<div id="readability-page-1">作者：周源/华尔街见闻英特尔最近更新了晶圆代工蓝图：2026-2027 年，英特尔 1.4/1nm 将先后分别投产。这是英特尔首次官宣 1nm 晶圆代工时间表。2021 年，英特尔首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）向英特尔的客户和投资人披露了他制定的雄心勃勃的计划，就是在 4 年内完成 5 个工艺节点（7/4/3/20A/18A）的制造，最终目标是重新夺回代工领域的领导地位。这项计划就是到 2030 年，英特尔外部代工规模将仅次于台积电，超越 Global Foundries、UMC 和三星，成为全球第二大代工厂。<h2>押注 18A：2030 计划的核心</h2>英特尔最新晶圆代工蓝图显示，Intel 10A（1nm 制程）将于 2027 年底投入生产/开发（非量产），标志着该公司首个 1nm 节点的到来；Intel 14A（1.4nm）节点将于 2026 年投入生产。<img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/40b80db7-ebce-44d9-a975-51ca113d7ea8.png/query-aW1hZ2VWaWV3Mi8yL3cvNjQw?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="640" height="401" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/40b80db7-ebce-44d9-a975-51ca113d7ea8.png/query-aW1hZ2VWaWV3Mi8yL3cvNjQw"/>从 2021 年 Gelsinger 披露工艺节点制造计划至今，基于英特尔首款 EUV 节点的 Intel 4 的产品已经上市，其大批量对应产品 Intel 3 也已准备就绪。与此同时，英特尔正在对 2024 年和 2025 年首款全环栅（GAAFET）/RibbonFET 做最后的完善工作。根据最新的晶圆代工蓝图路线图，在高性能/高密度赛道上，14A（1.4nm）将是英特尔首次使用高数值孔径（High-NA）EUV 的节点。这一节点将在 2026 年大规模投入生产。这是业界首个使用 ASML 极紫外光刻机的工艺节点。那台重 15 吨、造价高达 27 亿元的最新一代光刻机，能制造 2 纳米以下的最先进制程。英特尔是目前唯一拿到这台光刻机设备的公司。英特尔将其代工业务押注于 High-NA，这与英特尔在 EUV 领域的起步相对较晚（Intel 4/Meteor Lake 是首款产品）形成鲜明对比（之前保守，现在激进）。目前，英特尔已获得了迄今为止全球唯一的高数值孔径扫描仪。凭借 High-NA 的技术性能，14A 将成为英特尔继 20A/18A 合并之后的第一个完整节点。若一切照现在的计划推进，那么这将是英特尔进一步巩固其作为晶圆厂工艺技术领导者的地位的技术。当然，这还包括在 2026 年之前的风险测试中不出现意外。目前，14A 节点的变种包括 E（更高的电压和温度，性能提升 5%）、P（Plus）（性能提升 5%-10%）和 T。值得一提的是 18A 工艺节点。Gelsinger 刚刚对外公开表示，“我将整个公司都押注在了 18A 制程上。” Gelsinger 此次重申了 18A 制程对英特尔的重要性，比 2023 年底的表态更加坚定。18A 制程是英特尔重回技术领导地位的加速路线图中的第五个节点，2025 年投产，以此重新取得制程工艺的领先性。虽然实际上 18A 并没有采用 1.8nm 工艺，但是英特尔却表示自家的 18A 制程在性能和晶体管密度上，能与台积电 1.8nm 工艺相当，比台积电 2nm 制程更先进。若比较晶体管密度和 GAA（全环绕栅极）架构，其实两者（与台积电 2nm 相比）相差无几。与台积电 2nm 工艺相比，18A 制程具有的 “背面供电” 技术（即英特尔所称的 PowerVia）确实比台积电先进。这项技术能从芯片的背面而不是正面为晶体管供电。Gelsinger 称该项技术堪称芯片行业的 “哈利路亚” 时刻。除了技术上的优势，18A 制程也是英特尔雄心勃勃的 “2030 年成为全球第二大晶圆代工厂” 计划的核心。目前，台积电是全球最大的晶圆代工企业，三星紧随其后。英特尔希望通过 IFS（Intel Foundry Services）部门取代三星，18A 制程被认为是英特尔吸引客户的重要砝码。