<p>新闻: 供应商</p>
<p>总部位于东京的信越化学株式会社已经研发出了一款 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板，并最近开始提供样品。</p>
<p>由美国加利福尼亚州圣克拉拉的 Qromis 公司开发的 QST（Qromis 基板技术）专门用于 GaN 外延生长，并于 2019 年授权给了信越化学。信越化学此后已经销售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）的 QST 基板以及相应直径的 GaN-on-QST 外延基板。与此同时，为了满足客户需求，该公司致力于进一步增加直径，并研发了 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板。</p>
<p>尽管 GaN 器件制造商可以利用现有的硅生产线进行 GaN 生长，但由于缺乏适合 GaN 生长的大直径基板，他们无法从材料直径的增加中受益，信越化学指出。据称，新的 300 毫米 QST 基板可以实现 GaN 外延生长而不会出现翘曲或裂缝（这在硅基板上是无法实现的），从而显著降低器件成本。除了正在进行的 150 毫米和 200 毫米 QST 基板设施的增强外，信越化学还在着手大规模生产 300 毫米 QST 基板。</p>
<p>由于 QST 基板与 GaN 具有相同的热膨胀系数，可以约束 SEMI 标准厚度的 QST 基板上 GaN 外延层的翘曲和裂缝。这种基板材料可以实现大直径高质量和厚度的 GaN 外延生长。信越化学表示，许多客户正在评估 QST 基板和 GaN-on-QST 外延基板用于功率器件、高频器件和 LED。尽管商业环境具有挑战性，但客户已经进入开发阶段，以应对近期对包括数据中心电源在内的功率器件日益增加的兴趣。</p>
<p>该公司认为，将 300 毫米 QST 基板加入 150 毫米和 200 毫米产品线可以显著加速 GaN 器件的推广。</p>
<p>信越化学在 2024 年 9 月 4 日至 6 日于台湾台北举办的 SEMICON TAIWAN 2024 展会上展示了 300 毫米 QST 基板。</p>
<p>OKI 在信越的 QST 基板上开发了 GaN 剥离/键合技术</p>
<p>信越化学推出用于 GaN 功率器件生长的 QST 基板</p>
<p>信越化学获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可</p>
<p>信越化学 GaN-on-Si</p>
<p>www.semicontaiwan.org</p>
<p>www.shinetsu.co.jp</p>

NVTS

TGAN

<p>新日本化学公司已经研发出一种面向增强氮化镓外延生长的 300 毫米 QST 衬底，并最近提供了样品。这种衬底解决了氮化镓器件制造商对更大衬底的关键需求，以降低成本并避免翘曲。这种 300 毫米 QST 衬底与现有硅线兼容，可实现高质量的厚氮化镓生长。新日本化学公司正在扩大其 QST 衬底生产，并在 2024 年的 SEMICON TAIWAN 展会上展示了这一新进展。这一进步可能会显著推动氮化镓器件在各种应用中的采用</p>

