智通财经 APP 获悉，开源证券发布研究报告称，供给方面，据闪德资讯报道，三星、SK 海力士、美光三大原厂全力抢占 HBM、DDR5 等新兴市场，新产能均投入相关新品，逐渐退出 DDR3 市场，利基型 DRAM 产能供给减少。需求方面，近期随着 AI、网通的需求增加，AI 技术导入后终端产品对 DDR3 有容量升级的需求。2023H2 以来，主流存储产品价格已明显回暖，随着利基型市场供需结构改善，DDR3 等利基型存储产品有望接力上涨，实现存储芯片的全品类复苏，板块景气度持续提升。 开源证券观点如下：上周复盘：现货市场流速缓慢，供需双方博弈激烈指数方面：据闪存市场数据，2024 年第 11 周存储市场有所分化，NAND 指数单周提升 0.63%，DRAM 指数单周下降 0.02%，基本持平。价格方面：NANDFlash Wafer 价格持平不变， DDR4 eTT 资源跟随实际成交价小幅调涨;渠道市场方面，一季度淡季渠道需求平淡，渠道出现少量抛货现象，而成本端并未下降，因此行情整体变动不大，价格持平不变;行业市场方面，近期行业市场以少量备货需求为主，整体需求较淡，还有延迟提货的迹象，本周行业价格持平不变;嵌入式 Flash 方面，由于嵌入式资源供应依然有限，伴随现货市场嵌入式产品需求稳固，本周部分嵌入式价格上调：eMCP 和 uMCP 价格全面上涨 ( 周环比 +2.8%/+5.5%)， 部分 eMMC 和 UFS 价格上调 ( 周环比 +1.5%/+1.4%)，嵌入式 LPDDR 价格持平不变。利基型市场： DDR3 供不应求，Q2 价格有望调涨 20%供给方面，据闪德资讯报道，三星、SK 海力士、美光三大原厂全力抢占 HBM、DDR5 等新兴市场，新产能均投入相关新品，逐渐退出 DDR3 市场，利基型 DRAM 产能供给减少。需求方面，近期随着 AI、网通的需求增加，AI 技术导入后终端产品对 DDR3 有容量升级的需求。价格方面，三大原厂已陆续于 2023Q4 起喊涨 DDR3 价格，随着市场供不应求，华邦也计划在 2024Q2 跟进涨价，将 DDR3 价格调升 20%，幅度可观。2023H2 以来，主流存储产品价格已明显回暖，随着利基型市场供需结构改善，DDR3 等利基型存储产品有望接力上涨，实现存储芯片的全品类复苏，板块景气度持续提升。大厂近况：开工率逐步提升，中国台厂营收连续多月同比高增据闪德资讯报道，随着库存调整和智能手机市场需求转好，三星西安工厂稼动率正持续提升，目前已达 70%;与此同时，铠侠计划在 3 月内将 NAND 稼动率提升至 90%，大厂近期稼动率调升动作频繁，反应需求正逐步向好。大厂表现方面，随着价格逐步回暖，韩国 2 月存储芯片出口额同环比大幅双增 (同比 +108%/环比 +14%)，多家中国存储台厂营收连续多月同比上涨，南亚科技、十铨等企业连续三月同比增长 30% 以上，势头良好。随着板块持续复苏，以及 HBM 和 DDR5 等产品的需求增长，相关公司有望充分受益，受益标的：(1) 存储芯片：兆易创新 (603986.SH)、普冉股份 (688766.SH)、东芯股份 (688110.SH) 等;(2) 存储模组：江波龙 (301308.SZ)、德明利 (001309.SZ) 等;(3) 存储接口：澜起科技 (688008.SH)、聚辰股份 (688123.SH) 等;(4) 存储封测及 HBM 产业链：长电科技 (600584.SH)、通富微电 (002156.SZ) 等风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。

三星电子

美光科技

利基型存储市场供需改善，DDR3 等利基型存储产品有望上涨，存储芯片行业景气度提升。供给方面，三星、SK 海力士、美光逐渐退出 DDR3 市场，利基型 DRAM 产能减少。需求方面，AI 技术导入后终端产品对 DDR3 有容量升级需求。主流存储产品价格回暖，板块景气度持续提升。利基型市场 DDR3 供不应求，Q2 价格有望上涨 20%。

开源证券：DDR3 供不应求 涨价行情向利基存储市场扩散

开源证券：DDR3 供不应求涨价行情向利基存储市场扩散