集邦咨询：HBM5 20hi 后产品将采用 Hybrid Bonding 技术或引发商业模式变革

智通财经 APP 获悉，TrendForce 集邦咨询发文称，HBM 产品已成为 DRAM 产业关注焦点，这使得 Hybrid Bonding (混合键合) 等先进封装技术发展备受瞩目。根据最新研究，三大 HBM 原厂正在考虑是否于 HBM4 16hi 采用 Hybrid Bonding，并已确定将在 HBM5 20hi 世代中使用这项技术。集邦咨询指出，采用 Hybrid Bonding 可能导致 HBM 的商业模式出现变化。与已广泛使用的 Micro Bump (微凸块) 堆叠技术相比，Hybrid Bonding 由于不配置凸块，可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题。使用 Hybrid Bonding 的芯片传输速度较快，散热效果也较好。TrendForce 集邦咨询表示，三大原厂已确定将在 HBM3e 12hi 及 HBM4 12hi 世代延续使用 Advanced MR-MUF 及 TC-NCF 堆叠架构。对于 HBM4 16hi 和 HBM4e 16hi 世代，因 Hybrid Bonding 未较 Micro Bump 具明显优势，尚无法断定哪一种技术能受青睐。若原厂决定采用 Hybrid Bonding，主要原因应是为及早经历新堆叠技术的学习曲线，确保后续 HBM4e 和 HBM5 顺利量产。三大业者考量堆叠高度限制、IO 密度、散热等要求，已确定于 HBM5 20hi 世代使用 Hybrid Bonding。然而，采用 Hybrid Bonding 需面对多项挑战。如原厂投资新设备导入新的堆叠技术，将排挤对 Micro Bump 的需求，也不再享有原本累积的技术优势。Hybrid Bonding 尚有微粒控制等技术问题待克服，将提升单位投资金额。此外，由于 Hybrid Bonding 需以 Wafer to Wafer 模式堆叠，若 front end(前端) 生产良率过低，整体生产良率将不具经济效益。TrendForce 集邦咨询指出，采用 Hybrid Bonding 可能导致 HBM 的商业模式出现变化。使用 Wafer to Wafer 模式堆叠，须确保 HBM base die(基础裸晶) 与 memory die(内存裸晶) 的晶粒尺寸完全一致；而前者的设计是由 GPU/ASIC 业者主导，因此，同时提供 base die 及 GPU/ASIC foundry(晶圆代工) 服务的 TSMC(台积电) 可能将担负 base die 与 memory die 堆叠重任。若循此模式发展，预计将影响 HBM 业者在 base die 设计、base die 与 memory die 堆叠，以及整体 HBM 接单等商业环节的产业地位。

集邦咨询：HBM5 20hi 后产品将采用 Hybrid Bonding 技术 或引发商业模式变革

集邦咨询：HBM5 20hi 后产品将采用 Hybrid Bonding 技术或引发商业模式变革