在人工智能和先进计算需求的强劲推动下，全球半导体巨头正在掀起新一轮大规模投资热潮。近日，业界陆续传出了台积电和 SK 海力士未来数年的巨额投资计划。
台积电方面，周一有媒体援引业界消息报道称，公司 2025 年资本支出有望达到 320 亿至 360 亿美元，同比增长 12.5% 至 14.3%，创下历年次高。这一投资主要用于 2nm 等最先进制程的研发和产能扩充。
韩国 SK 海力士则计划到 2028 年投资高达 748 亿美元，其中 80% 将用于高带宽内存（HBM）芯片的研发和生产。
<h2>2nm 需求超预期，台积电明年资本支出冲高</h2>
业内消息称，因持续加码 2nm 等最先进制程相关研发加上 2nm 后续需求超乎预期强劲，台积电 2025 年资本支出有望达到 320 亿美元至 360 亿美元区间，为历年次高，年增 12.5% 至 14.3%。
据悉，台积电计划在 2025 年实现 2nm 制程量产，量产曲线预计与 3nm 类似。
此前有媒体报道称，为了满足台积电 2nm 制程的量产，设备厂正如火如荼交机，尤其是 EUV 光刻机，预计今明两年共将交付超过 60 台 EUV，总投资金额超过 4000 亿元（约合 550 亿美元）。
客户方面，值得注意的是，除了苹果公司率先预定首批 2nm 产能外，其他非苹果客户也因 AI 需求旺盛而积极采用该技术。
对该传闻，台积电不做评论，并重申了有关资本支出和 2nm 技术的进展，以 4 月法说会内容为主。
当时，台积电强调，资本支出和产能规划是基于长期的结构性市场需求。2024 年资本支出预计将介于 280 亿至 320 亿美元之间。
报道还称，台积电正在按计划扩大先进制程的产能：
其台南 3nm 工厂将于今年第三季度进入量产阶段，明年 P8 工厂也将陆续导入 EUV 光刻机。与此同时，新竹宝山 2nm 工厂在未来三年将保持 EUV 设备的强劲拉货动能，高雄 2nm 工厂的建设也在同步进行中。
<h2>SK 海力士：向 HBM 投资 600 亿美元</h2>
全球第二大内存芯片制造商韩国 SK 海力士公司公布了雄心勃勃的投资计划。
周日，SK 海力士宣布，计划到 2028 年投资高达 103 万亿韩元（约合 748 亿美元），其中 80%（约为 600 亿美元）将用于 HBM 芯片的研发和生产。
SK 海力士在 HBM 技术领域一直处于领先地位，今年 3 月，SK 海力士开始大规模量产 HBM3E 芯片，并将下一代 HBM4 芯片的量产时间提前到 2025 年。
作为 SK 海力士押注 AI 的一部分，SK 电信公司和 SK 宽带公司还将在数据中心业务上投资 3.4 万亿韩元，进一步完善集团的 AI 生态系统。
虽然这是 SK 海力士首次披露到 2028 年的投资计划，但 SK 海力士今年已宣布了一系列投资计划，包括在美国印第安纳州投资 38.7 亿美元建设先进封装工厂和 AI 产品研究中心，并在韩国本土投资 146 亿美元建设新的内存芯片综合体。
鉴于蓬勃增长的 AI 芯片需求，SK 海力士计划，到 2026 年通过运营和业务改革创造 80 万亿韩元的收入。
此外，SK 海力士计划在三年内确保 30 万亿韩元的自由现金流，以将其债务权益比控制在 100% 以下。尽管去年集团亏损 10 万亿韩元，但预计今年的税前利润将达到 22 万亿韩元，并计划在 2026 年将这一数字提高到 40 万亿韩元。

台积电

台积电 2025 年资本支出有望达到 360 亿美元并创下历年次高，主要用于 2nm 等最先进制程的研发和产能扩充。韩国 SK 海力士公司则计划到 2028 年投资高达 748 亿美元，其中 80% 将用于 HBM 芯片的研发和生产。

- 受人工智能和先进计算需求推动，全球半导体巨头展开新一轮大规模投资热潮。
- 台积电计划到 2025 年资本支出达 320 亿至 360 亿美元，主要用于 2nm 制程研发和产能扩充。
- SK 海力士计划到 2028 年投资高达 748 亿美元，其中 80% 用于 HBM 芯片的研发和生产。

芯片产业链资本开支凶猛！台积电、海力士大手笔扩产