作者:周源/华尔街见闻三星电子终于松了一口气。7 月 18 日,华尔街见闻从供应链独家获悉,三星电子 HBM3E 已通过英伟达测试。这是三星电子自今年年初至今,先后四次或成立、或改组既有半导体业务团队为专门的 HBM 小组,集中力量攻坚 HBM 技术,誓要拿下 “英伟达 AI 加速卡” HBM 供应商资格的重大成果。7 月 16 日,中国台湾供应链有消息称,三星电子之前要求其合作伙伴拨出与 HBM3E 供应有关的产能准备。集邦咨询也有消息称,三星电子供应链已转动起来,有望今年第 3 季度开始向英伟达出货。7 月 31 日,三星将举行财务报告会议。业界预期,三星极有可能在那时会公告通过英伟达 HBM 认证的消息。三星电子为了通过英伟达测试,也想重新夺回 HBM 技术和市场份额优势,在 2024 年 1-7 月,先后四次调整半导体业务线,为这项目标开辟道路。最近一次是在今年 7 月 4 日,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门做了改组,新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM 设计专家孙永洙(Son Young-Soo)担任该研发组组长,带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。同时,三星电子还重组了先进封装(AVP)团队和设备技术实验所,以提升整体技术竞争力。这是继 5 月全永铉(Young Hyun Jun)代替庆桂显(Kyung Kye-hyun)担任 DS 部门负责人后的又一次大规模组织结构调整。三星电子 DS 部门,即设备解决方案部门,主要负责存储、系统、晶圆代工的半导体相关业务。其中,存储业务涵盖 DRAM 内存和 NAND 闪存的开发、制造和战略营销;系统 LSI 业务包括系统级芯片设计、制造和销售;晶圆代工业务为其他公司制造半导体芯片。这个部门在三星电子的半导体业务中扮演着关键角色,致力于推动技术创新和业务发展。全永铉(Jun Young-hyun)最早于 2000 年加入三星电子的内存芯片业务团队。2014 至 2017 年期间,全永铉担任 DRAM 和内存芯片开发业务负责人。之后,全永铉转任三星电池制造商三星 SDI 的首席执行官,负责电池业务。孙永洙负责的 HBM 小组称为 “HBM 开发团队”,取代之前包括 “HBM 产能质量提升团队” 在内的两个专门的 HBM 技术团队,集中技术力量和内部资源攻坚 HBM3E 和 HBM4 的技术开发工作,以此在 HBM 业务范围内追赶领先者 SK 海力士。看起来孙永洙的工作卓有成效,在他领导的 “HBM 开发团队” 成立仅两周(14 天),或者更早,三星电子 HBM3E 就通过了英伟达技术测试。值得一提的是,三星电子在 HBM4(第六代)产品中用自家的 4nm 制程工艺制造逻辑芯片。目前,三星电子 4nm 工艺制程的良品率已超 70%。HBM 的逻辑芯片,即 Logic Die,SK 海力士口径是基础裸片 Base Die,美光科技则用接口芯片 Interface Die 概称。上图图示为美光科技 HBM3E 微观物理结构图。其中,DRAM Die 为 HBM 内存提供内存容量;Interface Die(即 Logic Die)是 DRAM 堆栈的控制单元,也负责通过互连层与处理器的内存接口通信。因此, Logic Die 是 HBM 内存的重要组成部分。由于 HBM4 的逻辑芯片需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽和承载部分客户定制功能,因此存储厂商开始选择与逻辑晶圆厂合作,用逻辑半导体工艺生产 HBM4 的逻辑芯片。SK 海力士的 HBM4 逻辑芯片,此前有消息传出,其将采用台积电 7nm 工艺制程。最近,业界有消息称,SK 海力士的 HBM4,将用台积电 5nm 工艺制程替换此前的 7nm 工艺。据美光科技财报显示,HBM3E 在同一技术节点中生产给定数量,所消耗的晶圆供应量大约是 DDR5 的三倍。因此,三星电子将从 DDR5 产能中调拨约 30% 的比重,专项生产 HBM。但此则消息未获三星电子官方确认。尽管如此,业界仍相信这则消息的可靠性。鉴于三星电子是全球 DRAM 龙头,市占率高达 45%,若其调拨 30% 的 DRAM 产能给予 HBM,则会削减约 13% 的 DRAM 全球供应量,故而 DRAM 供应缺口甚至比 HBM 更大,价格也会继续上扬。