TechInsights：突破性技术 台积电最先进的嵌入式 RRAM 芯片 (22ULL eRRAM) 来了

智通财经 APP 获悉，TechInsights 发文称，发现了台积电 22ULL 嵌入式 RRAM(阻电存储器) 芯片，低功耗无线物联网解决方案的领导者 Nordic Semiconductor 推出的突破性 nRF54L SoC 器件采用了台积电的 22ULL 嵌入式 RRAM (eRRAM)。

TechInsights 拆解了 Fanstel EV- BM 15 EV Kit，找到了 Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15 器件。自 2019 年以来，台积电提供了 40 纳米 RRAM 平台，现在的 22 纳米 RRAM 是台积电的第二代 eRRAM。这是业界首个拥有最先进的 22 纳米 CMOS 技术的 RRAM，可与嵌入式 STT-MRAM 相媲美。

eRRAM 内存块密度为 17.5 bit/ µm2，位线方向的 RRAM 层宽度为 170 纳米。RRAM 存储层放置在 metal 3 上。ReRAM 使用电阻作为开关的基础。与 STT-MRAM、FRAM 和 PCM 等其他新兴存储器件一起，ReRAM 是取代嵌入式闪存 (eFlash) 的主要竞争者之一。ReRAM 不受辐射的影响，具有很高的电磁耐受性，并且没有泄漏问题，因为它不是基于电荷的器件。

图 1：ReRAM （RRAM）产品和技术路线图显示台积电22ULL ReRAM