报道：三星和 SK 海力士将超过 20% 的 DRAM 产线转换为 HBM 产线

据韩国每日经济报道，全球两大内存芯片制造商三星电子公司和 SK 海力士公司预测，由于人工智能应用对高性能芯片的需求不断增长，2024 年 DRAM 和高带宽内存（HBM）价格将保持坚挺。

为满足市场需求，他们已将超过 20% 的 DRAM 生产线转为 HBM 生产线。这一举措将导致 DRAM 产量减少，而 HBM 芯片的产能增加。

5 月 9 日至 10 日，在由三星证券主办的投资者关系会议上， SK 海力士首席执行官郭能静（Kwak Noh-jung）透露，今年和 2025 年 HBM 芯片订单几乎售罄，显示出高 HBM 芯片需求。一位 SK 海力士官员表示，公司已与客户签订具约束力的 HBM 芯片供应合同，确保供应量和利润率稳定。

据悉，八层 HBM3E 芯片占据主要客户 Nvidia 订单的大部分。尽管 HBM3 价格下跌，但 HBM3E 价格上涨将抵消这一影响，有望维持利润率水平。三星电子官员表示，其 HBM 产出已售罄，而 2025 年 HBM 不会出现供过于求的情况。

此外，三星计划在第二季度开始生产 12 层 HBM3E 芯片，展示其在 HBM3E 市场的领先地位。未来，三星将开发第六代 HBM（HBM4）并于 2026 年量产，采用混合键合技术连接 DRAM 的顶部和底部。

三星内部人士表示，DRAM 价格短期不会下跌，而 SSD 的需求增长也是长期趋势。