HBM 作为一种用于高性能计算和 AI 应用的关键存储技术，近年来需求量大幅增加。投资者开始担忧，HBM 可能在 2025 年出现供应过剩，而 DRAM 周期性下行的风险加剧。
针对这种顾虑，高盛在 16 日公布的最新研报中指出，这种担忧可能为时尚早。报告强调，全球主要云计算公司仍在不断增加对存储设备的投资，供应过剩的情况不太可能发生。此外，先进封装技术（如 CoWoS）的发展，以及以及主要客户对 HBM 供应紧张的预期，都将推动 HBM 的需求增长。
同时，供应商的库存相对健康，DRAM 市场仍有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。
<h2>HBM 市场供不应求，DRAM 周期存争议</h2>
投资者的关注点继续集中在 HBM 市场上，人们越来越担心，最早明年就会开始出现供应过剩的情况。
对此，高盛表示，这种情况不太可能发生，主要原因是目前超大规模企业继续在全球云计算领域持续支出，CoWoS 产能强劲增长。
报告中还指出，目前主要的 HBM 供应商在提升生产良率方面面临挑战，这意味着短期内很难迅速增加供应。
因此，高盛认为 HBM 明年将供不应求，特别是 SK 海力士凭借其在 AI 内存市场中的领先地位，2025 年之前供需仍将保持紧张，继续成为投资者的首选。
相比 HBM 市场，DRAM 市场的前景则显得更加复杂。一部分投资者认为，随着库存水平的升高和其他国家供应的增加，DRAM 可能会进入一个较长的下行周期。
但高盛对此持谨慎乐观态度。认为尽管客户库存水平较高，但供应商的库存相对健康，市场仍有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。
此外，HBM 的强劲需求也可能对 DRAM 市场产生正面影响。因此，虽然短期内市场波动不可避免，但高盛认为 DRAM 市场不会出现大幅度的下行。
<h2>三星电子：低估值吸引投资者</h2>
作为全球存储芯片的巨头之一，三星电子的股价表现近年来受到广泛关注。
报告指出，尽管三星电子股价近期有所下滑，但其当前的估值水平已接近 1 被市盈率的历史低位，吸引了众多投资者的兴趣。
大多数投资者认为，三星电子的股价下行空间有限，然而，短期内缺乏明显的股价上涨催化剂。
投资者特别关注三星电子即将发布的第三季度财报，期待其中能透露更多关于未来市场走向的信号。
<h2>SK 海力士：HBM 市场中的强劲表现</h2>
与三星电子相比，SK 海力士的表现则更加受到投资者的青睐。报告指出，SK 海力士凭借其在 HBM 市场的领先地位，继续吸引投资者的积极关注。
大多数投资者认为，HBM 市场在 2025 年之前仍将处于供不应求的状态，这为 SK 海力士带来了强劲的增长预期。
报告中还提到，SK 海力士的未来增长潜力还来自于其计划中的 M15X 晶圆厂建设，预计该工厂将在明年完成，这将进一步提升其 HBM 的生产能力。

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高盛认为，HBM 明年将供不应求，特别是 SK 海力士凭借其在 AI 内存市场中的领先地位，2025 年之前供需仍将保持紧张；而 DRAM 有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。

- HBM 作为关键存储技术，需求持续增长，投资者担忧供应过剩。  
- 高盛报告认为，超大规模企业持续投资，短期内供不应求。  
- DRAM 市场面临复杂局面，但高盛认为不会出现大幅下行。

HBM 明年过剩？DRAM 下行周期到哪了？高盛详解芯片核心议题