在 AI 需求推动下，内存市场一季度传统淡季 “不淡”，价格上涨超出市场预期。
韩国 2 月半导体产量同比激增 65.3%，创下自 2009 年以来的最高记录，分析预计 4 月内存出口同比增长将超 100%。
野村证券在周一的报告中，内存市场可能正处于超级周期中，一季度迎来量价齐升：
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价格方面，2024 年第一季度，内存价格上涨幅度超出市场预期。DRAM 混合平均售价环比增长超过 20%，而 NAND 价格更是跳涨了 25-30%，预计第二季度（2Q24F）价格将继续上涨。
出货量方面，一季度半导体和内存出口分别环比增长了 5% 和 12%。尽管 DRAM 出货量预计环比下降约 15%，但商品价格预计环比上涨了 15-20%。根据我们的估计，包括 HBM 在内，混合平均售价环比增长超过 20%。
NAND 的出货量可能保持稳定，但价格将显著上涨 25-30%。按产品分类，AI 服务器对 HBM 的需求极强，企业 SSD 的内存需求也在增长。移动 DRAM/NAND 需求相对较弱，而 PC 内存和 SSD 需求预计将在 2024 年下半年随着 AI PC 销售的增长而上升。
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展望今年，野村预计，今年内存价格将继续上涨
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2Q24F DRAM 价格将环比增长高个位数至 10%，一季度高价格增长放缓，但仍然高于我们认为的市场预期。由于高溢价 HBM3E/HBM3（高带宽内存）供应的扩大，混合平均售价也可能增长 10-20%。尽管一些 NAND 厂商的利用率恢复，但我们认为，NAND 价格也将环比增长超过 10%。
HBM 的竞争加剧，预计将限制商品 DRAM 的供应，并推动商品价格上涨。海力士和美光已获得 HBM3E 资格，三星也在进行相关资格认证。由于行业竞争加剧，HBM 容量的增长可能超出预期，这可能导致 DRAM 价格在 2Q24F 底部增加超过 50%。
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野村维持对 SK 海力士和三星电子的买入评级，尽管市场对内存公司收益的预期正在上升，但仍低于野村的预期。野村认为，鉴于 AI 公司的技术进步和商业利用情况好于预期，内存市场的未来表现可能比市场当前预期更为乐观。

美光科技

野村预计，2024 年 DRAM 价格将环比高个位数增长至 10%，HBM3E/HBM3 平均售价可能增长 10-20%，若 HBM 挤压 DRAM 供给，DRAM 价格可能会从当前低点涨超 50%。

量价齐升，内存超级周期要来了吗？