自从改名后，碳化硅龙头快不行了？

昨天晚上朱晶老师，在朋友圈发了一段话。

她说：全网竟然没有找到几篇分析 Wolfspeed 今时今日跌下神坛的文章……那我真的要想到玄学了，他们确实是 21 年底从 Cree 改名 Wolfspeed 后市值一直往下掉，掉到原来的 2 折……

听起来很残酷，但是朱老师确实是句句大实话，我看了一眼，现在 Wolfspeed 的市值只剩 17 亿多美金，3 年前最高峰的时候是 120 多亿，差不多就真的只剩两折了……

今天我还刷到一篇文章，叫《一手好牌打的稀烂：碳化硅晶圆巨头 Wolfspeed 濒临破产》。

当然了，标题稍微夸张了一点，破产短期内不至于，但是长期来看，还真不好说！

不过原作者只是列举了 Wolfspeed 的财务数据，比如 2024 年的 Q4 营收 2 亿美金，略不及预期，亏损高达 1.74 亿美金，每股亏 1.39 美金，超远预期的 85 美分，全年亏损达到了 8.6 亿美金，是整个费城半导体指数里表现最差的公司，累计下跌 69%。

说的都对，但是少了一点对于历史的总结和未来的判断，以及自己独特见解，启哥和别人最大的不同之处，就是我有我自己的思考，而且我能把我的思考过程和结论给你们整出来，今天就来聊聊 Wolfspeed，它怎么就不行了？

起底 Wolfspeed 的历史

三年前，还是炙手可热的明星公司，碳化硅全球范围内的龙头公司，怎么短短两三年时间内就跌的裤衩都不剩？不知道的还以为是我大 A 的公司，当然了，二级市场的股价不能说明一切，也不能代表未来，AMD 当年还有至暗时刻呢，后面还不是凤凰涅槃，王者归来，一脚踩爆牙膏？

但是短期内这种看不到尽头的一路下跌，还是很能说明一些问题的，毕竟资本市场用钱投票，这么跌肯定是有什么不对劲的地方。所以到底是碳化硅这个赛道不行了，还是仅仅是 Wolfspeed 不行了？还是有其他原因？

首先我们了解一下 Wolfspeed，Wolfspeed 前身叫 Cree，是一家成立于 1987 年的美国公司，1993 年在纳斯达克上市。在以前，它也是全球最早做 LED 的公司。

在以前蓝宝石上长氮化镓的技术不成熟，所以早期 LED，特别是大功率的 LED 的衬底材料用的是碳化硅，因为碳化硅和氮化镓的晶格适配性比较好，达到 95%，所以长出来的氮化镓的外延层质量好所以就拿来做 LED。

Cree 的业务主要就是做碳化硅衬底，然后长氮化镓外延层，卖 LED，做到后面就变成了我们看到的碳化硅全球龙头！

在 2017 年的时候，全球功率半导体龙头企业英飞凌曾经开价 8.5 亿美金，收购 Cree 旗下公司 Wolfspeed Power&RF 部门，但是没想到因为反垄断的审查的原因被美国否了。有意思的来了，反过来英飞凌把自己旗下和 RF 相关的部分业务卖给了 Wolfspeed，于是 Wolfspeed 在一定程度上变成了全球化合物半导体应用领域的最强的公司。

在 2021 年，Cree 为了彰显自己转型的决心，不仅剥离了原来占比三分之二的 LED 业务，同时把自己母公司的名字从 Cree 改成 Wolfspeed。

于是 Creed 摇身一变，从一个 LED 公司，逐渐演化成化合物半导体行业的龙头公司，业务包括化合物材料制造，以及功率，射频等方面的器件生产，设计和应用。

不得不说，在以前 Cree 在碳化硅行业深耕超过 30 年还是有很深厚的底蕴，不过在以前这家公司一直是不温不火，反正每隔 5，6 年就有行业大佬出来喊碳化硅的时代马上就要到来了，和现在喊硅光时代马上就要到来了，差不多，涨一波然后就偃旗息鼓，没下文了。

不过，一切的转折点出现在 2018 年。

这一年，特斯拉在其电动汽车上首次尝试了用碳化硅功率模块来替代传统的硅功率模块，于是碳化硅跟着电动汽车产业瞬间火爆起来，也带火了当年的 Cree。

自此碳化硅结束了叫好不叫座的局面，电动汽车给碳化硅这种材料找到了一绝佳应用场景，切切实实的打开了碳化硅实际应用。

在以前碳化硅仅仅是很小众的产品，除了极少数大功率的射频，功率，军工相关，基本是看不到碳化硅有什么实际产品的应用的，但是特斯拉的这一举动直接颠覆了行业。

大家发现，碳化硅不仅功率密度大，同时它的耐高压能力，过大电流能力，以及高温性能都特别优秀，同时又有减轻重量，减少体积，减少周边配件优点，完美适配内部空间寸土寸金的电动汽车，同时虽然碳化硅价格昂贵，但是整车价值高，是能承受碳化硅的这一高价，商业逻辑完全打通！

