<div id="readability-page-1">据报道，台积电在 2nm 制程节点上取得了重大突破，将首次引入 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。N2 工艺还结合了 NanoFlex 技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的 N3E 工艺，N2 工艺预计将在相同功率下实现 10% 至 15% 的性能提升，或在相同频率下将功耗降低 25% 至 30%。更令人瞩目的是，晶体管密度将提升 15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。据报道，台积电每片 300mm 的 2nm 晶圆的价格可能超过 3 万美元，高于之前预期的 2.5 万美元。相比之下，目前 3nm 晶圆的价格大概在 1.85 万至 2 万美元，而 4/5nm 晶圆的价格在 1.5 到 1.6 万美元之间。</div>

台积电

<p>台积电的 2nm 工艺将继续涨价，每片晶圆价格预计超过 3 万美元，是 4/5nm 工艺的两倍。该工艺引入了 GAAFET 晶体管技术，结合 NanoFlex 技术，预计在相同功率下性能提升 10% 至 15%，或在相同频率下功耗降低 25% 至 30%。晶体管密度提升 15%，标志着台积电在半导体技术领域的重大突破。</p>

- 台积电在 2nm 制程节点上引入 GAAFET 技术，取得重大突破。  
- N2 工艺预计在相同功率下性能提升 10% 至 15%，功耗降低 25% 至 30%。  
- 每片 300mm 的 2nm 晶圆价格可能超过 3 万美元，高于预期的 2.5 万美元。  

台积电 2nm 工艺将继续涨价：每片晶圆超 3 万美元 为 4/5nm 两倍

台积电 2nm 工艺将继续涨价：每片晶圆超 3 万美元为 4/5nm 两倍