智通财经 APP 获悉，三星电子（SSNLF.US）在开发对人工智能市场至关重要的存储芯片方面遭遇一系列挫折后，开始在缩小与竞争对手 SK 海力士的差距方面取得进展。据知情人士透露，这包括赢得了人工智能巨头英伟达 (NVDA.US) 期待已久的一款名为 HBM3 的高带宽存储芯片的批准，此外，该公司还预计下一代 HBM3E 将在两到四个月内获得批准。在历经几个月挫折之后，三星终获进展，此前该巨头曾经历开发失误、规模较小的 SK 海力士在行业中脱颖而出并取得巨大领先地位。从历史上看，凭借其规模和工程专业知识，韩国最大的公司三星一直是内存芯片市场领导者，却不寻常地被 SK 海力士迎头赶了上来。此外，鉴于该公司在 HBM 领域举步维艰，三星在 5 月采取了极不寻常的举措，更换了半导体部门负责人。Tirias Research 分析师吉姆·麦格雷戈 (Jim McGregor) 表示，“我们从未见过三星处于这种境地，业界和英伟达比任何人都更需要三星，但他们需要三星全力以赴。”三星拒绝对任何具体的合作伙伴发表评论，但表示总体而言，公司正与客户密切合作，当前测试进展顺利。三星电子此次取得的成果很可能是为将人工智能产品需求资本化。据摩根士丹利称，HBM 市场预计将从去年的 40 亿美元增至 2027 年的 710 亿美元。三星越快得到人工智能加速器领导者英伟达的支持，便能从这一热潮中获得越多收入。摩根士丹利分析师 Shawn Kim 和 Duan Liu 在本月的一份研究报告中写道，“投资者对三星的看法可能很快就会改变，情况正在迅速改善。”这两位分析师在报告中将三星列为首选股票，他们认为，到 2025 年，三星的 HBM 市场份额至少会增加 10%，收入将增加约 40 亿美元。尽管在该领域仍将落后于 SK 海力士，但这一进展可能会改变投资者的看法，股价也将随之提振。三星将于本周三公布第二季度财报，届时其 HBM 战略可能面临质疑。目前尚不清楚该公司将提供多少细节。不过，虽然三星似乎有望在 11 月之前获得英伟达的批准，但该公司仍在努力解决某些问题，鉴于人工智能芯片的复杂性，结果难以预测。知情人士说，其时间表有可能会滑到 2025 年。三星落后于同行发生在该公司一个不同寻常的时期。执行董事长李在镕 (Jay Y.Lee) 花了数年时间与检方就贿赂和腐败指控展开斗争，与此同时，公司高层并未将 HBM 视为优先事项。事实上，在 OpenAI 于 2022 年底推出 ChatGPT 并引发对英伟达芯片的狂热需求以训练 AI 模型前，市场一直处在巨大的不确定性中。虽然 SK 海力士已经准备好迎接井喷的需求，但三星仍在努力解决新芯片的复杂工程问题。HBM 是由一组堆叠在一起的 DRAM 芯片组成的，最新一代是 8 个 (每一层都会产生大量的热量)，随后则被装入英伟达的图形处理单元 (GPU)。GPU 本身可达到 100 摄氏度，如果没有适当的散热和冷却材料，整个堆栈将面临熔化的风险。Bloomberg Intelligence 分析师杰克·西尔弗曼 (Jake Silverman) 表示:“随着这些层数的增加，开发合理产量将变得更加困难。问题在于散热：运行发热是因为这是堆叠的 DRAM，它非常接近 GPU，而 GPU 的运行温度更高。”一位不愿透露姓名的知情人士称，三星在解决这种所谓的热耦合问题上遇到了麻烦。今年 5 月，该公司采取了戏剧性的行动：宣布半导体部门负责人 Kyung Kye-hyun 将离职，由 Jun Young-hyun 接替他的位置。Jun 于 2000 年加入三星，并帮助开发了 DRAM 和闪存芯片。现年 63 岁的他召开了一系列会议，探讨技术细节，致力于找到问题的根本原因。据一位知情人士透露，在一次持续数小时不间断的会议上，他哀叹 HBM 可能是一个更广泛问题的一部分。然而，不仅在内存芯片技术上具有落后的风险，三星在创新的紧迫性方面也有可能落后。为促进合作，他重组了专注于 HBM 的团队，并任命了一位新负责人。三星使用一种称为热压缩不导电膜 (TC-NCF) 的热管理策略来隔离 DRAM 的每一层。而 SK 海力士则率先开发出了改善散热和产量的替代方案。