<p>News: Suppliers</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻: 供应商</p>
</div><p>Tokyo-based Shin-Etsu Chemical Co Ltd has created a 300mm (12-inch) QST substrate, and recently started supplying samples.</p>
<div class="lb-trans"><p>总部位于东京的信越化学株式会社已经研发出了一款 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板，并最近开始提供样品。</p>
</div><p>Developed by Qromis Inc of Santa Clara, CA, USA, QST (Qromis Substrate Technology) is dedicated to GaN epitaxial growth and was licensed to Shin-Etsu Chemical in 2019. Shin-Etsu Chemical has since sold 150mm (6-inch) and 200mm (8-inch) QST substrates and GaN-on-QST epitaxial substrates of each diameter. Meanwhile, in response to customer demand, the firm worked on further increasing the diameter and developed a 300mm (12-inch) QST substrate.</p>
<div class="lb-trans"><p>由美国加利福尼亚州圣克拉拉的 Qromis 公司开发的 QST（Qromis 基板技术）专门用于 GaN 外延生长，并于 2019 年授权给了信越化学。信越化学此后已经销售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）的 QST 基板以及相应直径的 GaN-on-QST 外延基板。与此同时，为了满足客户需求，该公司致力于进一步增加直径，并研发了 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板。</p>
</div><p>GaN device manufacturers cannot benefit from increasing the diameter of materials because of the lack of a large-diameter substrate suitable for GaN growth, despite the fact that they can use existing silicon production lines for GaN, notes Shin-Etsu Chemical. The new 300mm QST substrate is said to enable GaN epitaxial growth without warping or cracks (which was unattainable on silicon substrates), significantly reducing device costs. In addition to the enhancement of facilities for 150mm and 200mm QST substrates already in progress, Shin-Etsu Chemical is working on mass-producing 300mm QST substrates.</p>
<div class="lb-trans"><p>尽管 GaN 器件制造商可以利用现有的硅生产线进行 GaN 生长，但由于缺乏适合 GaN 生长的大直径基板，他们无法从材料直径的增加中受益，信越化学指出。据称，新的 300 毫米 QST 基板可以实现 GaN 外延生长而不会出现翘曲或裂缝（这在硅基板上是无法实现的），从而显著降低器件成本。除了正在进行的 150 毫米和 200 毫米 QST 基板设施的增强外，信越化学还在着手大规模生产 300 毫米 QST 基板。</p>
</div><p>Since QST substrates have the same coefficient of thermal expansion as that of GaN, it is possible to constrain warping and cracks of GaN epitaxial layer on QST substrate of the SEMI standard thickness. This substrate material allows for high-quality and thick GaN epitaxial growth with a large diameter. Leveraging this feature, many customers are evaluating QST substrates and GaN-on-QST epitaxial substrates for power devices, high-frequency devices, and LEDs, says Shin-Etsu Chemical. Despite the challenging business environment, customers have entered the development phase to address the recently increasing interest in power devices, including power supplies for data centers.</p>
<div class="lb-trans"><p>由于 QST 基板与 GaN 具有相同的热膨胀系数，可以约束 SEMI 标准厚度的 QST 基板上 GaN 外延层的翘曲和裂缝。这种基板材料可以实现大直径高质量和厚度的 GaN 外延生长。信越化学表示，许多客户正在评估 QST 基板和 GaN-on-QST 外延基板用于功率器件、高频器件和 LED。尽管商业环境具有挑战性，但客户已经进入开发阶段，以应对近期对包括数据中心电源在内的功率器件日益增加的兴趣。</p>
</div><p>The addition of the 300mm QST substrate to the 150mm and 200mm lineup can significantly accelerate the spread of GaN devices, reckons the firm.</p>
<div class="lb-trans"><p>该公司认为，将 300 毫米 QST 基板加入 150 毫米和 200 毫米产品线可以显著加速 GaN 器件的推广。</p>
</div><p>Shin-Etsu Chemical exhibited the 300mm QST substrate at SEMICON TAIWAN 2024 in Taipei, Taiwan (4–6 September).</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化学在 2024 年 9 月 4 日至 6 日于台湾台北举办的 SEMICON TAIWAN 2024 展会上展示了 300 毫米 QST 基板。</p>
</div><p>OKI develops GaN lifting-off/bonding technology on Shin-Etsu’s QST substrates</p>
<div class="lb-trans"><p>OKI 在信越的 QST 基板上开发了 GaN 剥离/键合技术</p>
</div><p>Shin-Etsu Chemical launches QST substrates for GaN power device growth</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化学推出用于 GaN 功率器件生长的 QST 基板</p>
</div><p>Shin-Etsu licenses Qromis’ GaN substrate technology</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化学获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可</p>
</div><p>Shin-Etsu Chemical GaN-on-Si</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化学 GaN-on-Si</p>
</div><p>www.semicontaiwan.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.semicontaiwan.org</p>
</div><p>www.shinetsu.co.jp</p>
<div class="lb-trans"><p>www.shinetsu.co.jp</p>
</div>

信越化学将开发用于 300 毫米氮化镓（GaN）的 QST 基板