握：日本企业抓住 PC 产业起飞的窗口崛起，韩国企业抓住金融危机后的行业低谷逆势扩产实现反超。

如今，AI 重构产业秩序、海外巨头主动收缩通用赛道、国产替代需求全面爆发，三重红利叠加，给了中国存储双雄一次改写格局的历史机遇。

长鑫科技 IPO 临门一脚，长江存储辅导启动，资本化的大幕已经拉开。但要真正抓住这轮超级周期，核心还是产品竞争力。

最终看，新产线建设能否转化为真实的市场份额，产品性价比能否在通用存储领域彻底站稳脚跟。

但不管如何，国产存储赛道已经成长起来。