摩根士丹利表示，英伟达下一代 Rubin GPU 已提前半年开始准备，预计推出时间将从 2026 年上半年提前至 2025 年下半年。由于用上 3nm 技术、CPO（共同封装光学元件）和 HBM4（第六代高频宽内存），新一代 GPU 的芯片面积将是上一代 Blackwell 的两倍，预计相关产业链公司将受益。
大摩分析师 Charlie Chan 在 12 月 2 日的报告中表示，虽然 Blackwell 芯片的产出仍在增长，考虑到新芯片的复杂性，台积电和供应链已在为英伟达下一代 Rubin 芯片的推出做准备。3nm 的 Rubin GPU 预计将在 2025 年下半年进入流片阶段，较之前预定时间提前半年左右。
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大摩表示，由于 3nm 工艺的迁移、CPO 和 HBM4 的采用，Rubin 将是一款强大的芯片。根据供应链调查，Rubin 的芯片尺寸将是 Blackwell 的近两倍，Rubin 芯片可能包含四个计算芯片，是 Blackwell 的两倍。
分析师目前预计，由于芯片面积变大，台积电将在 2026 年进一步扩展其 CoWoS（Chip on Wafer Substrate）产能。公司预计将在 2025 年中期开始向设备供应商下达 2026 年订单，具体取决于 AI 资本支出的可持续性。
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供应链方面，分析师认为 ASMPT 在 Rubin 的 TCB 工具认证上略有滞后。TCB（热压焊接）是 Rubin GPU 的 CoW（Chip on Wafer）所需的工艺。K&amp;S 此前宣布，已于 11 月收到台积电的无焊料 TCB 订单用于 CoW，而 ASMPT 表示仍在与台积电进行 CoW 认证的沟通。
大摩认为，ASMPT 仍有机会在今年年底前完成认证，并且对于公司设备低量采购可能会在 2025 年下半年实现。行业调查显示，台积电首批关于 CoW 无焊料 TCB 的订单通过 K&amp;S 订购的工具较少，预计 2025 年将不到 10 台。随着 Rubin GPU 预计将在 2026 年进入量产，订单量可能会在 2026 年增大。
新 GPU 带来的另一结构性机会在于测试时间的延长。大摩分析师表示，目前 Blackwell（测试时间比 Hopper 长三倍）和 MI355（长两倍）都需要更长的测试时间。由于需求强劲，新的 Advantest 测试仪的交货期从 3 个月延长至 6 个月。
从长远来看，一些 AI 专用集成电路（ASIC），如 AWS 的 3nm AI 加速器，可能开始进行烧机测试，根据供应链调查，Blackwell 的全部最终测试将继续在 KYEC 进行，预计到 2025 年，B200/300（双芯片版本）的出货量可能会达到约 500 万台，基于台积电的 CoWoS-L 产能。
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英伟达

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大摩预计，3nm 的 Rubin GPU 将在 2025 年下半年进入流片阶段，较之前预定时间提前半年。根据供应链调查，Rubin 的芯片尺寸将是 Blackwell 的两倍，包含四个计算芯片，是 Blackwell 的两倍。

- 摩根士丹利预计英伟达 Rubin GPU 将提前至 2025 年下半年推出。  
- 新 GPU 将采用 3nm 技术，芯片面积是 Blackwell 的两倍，相关产业链受益。  
- 台积电计划在 2026 年扩展 CoWoS 产能，ASMPT 可能年底前完成认证。  

芯片业已经着眼英伟达下一代芯片：Rubin