在人工智能浪潮的带动下,两家内存芯片龙头三星和 SK 海力士都在加紧高带宽内存(HBM)芯片的技术投入,争夺这块新兴市场的主导权。 本周二,三星电子任命了新的半导体业务主管郑荣炫,旨在巩固公司在人工智能芯片领域的竞争力。公司在一份声明中指出,郑荣炫在三星内存和电池制造部门拥有丰富的管理经验,具备出任半导体业务主管的资格。 三星还表示,此番人事变动的目的是 “在充满不确定性的全球商业环境下,增强公司的竞争实力”。原半导体业务主管姜杰焕,将转岗负责未来事业部门,专注于发掘新的增长机会以及管理三星先进技术研究所。 目前,三星正在与同为韩国企业的 SK 海力士展开激烈竞争,力求生产出最先进的内存芯片,抢夺 HBM 领域的市场份额。 从规模和市占率来看,三星是内存芯片行业毋庸置疑的龙头老大,SK 海力士排在第二位。但在 HBM 领域,SK 海力士一直保持着领先地位,且是英伟达 HBM3 芯片的独家供应商。不过此前有报道称,英伟达也在考虑将三星纳入 HBM 供应商行列,以应对 SK 海力士产能不足的问题。 晨星股票研究部主管 Kazunori Ito 在本月初的一份报告中表示: 我们预计 2025 年高带宽内存市场的竞争将进一步加剧。在 HBM3 时代,SK 海力士是英伟达的独家供应商,而且我们认为 SK 海力士与三星之间存在几个季度的技术差距。 不过,三星似乎正在迅速缩小这一差距。韩国媒体报道,三星有望在今年二季度内实现最新一代 12 层 HBM3E 芯片的量产,领先于三季度量产 HBM3E 的 SK 海力士。 Kazunori Ito 认为,这表明三星正在快速缩小和 SK 海力士在技术上的差距。他预计,未来三星、SK 海力士和第三大内存芯片厂美光,都有能力英伟达供应 HBM3E,加剧价格竞争。