先进微设备公司（NASDAQ: AMD）与 三星电子（OTC: SSNLF）签署了一份合同，为其新的数据中心芯片 MI350 提供价值约 30 亿美元（4 万亿韩元）的 HBM3E（第五代高带宽内存）。
三星电子同意向 AMD 提供 12 层 HBM3E DRAM，计划在今年上半年开始大规模生产。三星于 2 月向客户提供了样品。这项交易价值约 30 亿美元（韩元 4.134 万亿），Viva 100 报道。
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作为交换条件，三星电子将购买 AMD 的图形处理单元（GPU）
供应可能会在下半年开始，与 AMD 计划在那时开始大规模生产芯片的计划相一致。AMD 最初计划在今年下半年发布 MI350，并在明年开始大规模生产，但现已将发布时间提前至第二季度。
Trend Force 报告称，与前代产品 MI300 相比，MI350 的带宽提高了 30% 以上。尽管 AMD 的芯片被认为比同类的 Nvidia Corp（纳斯达克股票代码：NVDA）芯片具有更大的容量，但在带宽方面被认为不及。为了应对这一问题，AMD 选择使用专门设计用于增强带宽的 HBM3E。
这份合同可能会与三星的晶圆代工业务分开进行。
与此同时，SK Hynix 一直是 Nvidia 的主要 HBM 供应商并领先市场。今年四月，SK Hynix 宣布计划在西拉法叶投资 39 亿美元建设先进的芯片封装工厂
印第安纳州，专注于大规模生产 HBM。
最近，英伟达首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）背书三星电子的 HBM3E，表明未来可能会有更多合作关系。
价格走势： AMD 股价上涨了 0.07%，报价$153.86，截至上周五最后一次检查时。
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AMD 已与三星合作，利用先进的内存技术提升其 MI350 数据中心芯片。根据合同，三星将向 AMD 提供价值 30 亿美元的 12 层 HBM3E DRAM，同时也将购买 AMD 的 GPU。这一合作旨在将 MI350 的带宽提高超过 30%，相较于其前身，使 AMD 能够在带宽容量方面与 Nvidia 竞争。GPU 的供应将于下半年开始，与 AMD 的大规模生产计划相一致

AMD 和三星合作，利用先进的内存技术提升 MI350 芯片的性能