微软 CEO 萨蒂亚·纳德拉（Satya Nadella）已宣布 “微软将基于 Intel 18A 工艺制造芯片”。2 月 22 日，英特尔宣布已完成 18A 主要产品 Clearwater Forest 的流片。Clearwater 是基于英特尔第二代 E 核的 Xeon（Sierra Forest 后继产品），是英特尔代工技术的出色产品。由于英特尔工艺节点取得了较为显著的进展，故而英特尔代工集团换了新名称——由原先的代工团队改成了英特尔代工服务（Intel Foundry Services），由此开启了英特尔 “系统代工” 发展的全新阶段。英特尔整个代工服务系列，从晶圆厂到测试再到先进封装，现在都被置于这个新改名的英特尔代工旗帜下。看上去英特尔正在借鉴台积电的做法。比如，强调英特尔提供服务，不但希望为客户制造芯片，而且希望成为芯片生产的一站式商店。所以，除了为客户提供晶圆光刻技术，英特尔还向潜在客户开放先进封装、芯片组装和测试的完整生态。如果客户愿意，他们将能从英特尔获得完整的芯片，甚至只是利用英特尔提供的个性化服务，以达成自己的目标。<h2>超越三星：成为全球第二</h2>成为仅次于台积电的全球第二大代工厂，这是英特尔当今掌门 Gelsinger 的雄心。他于 2 月 26 日在加州举行的晶圆代工大会上对此做了详细解释，“当我说到 2030 年成为第二大代工厂时，我的意思是 ‘针对我们的’ 外部代工厂（仅限商业）。”根据 Gelsinger 在 2021 年制定的 “4 年 5 个节点” 技术路线图，英特尔共有 5 项制程节点技术（再加上此次增加的 14A 和 10A）。其中包括，第一，传统成熟制程的 10 纳米和 7 纳米，对应 Intel 7 和 Intel 4 已投放市场；第二，先进制程 3 纳米（对应 Intel 3）已准备就绪，随时可大批量生产，该制程旨在追赶台积电与三星。第三，未来制程 2nm（对应 Intel 20A）和 1.8nm（对应 Intel 18A）也将如期上市。英特尔预计，将于 2025 年通过 intel 18A 制程节点会重获制程领先性。作为美国本土少数拥有晶圆厂、兼具设计和代工能力的芯片 IDM（另一种是将设计与生产分离的 Fabless 无晶圆厂模式）厂商，英特尔因 “死磕” 10nm 芯片制程造成研发上的战略失误，被迅速崛起的对手台积电、三星赶超并甩至身后。2020 年，英特尔不得不将 7nm 芯片的代工业务外包给台积电，5nm 及 3nm 的大部分订单都要依赖台积电完成。2021 年，英特尔本代掌门 Gelsinger 上任后，最重要的战略决策就是要带领英特尔重拾芯片代工业务。为此，Gelsinger 制定了三大关键战略能力：芯片设计、技术架构、工艺技术和大规模制造能力。随后，英特尔同步在全球建厂扩充产能。目前，英特尔在美国、以色列和爱尔兰等地都传出投建与改造晶圆厂的计划，投资额已经超过 250 亿美元。2024 年，英特尔与位于中国台湾的全球第四大晶圆代工厂联电（台积电宿敌）宣布合作。自从美国、欧盟芯片法案相继出台后，芯片生产能力成为扶持本土半导体产业、保障供应链安全的关键。英特尔被认为是两项法案当前最大的受益方之一，收到了美国和欧盟的补贴大礼包，其中美国 100 亿美元，欧盟 68 亿欧元。据 TrendForce 统计数据显示，2023 年第二季度，英特尔首次跻身全球前十大晶圆厂，排名第九，约占 1% 的全球代工市场份额。排名前三的厂商分别是台积电、三星和格芯，分别占 57.9%、12.4% 和 6.2%。“按收入（包括封装业务收入）计算，我们将成为第二大代工厂。这是我为我们团队设定的目标，这高于我从内部代工业务获得的收入。所以它是两者的结合。” Gelsinger 说，“我相信若做适当地比较，我的外部代工厂将在行业中排名第二。”风险提示及免责条款 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。</div>

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英特尔最近更新了晶圆代工蓝图，计划在 2030 年超越三星，成为全球第二大代工厂。该计划将于 2027 年底投入生产首个 1nm 节点，并在 2026 年投入生产 1.4nm 节点。英特尔还在对 2024 年和 2025 年首款全环栅（GAAFET）/RibbonFET 做最后的完善工作。在高性能/高密度赛道上，英特尔将首次使用高数值孔径（High-NA）EUV 的节点，该节点将在 2026 年大规模投入生产。

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