郭明錤：英伟达下一代 AI 芯片 R100 有望明年四季度量产 采用台积电 N3 制程

本文作者：赵颖

本文来源：硬 AI

5 月 8 日，天风国际证券分析师郭明錤发布预测更新指出，英伟达下一代 AI 芯片 R 系列/R100 AI 芯片或将在 2025 第四季度量产，系统/机架解决方案预计将在 2026 年上半年量产。

郭明錤指出，R100 将采用台积电的 N3 制程与 CoWoS-L 封装，预计将搭配 8 颗 HBM4。

相比之下，英伟达 3 月新发布的 “最强 AI 芯片”B100 采用 N4P 制程工艺，封装同样采用 CoWoS-L 封装。B100 标志着在短短 8 年内，Nvidia AI 芯片的计算能力实现了提升 1000 倍。

而 GR200 集成系统的 Grace CPU 将采用台积电的 N3 工艺，GH200 和 GB200 的 Grace CPU 采用台积电的 N5 工艺。

此外，R100 采用约 4 倍 reticle 设计（B100 为 3.3x），R100 的中介层（Interposer）尺寸尚未最终确定，有 2-3 种选择。

值得一提的是，耗能改善也为设计重点，郭明錤表示：

英伟达已理解到人工智能服务器的功耗能已成为客户采购和数据中心建设的难题，因此 R 系列的芯片与系统方案，除提升 AI 算力外，还注重改善功耗。

在上一代芯片设计中，与 H100 相比，GB200 的成本和能耗降低了 25 倍，黄仁勋表示，此前训练一个 1.8 万亿参数模型，需要 8000 个 Hopper GPU 并消耗 15 MW 电力。但如今，2000 个 Blackwell GPU 就可以实现这一目标，耗电量仅为 4MW。