作者：周源/华尔街见闻GAI（生成式人工智能技术：Generative Artificial Intelligence）概念股在 A 股表现反复，但产业链上游热度不减。无论是智能设备移动端还是服务器，涉及的多规格 DDR 或 DRAM 仍在全线涨价。华尔街见闻从供应链独家获悉，尽管下半年 DRAM 因 HBM 需求过高占用产能导致供应可能出现短缺，但存储器龙头公司始于 2023 年第三季度多规格 DRAM 价格大幅上涨的趋势将不会延续，“下半年 SK 海力士 DRAM 价格上涨幅度将收敛”，供应链人士对华尔街见闻说。与服务器 DRAM（Standard DDR）需求量相比，HBM 的需求量更大。SK 海力士首席执行官 Kwak No-jeong 在 5 月 2 日的 “AI 半导体愿景与战略” 会上透露，2025 年生产的 HBM 产品已售罄，HBM3E 12-Hi 产品样品将于 6 月发布，今年第三季度开始量产。<h2>DRAM 价格大涨推升巨头业绩</h2>GAI 技术的市场前景目前表现为杀手级应用缺失，但上游存储器价格连续大幅上涨。5 月 2 日消息，TrendForce（集邦咨询）将今年第二季度服务器 DRAM 合约价格预测从最初的 3%-8% 修正为 15%-20%。这标志着自 2023 年第四季度以来连续第三个季度实现两位数百分比增长。今年 4 月，所有产品类别的服务器 DRAM 价格约上涨 10%-20%。本轮 DRAM 价格上涨，最初是因为下游需求增加，但今年以来，中国台湾地区强震影响超过市场需求；此外，供应链人士表示，“HBM 需求量太高，致使行业开始寻求性能替代品，比如 DDR5，价格相对更便宜，能耗更低。”DDR5 DRAM 是一种计算机内存技术。与DDR4内存相比，DDR5 标准性能更强，功耗更低。美光（Micron）科技在英伟达 GTC 2024 大会上展示了最新的 256GB 单条 MCRDIMM DDR5-8800 内存模块，这是目前市场上容量最大的单条内存模块：采用 DDR5 技术，运行速度高达 8800MHz，远超现有的 DDR4 内存模块。美光科技的这款内存模块，主要为了配合英特尔即将推出的新一代 Xeon Scalable Granite Rapids 服务器处理器而设计。英特尔这款服务器搭载的 Granite Rapids 处理器（CPU）采用全新架构，能承载 AI 负载；配置美光这款内存模块的服务器，内存将高达 3T-6T，可轻松实现 GAI 的训练任务。JEDEC 定义了应用广泛的三类 DRAM 标准，以满足各种应用的设计要求：标准 DDR5、移动 DDR（LPDDR）和图形 DDR。根据系统要求，DDR5 以不同的形式被使用在不同的终端中。标准 DDR 面向服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用，支持更宽的通道宽度、更高的密度和不同的形状尺寸。据 TrendForce 预计，HBM3E 在三星电子第 4 代 DRAM 工艺中的份额将从今年的 30% 大幅提升至 2025 年的 70%。三星电子和 SK 海力士在最近的财报中表示，除了 HBM 之外，预计下半年其他 DRAM 产品将出现供应短缺。实际上，DRAM 多个品种的涨幅从去年四季度开始到今年 5 月，已连续上涨 3 个季度，累计涨幅高达 50%-60%。供应链人士告诉华尔街见闻，“像 SK 海力士这种 DRAM 大厂，目前库存仍未能恢复到正常水平，故而海力士下半年 DRAM 价格上涨幅度并不能延续。”DRAM 价格在最近 3 个季度的持续大幅上涨，正在给 DRAM 大厂带来丰厚利润。4 月 30 日，三星电子公布的 2024 年第一季度财报显示，三星电子 2024 年第一季营收为 71.9156 万亿韩元（约合人民币 384.26 亿元），高于上一个季度的 67.78 万亿韩元（约合人民币 362.92 亿元），较 2023 年同期的 63.75 万亿韩元（约合人民币 340.23 亿元）增长 12.82%。三星电子一季度存储业务营收 17.49 万亿韩元（约合人民币 90.73 亿元），环比增长 11%，同比暴涨 96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达 75.58%。SK 海力士今年 3 月财季的营收达到 12.4 万亿韩元（约合人民币 651.7 亿元），高于预期，较上年同期增长 144%，为 2010 年以来最快增速。<h2>海力士台积电联盟再升级</h2>与 HBM 相比，服务器 DDR DARM 的需求量就是小巫见大巫。SK 海力士在 2025 年产的 HBM 新品已售罄，这是 SK 海力士首席执行官 Kwak No-jeong 在 5 月 2 日透露的。更重要的是，Kwak 指出，虽然 AI 产品目前以数据中心（IDC）为中心，但 AI 技术正在迅速蔓延到智能手机、个人电脑、汽车和其他设备。“专门用于 AI 应用的超快、大容量、低功耗存储器的需求将激增”，Kwak 说。SK 海力士基础设施总裁 Kim Ju-seon 指出，“HBM 和大容量 DRAM 模块在 2023 年约占整个内存市场的 5%，预计到 2028 年将占 61%。”为此，SK 海力士准备了包括 eSSD 和 LPDDR5 在内的多类产品组合。eSSD（Enterprise Solid State Drive）是指企业级固态硬盘，这是一种使用闪存作为数据存储介质的存储设备。与传统的机械硬盘（HDD）相比，eSSD 具有更快的数据读写速度、更低的功耗、更小的体积和重量，以及更好的抗震性能。这些特性使得 eSSD 非常适合用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场景，如数据中心、服务器、高性能计算和企业级存储解决方案。与 DRAM 不同，HBM 相当于先由需求方做出产能预订，再由供应方生产，故而没有像 DRAM 那样的库存问题，也不存在产能过剩。在 HBM3 或 HBM3E 代际，SK 海力士是全球无可争议的技术领导者。实际上，海力士正是通过逆势增加对 HBM 的投资，故而在今年一季度（3 月财季）营业利润超越了三星电子约 7 亿美元。此前十年，SK 海力士在存储半导体领域排名第二，之后其抓住 2022 年下半年 AI 热潮带来的机遇，超越三星电子，坐稳了 AI 存储领域的第一宝座。“HBM 技术并不是从天上掉下来的。” Kwak 在 5 月 2 日的新闻发布会上说，“2012 年，当其他公司因内存衰退而削减 10% 的投资时，我们增加了投资，包括前途未卜的 HBM。”到了 HBM4，海力士的技术优势遇到了原先的霸主三星电子强有力的挑战。SK 海力士的对策是提高 HBM 封装技术和做混合键合技术的探索。SK 海力士计划从 2028 年下半年开始在美国印第安纳州的先进封装制造基地开始量产 HBM4，副总裁 Choi Woo-jin 提到，正在讨论该工厂是否会采用类似于台积电 CoWoS 的工艺，涉及 Nvidia（英伟达）、Apple（苹果）等公司应用的先进芯片封装技术，即 2.5D 技术。5 月 2 日，海力士进一步提升了在 HBM 领域的联盟实力。继 4 月与台积电签署谅解备忘录（MOU）以联合开发新一代封装技术之后，海力士在 5 月 2 日宣布，与英伟达和台积电结成战略联盟，旨在与全球系统半导体和代工合作伙伴作为一个团队开发和供应顶级产品。

三星电子

美光科技

DRAM 下半年涨价幅度将放缓，但 HBM 仍难求产能。

赛道 Hyper | DRAM 剧涨价：海力士和三星齐吃饱