作者：李笑寅
本文来源：硬 AI
AI 浪潮驱动下，HBM 的市场需求持续高涨，“供不应求” 的局面还将持续多久？
4 月 14 日，美国银行发布全球内存技术主题研报，对 HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）及 DRAM（动态随机存取存储器）技术的最新动态和趋势进行了解读。
报告表示，由于良品率较低、制造周期较长以及订单持续强劲，预计 HBM 需要的 DRAM 晶圆产能可能要比当前的预测多出 10%-20%。此前，美银预计 2024 年和 2025 年的全球 DRAM 晶圆产能为 18.2 万片/月和 25.7 万片/月。
<h2>HBM 需求越高，DRAM 消耗越大</h2>
HBM 技术可以说是 DRAM 从传统 2D 向立体 3D 发展的主要代表产品，因其通过堆叠 8-12 个 DRAM 芯片制成，因此需要更多的 DRAM 晶圆产能。
具体来看，报告表示：
<blockquote>
目前 HBM 的平均良品率可能只有 70% 以上的水平，很难达到 90% 以上；
完成 HBM 的前端和后端工艺通常需要 5 个月以上的时间，这比原先预计的 4 个月内完成更为合理。这可能会导致生产效率降低，进一步增加对晶圆的需求；
在英伟达和其他大型生产商的需求推动下，预计下半年甚至到 2025 年的新订单会更为强劲。
</blockquote>
这意味着，想要生产足量的、高质量的 HBM，就需要投入更多 DRAM 晶圆产量。报告表示，这个过程可能需要丢弃超过 30% 的晶圆，高于此前不到 30% 的预期。
<h2>非 HBM 用的 DRAM 供应面临短缺</h2>
同时，美银还指出，这种对 DRAM 晶圆产能的增加需求可能会导致2025 年非 HBM 用的常规 DRAM 出现供应短缺。
公开资料显示，用于 HBM 的 DRAM 设备与商用内存（如 DDR4、DDR5）的典型 DRAM IC 完全不同，不仅要求更高的测试设备数量，在存储体和数据架构上也进行了重新设计。
而用于 HBM 的 DRAM 设备必须具有宽接口，因此它们的物理尺寸更大，也比常规 DRAM IC 更昂贵。据媒体报道，美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 曾表示：
<blockquote>
“HBM3E 芯片的尺寸大约是同等容量 DDR5 的两倍。HBM 产品包括逻辑接口芯片，并且具有更加复杂的封装堆栈，这会影响良品率。因此，HBM3 和 3E 需求将吸收行业晶圆供应的很大一部分。”
“HBM3 和 3E 产量的增加将降低全行业 DRAM 位供应的整体增长，尤其是对非 HBM 产品的供应影响，因为更多产能将被转移到解决 HBM 机会上。”
</blockquote>
而作为 AI 时代的 “新宠”，HBM 的供不应求预计还将持续。高盛也在早些时候发布研报称，预计市场规模将从 2022 年到 2026 年前增长 10 倍（4 年复合年增长率 77%），从 2022 年的 23 亿美元增长至 2026 年的 230 亿美元。

美光科技

美国银行

HBM 需求强劲，可能导致 DRAM 供应短缺。根据美银预测，到 2025 年，非 HBM 用的常规 DRAM 将面临供应短缺。HBM 技术需要更多的 DRAM 晶圆产能，但良品率较低、制造周期较长，预计需要比预测多出 10%-20% 的产能。此外，HBM 的需求越高，DRAM 消耗越大，对晶圆的需求增加，可能丢弃超过 30% 的晶圆。美银指出，这种对 DRAM 产能的增加需求可能会导致 2025 年非 HBM 用的常规 DRAM 供应短缺。

HBM 需求有多强？美银：抢产能可能导致 DRAM 供应短缺