SK 海力士近 40 亿美元投资落户美国印第安纳州 主攻 HBM 芯片生产

在拜登政府努力振兴美国国内半导体产业之际，世界第二大内存芯片制造商 SK 海力士宣布将斥资 38.7 亿美元在印第安纳州西拉斐特市建立一座先进封装厂和人工智能产品研发中心。

根据计划，SK 海力士的首座美国工厂将于 2028 年下半年开始量产，主攻生产目前高端 GPU 亟需的下一代高带宽内存 (HBM) 芯片。作为 HBM 芯片领域的领导者，SK 海力士已成为人工智能发展浪潮中的关键参与者，其内存芯片与英伟达公司的处理器紧密协同。

此前约两年，SK 集团会长崔泰源曾表态将拨款 150 亿美元在美国建厂并加强研发投入。本次 38.7 亿美元的投资预计只是其中的一部分。SK 海力士已经申请了《芯片法案》补贴。

SK 海力士的这一项目为美国增加先进封装产能迈出了重要一步（先进封装与 HBM 制造两个环节绑定在一起），因为封装环节一直是阻碍拜登政府重振本土芯片产业的瓶颈。目前美国仅拥有 3% 的全球封装能力，这意味着在美国生产的芯片仍常需运往亚洲地区组装。

芯片已经成为国际竞争的焦点。美国政府正拿出数百亿美元的巨资，试图摆脱对亚洲供应商的依赖，并向全球芯片制造商提供大笔财政激励，以吸引它们在美国增加产能。自拜登上任以来，半导体企业已承诺在美国本土投资逾 2300 亿美元，部分得力于 2022 年出台的《芯片法案》。

上月，英特尔公司获得 85 亿美元补贴和 110 亿美元贷款，支持其在美国超过 1000 亿美元的投资。据报道，拜登政府还计划向 SK 海力士的竞争对手三星提供超过 60 亿美元，台积电则获得 50 多亿美元资助。

迄今为止，这些投资项目大多落户德州、纽约和亚利桑那州。仅亚利桑那州一地就已吸引台积电、英特尔等数十家企业投资超过 600 亿美元。2022 年，美国本土晶圆制造商 SkyWater Technology 还宣布与印第安纳州及普渡大学合作，计划斥资 18 亿美元兴建半导体研发和生产设施。