然而，三星选择坚持使用 TC-NCF 并对其进行改进，并未选择其他方式。一位公司发言人表示，TC-NCF 是一项 “经过验证的技术”，将用于未来的产品中。知情人士说，最终，该公司修改了 HBM 的设计，以解决热量和电力消耗问题。这使得 HBM3 获得了英伟达的批准。三星表示，Jun 自上任以来，一直将公司集体商议和坚持解决问题的文化放在首位。该公司补充说，“我们的 HBM 产品没有与热量和电力消耗相关问题”，也没有针对特定客户 “进行设计更改”。三星的 “救命稻草” 可能在于，人工智能大部分增长都在未来。微软 (MSFT.US)、谷歌母公司 Alphabet(GOOGL.US)、亚马逊 (AMZN.US)、苹果 (AAPL.US) 和 Meta Platforms(META.US) 等科技巨头都在斥巨资以发展自身能力。根据三星季度报告的细节，该公司从去年下半年开始生产 HBM3 芯片。像谷歌这样自己设计芯片功能的公司，预计在今年的大部分时间里将继续使用 HBM3。三星已开始向英伟达供应 HBM3，用于其 H20 芯片，这是一款为中国定制的产品，以满足美国的出口管制。至于 HBM3E，因为英伟达将 SK 海力士芯片与自己的 H200 芯片配对，该技术今年首次进入市场。Sanford C. Bernstein 分析师在 7 月份的一份报告中表示，到 2025 年，英伟达几乎所有的产品都将继续使用 HBM3E，而其芯片竞争对手甚至在 2026 年也将继续使用。以马克·李 (Mark Li) 为首的分析师写道:“三星姗姗来迟，但 HBM3E 的窗口仍将为尽力追赶的三星所保留。”美光科技 (MU.US) 今年早些时候宣布，英伟达已批准将其 HBM3E 芯片用于该公司的人工智能设备。在规模上历来落后于韩国竞争对手的美光，如今声称在一些内存制造和产品推出领域处于领先地位，这进一步表明三星的主导地位正在受到侵蚀。然而，三星拥有的一个显著优势是其财务资源和生产能力。一旦达到英伟达的批准标准，三星便能迅速提升产量，解决阻碍英伟达和其他人工智能倡导者的短缺问题。Bloomberg Intelligence 的 Silverman 表示，“美光和海力士还没有能力支撑整个市场，” 他补充说，英伟达首席执行官黄仁勋 “希望鼓励他们”，因为英伟达需要更多供给。SK 海力士并没有放弃，更是罕见地从其知名度更高的竞争对手那里抢占了风头，自 2023 年初以来，该公司股价飙升了 150% 以上，是三星股价表现的三倍多。SK 海力士上周表示，目前正加快 HBM3E 产品的生产，以期实现超 300% 的增长。该公司还表示，计划于本季度量产下一代 12 层 HBM3E 芯片，并在第四季度开始向一家客户供货，这或许表明英伟达的认证即将到来。与此同时，在 Jun 的领导下，三星正在取得进步。它开发了自己的 12 层 HBM3E 技术，并正在努力获得英伟达对这一代芯片以及 8 层 HBM3E 的批准。这也是未来市场前景的一个迹象。摩根士丹利的分析师写道:“据我们估计，到 2027 年，这将是一个价值 710 亿美元的营收机会，而且还在不断增长，这在两年前是不存在的。对三星来说，关键的争论在于，它能否成为英伟达之后强有力的第二供应商。”

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三星电子在缩小与竞争对手 SK 海力士的差距方面取得进展，赢得了英伟达期待已久的一款高带宽存储芯片的批准。三星此举有望从人工智能市场中获得更多收入，并改变投资者对其的看法。摩根士丹利分析师认为，三星的情况正在迅速改善，将其列为首选股票。

- 三星电子在人工智能市场存储芯片开发中取得进展，赢得了英伟达期待的 HBM3 批准，预计下一代 HBM3E 也将获批。  
- 三星历经挫折，SK 海力士脱颖而出，但三星仍努力缩小差距，更换半导体部门负责人以解决问题。  
- 三星的进展可能改变投资者看法，预计 HBM 市场将增至 2027 年的 710 亿美元，英伟达支持将带来更多收入。

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