智通财经 APP 获悉，三星 (SSNLF.US) 对有关英伟达 (NVDA.US) 测试其高带宽存储芯片 (HBM) 的媒体报道再度做出了回应，表示测试正在 “按计划” 进行。 三星的一名发言人通过电子邮件表示：“三星电子正在通过与各客户的密切合作优化我们的产品，并按计划进行测试。”上周有报道称，英伟达已批准三星的 8 层 HBM3E 芯片用于其人工智能处理器。但随后三星回应称，这和事实相距甚远，“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的”。HBM 是一种动态随机存取存储器 (DRAM) 标准，通过垂直堆叠芯片以节省空间和降低能耗，是人工智能 GPU 的关键组件，有助于处理复杂应用程序产生的大量数据。 HBM3 是目前新一代人工智能 GPU 中最常用的第四代 HBM 技术标准，HBM3E 芯片则使用第五代 HBM 标准。全球 HBM 芯片市场由 SK 海力士、三星主导，其次是美国芯片制造商美光科技 (MU.US)。上个月，英伟达首席执行官黄仁勋表示，该公司正在评估美光和三星的 HBM 芯片，以确定它们是否能与 SK 海力士竞争。

三星电子

三星回应英伟达 HBM3E 芯片报道，表示测试正在 “按计划” 进行。HBM 是人工智能 GPU 的关键组件，有助于处理大量数据。HBM3E 芯片使用第五代 HBM 标准。全球 HBM 芯片市场由 SK 海力士、三星主导。英伟达正在评估三星的 HBM 芯片，以确定是否能与 SK 海力士竞争。

- 三星对英伟达测试其高带宽存储芯片的报道做出回应，称测试正在 “按计划” 进行。
- 三星发言人表示正在优化产品并与客户合作，但否认英伟达已批准其 HBM3E 芯片用于人工智能处理器。
- HBM 是人工智能 GPU 关键组件，HBM3 是新一代 GPU 中常用的第四代技术，HBM3E 则使用第五代标准，市场由 SK 海力士、三星主导。

三星再度回应英伟达 HBM3E 芯片报道：测试正在 “按计划” 进行