于是在电动汽车上，碳化硅终于找到了自己最佳应用场景，并迅速火爆，当年碳化硅产能极其有限，Cree 作为全世界范围内碳化硅衬底片，外延片最大的供应商，直接原地起飞！

来自中国同行的压迫感

不能说现在 Wolfspeed 这副惨状完全和中国同行没关系，但是多少还点关系，没办法中国同行不要命的杀价打法，把 Wolfspeed 卷的哭爹喊娘。

十年前，2014 年当年诺贝尔物理学家颁发给了三位在蓝光 LED 行业做出卓越贡献的大佬，赤崎勇，天野浩，中村修二。

那些年，随着 LED 行业概念的大火，带火了一波 LED 公司股价，比如三安光电，在经历过 2015 年股灾后，到 2017 年，股价依然还能屡创新高，涨幅超过 200%。

所有人都沉浸在资本狂欢之中，只可惜大家都忘记了那句话。

“在中国人眼里，技术掌握之后就一定被干成白菜价，中国同行才叫同行，国外的都不算。”

LED 界的摩尔定律——海兹定律

和著名的 “摩尔定律” 一样，LED 也有自己的行业发展规律，被称为 “海兹定律”，即 LED 的价格每 10 年降为原来的 1/10，输出流明则增加 20 倍。

因此 LED 发展的两大要素是价格、性能，最终实现 LED 整体性价比的提升。不过令人失望的是，中国不顾一切地非理性杀价，令 LED 失去了方向。

2015 年，大尺寸蓝宝石的长晶技术、图形衬底 PSS 技术、溅射透明导电层的技术优化、反射电极结构优化，半导体自动化设备、以及 MOCVD 设备导入，LED 产业重心慢慢转移到大陆。

2014 年 Cree 宣布做出 303 流明瓦的技术之后，欧美日韩台的企业基本就没声音了，只剩中国大陆公司，而中国大陆对海兹定律贡献，几乎就是以牺牲利润为主，通过不断的杀价，来延长，而非像集成电路行业的摩尔定律那样，是由技术来主导行业发展前行。

以前老外形容中国是 “价格屠夫”，但凡中国人会的东西，到最后一定是白菜价，从钢铁到玻璃、电解铝，多晶硅、光伏等行业，一个个都变成产能过剩行业，这次轮到 LED 了。

中国大陆的技术上投入不多，但是在降成本上可以说花了很大的力气。硅胶国产化导致胶水成本的急速降低；为了让 LED 更亮，大胆的老板不管 LED 寿命好不好用大电流过载来驱动灯珠，强行让器件的电流密度高三倍；合金线，镀钯铜线的替代让成本又降低了一定的比例。

有几家知名公司，为了突破正装极限，用料检验标准竟然以电流与面积比来测试，10mil*30mil 面积的芯片测试电流 300 毫安，如果电压大于 3.4 伏特就是不合格，这样的要求正装芯片是很难达到的，它需要牺牲外延的结构来满足，但是导致缺陷会更严重，所以这些公司的灯珠质量越来越差，价格越卖越烂，只能用产量来维持地位。

同样除了 LED 之外，LED 产业链上下游，也是不断扩产，试图使用一轮轮的价格战逼死竞争对手，自从 2012 年后中国掌握大尺寸蓝宝石长晶技术后，4 英寸价格一路从上百元一路下滑到现在如今 20 块一片，还不如一包老子的利群烟的价格。MOCVD 当初高达 2000 多万的设备，国产硬是做到低于 800 万一台，相当于打了 4 折扣。

于是老外感叹：世界上没有什么产业是中国人补贴搞不定的， 如果不行，那再加个零。

如果从行业角度而言，显然中国这样通过补贴，把一个高利润的行业，活活砸成白菜价是不合适的。但是对整个社会而言，虽然补贴烧掉很多钱，但是 LED 被大量普及，普通家庭用的 LED 替代白炽灯节省的能源，还是相当可观的，只是这一过程中，中国厂家只贡献了低成本，技术并没有多大提高。

补贴烧掉的钱是否是值得的，每个人都有自己的看法，洒家并不是太认可这一做法，至少我认为烧过头了。

讲道理，现在国内半导体行业也有过渡补贴的情况发生，历史一直在重演而已。

过于激烈的竞争，导致目前行业生存太艰难，2018 后，很多中小公司已经消失，剩下的大公司日子也不太好过，别说国内了，国际巨头也抽身上岸纷纷剥离通用照明业务，包括今天聊的 Wolfspeed，它顶不住压力于是也把 LED 业务剥离了。

