出货增长 + 涨价，野村预测存储下半年表现更好

DRAM 和 NAND 还要再涨价 10%

本文作者：申思琦

来源：硬 AI

市场都在说 HBM 供不应求，同时带动传统 DRAM 和 NAND 进一步涨价。

那么以韩国为代表的存储市场，2 季度到底表现如何，3 季度会增长多少？

野村在昨天的报告中做了简要叙述。

2 季度出货环比 1%，6 月环比增幅明显

2 季度韩国半导体公司的内存收入将同比增长 137%，环比增长 29%，部分原因是美元兑韩元的升值（美元/韩元汇率在 2Q24 中分别同比上涨 9% 和环比上涨 4%）。

2 季度内存出货量同比增长约 10%，环比增长 1%，DRAM 和 NAND 价格均上涨约 20%。

具体而言，6 月份内存出口同比增长 29%，环比增长 85% 至 88 亿美元，推动 2Q 内存出口达 215 亿美元（环比增长 14%，同比增长 94%）。

对于 3 季度，野村进一步预计韩国内存收入将同比增长 31%，环比继续增长，主要由 HBM 产能扩张和商品价格上涨推动。

重点是，野村预计韩国半导体公司的盈利能力将在 2024 年下半年显著提高。同时由于 HBM 产能扩张和强劲需求，DRAM 和 NAND 的商品价格上涨 10%。

昨日的AI 脱水中，硬 AI 指出了 SK Hynix 宣布了将投资 103 万亿韩元（约合 747 亿美元），计划在 2028 年之前进一步加强其面向人工智能存储芯片业务。

其中约 80%（即 82 万亿韩元）的投资将用于发展高带宽內存（HBM）芯片，以推动与 AI 芯片发展的配合。

野村在报告中给出了韩国半导体企业不同产品，不同工艺下的资本开支情况。具体来看：

不同技术节点（Tech node）下，DRAM、NAND 和晶圆代工每新增 1 万片产能所需的资本支出金额：

注：3D NAND的单位是 “层”（L），DRAM的单位是 “纳米”（nm），y z A 分别代表第二、三、四代 10nm 工艺节点。

此前的业绩会上，公司还强调将在今年推出基于 10 纳米工艺的 32Gb DDR5 产品，这是第五代 10 纳米（1bnm）技术，以加强其在高容量服务器 DRAM 市场的领导地位。