作者：周源/华尔街见闻
尽管英伟达股价已从 6 月 20 日的高点跌了近 20%（截至 8 月 12 日），但 HBM（高带宽内存）却仍在告急。
8 月 13 日，华尔街见闻从供应链独家获悉，SK 海力士已将其 DDR5（DRAM）提价 15%-20%。供应链人士告诉华尔街见闻，海力士 DDR5 涨价，主要是因为被 HBM3/3E 产能挤占所致。同时，由于下游 AI 服务器加单，也推升了 SK 海力士决定提高 DDR5 价格的决心。
今年 5 月，SK 海力士曾对外宣布，他们家 2024 年和 2025 年大部分 HBM（High Bandwidth Memory）产能供应已被预定一空。美光科技在今年 3 月份也发布过类似声明。
最近，据 TrendForce（集邦咨询）预测，2024 年，HBM 在整个内存市场的份额将有约 2.5 倍的增长：也就是从 2023 年的 2% 增至今年的 5%。预计到 2025 年，HBM 的市场渗透率将占整个内存市场的约 10%。
简单回顾下 HBM 在英伟达 AI 加速卡中的作用：AI 加速卡（显卡或 GPU）在封装时，将多个 HBM（DARM）与 GPU 封装在一起。
其中，HBM 位于 GPU 两侧，以堆叠方式排列，这些 HBM 相互之间以 TSV 方式连接，而 GPU 和 HBM 则通过 uBump 和 Interposer（起互联功能的硅片）连通；之后，Interposer 再通过 Bump 和 Substrate（封装基板）连通到 BALL；最 BGA BALL 连接到 PCB 上。
HBM 比 GDDR 节省约 94% 的表面积，每瓦带宽比 GDDR5 高 300%+，也就是功耗降低 3 倍。
这种存储器最初的设计目的，是为 GPU 提供更快速的数据传输速度和大容量的内存空间。在 AI 加速卡出现之前，HBM 的强悍性能缺乏必要的匹配场景，故而没有市场。在 ChatGPT-3.5 出现后，AI 训练和推理速度需求爆发，HBM 也找到了适合的市场空间。
由于此次兴起的 AI 技术对数据传输速率有着极高要求，故而 HBM 具有的内存高带宽技术特性也成为了 “香饽饽”，加上封装时采用的异构集成路线（在减少物理空间占用的同时，也方便在更靠近处理器的位置包含更多内存），大幅提高了内存访问速率。
在采用了这些技术手段之后，导致的直接结果就是 HBM 内存接口更宽，下方互联的触点数量远多于 DDR 内存连接到 CPU 的线路数量。因此，与传统内存技术相比，HBM 具有更高带宽、更多 I/O 数量、更低功耗和更小的物理尺寸。
目前，HBM 发展到了第五代的 HBM3E；此前为 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）和 HBM3（第四代）。第六代的 HBM4 正在研发中，从 SK 海力士传出的消息，该公司将在 2025 年下半年实现 HBM4 的量产，三星电子却宣称其将领先一步，于 2025 年上半年推出 HBM4。
HBM3E 的速率为 8Gbps：每秒能处理 1.225TB 数据。举个例子：在 1 秒不到的时间内，就能下载一部 163 分钟的全高清（Full-HD）电影（1TB）。三星电子已推出 12 层堆栈的 HBM3E，存储容量高达 36GB。SK 海力士和美光科技也有同类产品，带宽都超过了 1TB/s。
在全球范围内，能生产这种存储器的公司只有 SK 海力士、三星电子和美光科技。市占率方面，SK 海力士目前占据最大份额约 52.5%，三星电子约有 42.4% 市占率，美光科技份额为 5.1%。
回到市场本身，据 TrendForce 预测，HBM 在今年，市场价值会占 DRAM 总市场价值的 20%+，2025 年将蹿升至 30%+。
AI 浪潮对 AI 加速卡的需求量，并没有因为英伟达最新产品 Blackwell 的延迟推出而减弱。
作为本轮 AI 浪潮兴起的最大受益方 SK 海力士，因为 HBM 产能的市场需求爆棚而不得不去减少 DDR5 的产能，原因是因为新的 HBM 生产线要求远超标准 DRAM，故而需要更多时间。
另外有个消息也不乐观，除了英伟达 AI 加速卡对 HBM 有极强的吞噬力，AMD 的 Versal 系列 FPGA 处理器也使用 HBM，所以这种高性能内存产品会更进一步短缺。

HBM 产能供应吃紧，AI 服务器正在加单。

- 尽管英伟达股价下跌近 20%，HBM 仍面临挑战。
- SK 海力士提高 DDR5 价格，因 HBM3/3E 产能挤占，AI 服务器需求增加。
- HBM 市场份额预计 2025 年将达 10%，SK 海力士、三星电子和美光科技是主要生产商。

赛道 Hyper | SK 海力士 DDR5 提价 15%-20%