于是 Wolfspeed 走上转型道路，从碳化硅，氮化镓这种化合物半导体行业应用出发，从简单的 LED， 转型功率和射频。

碳化硅的 68 英寸之争

2022 年 4 月 25 日，Wolspeed 宣布位于美国纽约州莫霍克谷的 8 英寸 SiC 制造工厂正式开业。这座工厂是全球首座且最大的 8 英寸 SiC 工厂，旨在满足对 SiC 器件急剧增长的需求，特别是在汽车和工业应用中。

也就是说 2 年前 Wolfspeed 开始宣布进入 8 英寸碳化硅时代，并且投入十多亿美金的重金，基本属于孤注一掷，不成功便成仁了。

自此碳化硅的 6/8 英寸之争摆上台面，到底是干 6 英寸，还是直接干 8 英寸？6 英寸材料公司和 FAB 线会不会被淘汰，什么时候被淘汰？

确实国外大厂包括 Wolfspeed，英飞凌，安森美，X-FAB，搞碳化硅产线的清一色 8 英寸起步。

6 英寸到底还剩多少寿命，8 英寸有多大前景呢？

这个问题要这么看。启哥，始终秉持一条原则，商业的要按商业的规律来，成本始终要摆在最重要的一条去梳理产业逻辑。

为什么现在国内多 6 英寸，而国外多上 8 英寸呢？

这个问题在和澎芯计老师那次直播中，计老师其实已经说的很明白了。

国内之所以还在搞 6 英寸碳化硅 FAB，是因为国内还有很多 6 英寸硅线资源，至少还有不少设备和碳化硅和硅是具备通用性的，比如光刻机尼康的 i11，i14 这种，量大管够，但是你要找一台 8 英寸光刻机，这就非常困难了，同理清洗，量测，沉积等设备，总之 6 英寸硅线设备资源异常丰富，8 英寸的设备就稀缺多了。

虽然碳化硅还有自己专用的设备比如外延，刻蚀，注入，退火，PVD 等，必须上新设备，且国外大厂都是直接上 8 英寸的，6 英寸都是过渡型，实验型设备，但是有些东西还是可以通过魔改硅设备降成本，你先别管它魔改 6 英寸设备到底和全新 8 英寸设备的效率差多少，良率差多少，只要能用，能流片，用起来再说！一边用一边改，反正有补贴。全用 8 英寸且不说贵，当下也没看出强多少倍，讲实话，有很多 8 英寸设备真不算成熟，盲目上 8 容易当小白鼠。

总之，8 英寸设备很贵，建厂成本比 6 英寸高多了。

这点像极了光伏的 Topcon 和 HJT 异质结路线之争，

你看，老牌光伏企业都是偏 Topcon，新来的愣头青都是干 HJT，为什么？还不是因为 Topcon 线可以在 prec 线通用性好么，改造成本低……

所以事实情况还不是 Topcon 占 7 成以上的大头！

国外为什么不搞 6，因为它们 6 英寸线都淘汰了，都没资源了，这种情况下还搞 6 的干嘛，不如直接上 8 了，毕竟 6 和 8 的面积比差不多是 1:1.77，优势还是很明显的，缺点是，8 英寸线建厂的成本比 6 英寸线贵了不知道多少倍，一个全是重金砸新设备，一个是省钱的缝缝补补再战撒年，能比吗？

所以这条就注定了，6 英寸上做 MOSFET 肯定比 8 英寸线做 MOSFET 成本低多 ，当然未来肯定是 8 英寸的天下，但是我个人认为，从商业第一逻辑成本上考虑，6 英寸线短期内不可能被 8 英寸淘汰且将长期存在，无他，成本优先。

8 英寸出路只能说做高端的 MOSFET，此外还得搞类似 Trench 结构，想尽一切办法增加功率密度，减小芯片面积，增加单 wafer 上 die 的产出，才能赚钱。

所以这里引出第二个话题，碳化硅 MOS 上的沟槽和平面的结构之争。

目前全世界范围内，在这个问题上分三派，平面 MOS 派如 Cree（Wolfspeed），以及国内绝大多数搞碳化硅的；沟槽派，主要就是罗姆，双沟槽名声在外，技术确实很屌，但是成本也不低，主要问题是碳化硅各向异性的问题，刻蚀形貌难度远超硅，因为太硬了，所以刻蚀要上高能量的 CCP，ICP 是不够看的。

