消息显示，韩国半导体制造商 SK 海力士（SK hynix Inc.）将扩大其高带宽内存（High Bandwidth Memory）生产设施投资，以应对高性能 AI 产品需求的增加。该公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比 2023 年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在 2024 年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品 HBM3E。
SK 海力士财报显示，该公司第四财季实现了 1131 万亿韩元（约 84.6 亿美元）的营收和 3460 亿韩元（约 2.59 亿美元）的运营利润，这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为盈利。
SK 海力士扭亏为盈主要归因于 HBM3（High Bandwidth Memory 3）和 DDR5（Double Data Rate 5）的强劲销售。与上一年相比，SK 海力士在 2023 年的 DDR5 和 HBM3 销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了继续这一上升趋势，SK 海力士计划开始大规模生产人工智能芯片 HBM3E，并加快第六代 HBM4 的开发。
“我们预计 HBM3E 产品在 2024 年将会有巨大的需求，计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将 TSV 产能翻倍，” 公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资，公司还表达了更谨慎的立场，“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”
SK 海力士计划准备生产 MCRDIMM 和 LPCAMM2，前者是一种将多个 DRAM 集成到一个基板上的高容量服务器模块，后者是一种基于低功耗 (LP) DDR5X 的高性能移动模块，二者旨在满足 AI 服务器需求和设备端 AI 市场。
在专注于生产高附加值产品的同时，SK 海力士计划将资本支出的增长最小化，强调稳定的业务运营。“与上一年相比，我们将投资削减了一半以上，以应对需求疲软的情况。我们在 2024 年的策略是保持谨慎的态度，专注于确保增长和盈利的领域，同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。” 首席财务官金宇贤表示。
SK 海力士解释说，自从 2023 年第三季度以，该公司来一直保持谨慎的生产策略，包括减产，导致销售超过了生产，随后改善了库存水平。“我们将继续保持谨慎的生产策略，直到 2024 年实现库存正常化，同时预计 DRAM 的产量将在上半年保持稳定，NAND 闪存的产量将在下半年保持稳定，” 该公司表示。
分析师预计，该芯片制造商 2024 年的的运营利润将 10 万亿韩元（约合 88.5 亿美元）。还有分析师预计该公司 2024 年运营利润将达到 10.6 万亿韩元（约合 94.2 亿美元），分析师认为，主要因为人工智能芯片需求预计将增加。
自 2023 年年初以来，SK 海力士股价因其 AI 能力上涨近 50%。

SK 海力士将扩大 HBE 生产设施投资，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比 2023 年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在 2024 年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品 HBM3E，以应对高性能 AI 产品需求的增加。

加注 AI SK 海力士计划将 HBM 产能增加一倍以上