第三个介于两者之间，比如英飞凌，它的沟槽结构和罗姆不一样，沟槽栅是带角度的，4C，这派好像没有准确的叫法，国内有个研究碳化硅的大哥，叫它们半包结构。

就目前而言，你单纯从器件性能上讲，肯定是沟槽结构好，但是沟槽和平面一比，工艺难度指数上升，沟槽工艺太过复杂，不好做。

当然在栅极可靠性问题上，沟槽结构还是很有优势的，SiC-SiO2 界面和 Si-SiO2 的界面相比，差太多了。

也就是说如果要保持同等栅氧可靠性，平面与沟槽需同时使用同样厚度的栅氧化层，平面型 MOS 面积要显著大于沟槽栅；如果要保持相同的芯片面积，为了维持低导通电阻，平面型 MOS 需要更薄的栅极氧化层，但是栅氧应力高，可靠性变差。

所以当下各有千秋，不好说沟槽一定干不过/干的过平面，还是那句话，看应用，看客户，看场景，最终还是看成本。

计老师直播的时候也说了，看似平面似乎在沟槽面前缺点很多，但是工艺成熟，良率高，且技术路线远远没有走到尽头，还有很大潜力可以挖，那如果潜力挖起来了，是不是又能给 6 英寸 FAB 续命了？

讲到这里，我引出第三个不是问题的问题，也就是 6，8 英寸的衬底和外延片之争。

6 英寸现在不用多说了，国内做做碳化硅 SBD，那种简单的，垃圾一点的 6 英寸衬底，最低价格已经到 4000 元以内，质量好一点就拿来长外延做 MOS，也就 5000 不到，但是目前 8 英寸碳化硅衬底普遍 9000 以上。

也就是说 6/8 面积比是 1:1.77，但是成本是 1:2 以上，所以用 8 英寸明显亏一点，当然了 8 英寸的最终可使用面积要大于 6，稍微弥补了一下面积成本比的缺点。

最最最关键是 6 英寸目前量大管够，8 英寸国内刚开始建，衬底也没啥产量，当然以后肯定有充足衬底产能，FAB 线都还没盖起来，问题来了，谁来当勇士？还是勇士没当成当了烈士？兄弟们，这不是搞科研，这是搞生意，赚钱永远是第一要素，你可以短期内不赚钱，但是长期不赚钱，这就肯定干不下去了，就像现在 Wolfspeed 的艰难。

现在 Wolfspeed 就卡在这个节骨眼上，尽管它账上还有 20 多亿美金的现金，但是它一个季度也要亏上 6 亿，这些钱支撑不了多久。

说完衬底说外延，6 英寸它可以不长 epi 就搞低端的 SBD，但是上 MOS，就必须得长 epi，现在 6 英寸的外延技术，自从国内搞来 LPE（注，这里的 LPE 是一家意大利的设备公司，目前已经被 ASMi 收购了）的设备并且吃透之后，已经能国产化，且能做的很便宜了，国产现在干到 500 万以内一台了，技术方向叫水平气流；

8 英寸 Epi 用水平技术也可以做，但是均匀性，一致性，极差，这种片子拿来做 MOS，特别是那种 3300V1200A 这种高端，能用有鬼！

所以 8 英寸高端 MOS 需要高端 Epi，技术路线叫垂直气流路线，以日本纽弗莱为代表，缺点是这玩意儿极其昂贵，3000 多万人民币一台，有国产的干到 2500 左右。

所以总结起来，就是从 6 英寸的衬底，到外延，到盖 FAB，到产品线，就是便宜，产业成熟程度高，缺点是卷王太多，价格战乱来，硬生生把一个高毛利的行业，弄成谁都赚不了钱，和隔壁光伏一毛一样，这里提一句，中环不行，所有同行都盼着中环倒下，然后给同行留口喘气的空间。

8 英寸，衬底，外延，到盖 FAB 的成本，到工艺难度，统统都是挑战，国内产业成熟低，当然国外也不高，也就领先国内 1-2 年而已，所以这个问题就变成从 6 转变 8 的过程，挑战是什么，挑战成本要多少钱，多少年，谁当烈士，谁当勇士，谁吃肉，谁喝西北风的问题。

目前来看，我个人观点，6 英寸碳化硅应该在相当长的时间内是主流，8 英寸看似很美好，但是实际上还有很多问题要解决，问题不解决，成本下不来，就注定是边缘化，说好听点那是诗和远方，说难听点就是还没看到黎明的曙光就 G 了。

回到朱老师最初的灵魂拷问的问题上，Wolfspeed 怎么就在短短两三年内跌下神坛了？

Wolfspeed 尴尬就尴尬在这个地方，还没有怎么赚钱，还没有完全掌握技术上垄断地位（或者有技术代差被中国同行追很近很近了），还没有掌握产能上的垄断地位，已经感受到来自中国国内同行的死亡凝视。

从 LED 开始，到现在碳化硅功率半导体，Wolfspeed 的吹的牛一直没有完全兑现，路也从没走顺过。

本文作者：陈启，来源：启哥有何妙计，原文标题：《自从改名后，碳化硅龙头快不行了？》