智通财经 APP 获悉，TechInsights 平台上最新发布了 T1-2025 DRAM 视频简报。该视频简报提供了 DRAM 技术的详细信息、路线图更新、趋势、比较以及前景展望。D1a 和 D1b 是市场上的主流产品。到 2027 年底，TechInsights 预计 DRAM 将迈入个位数纳米技术节点，如 D0a，随后将是 0b 和 0c 世代。2025 年第一季度，市场上将首次推出 D1c 的一小部分产品，首先由 SK 海力士推出。D1c 世代将在 2026 年和 2027 年占据主导地位，包括 HBM4 DRAM 应用。从市场角度看，HBM 产品，尤其是 HBM3 和 HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如 LPDDR5 和 DDR5 器件则价格较低且性能相对较弱。未来 AI 和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如 32 Gb、48 Gb 或 64 Gb 芯片，但目前市场上主流仍是 16 Gb 裸晶。在更高密度的 DRAM 芯片中，应开发 3D DRAM 架构，如 4F2 垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM 单元或 3D 堆叠 DRAM 单元，并在 10 纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK 海力士和美光等主要厂商，作为下一代 DRAM 缩放的候选方案。

三星电子

美光科技

TechInsights 预计到 2027 年底，DRAM 将迈入个位数纳米技术节点，主要产品包括 D1a 和 D1b。2025 年第一季度，SK 海力士将推出 D1c 产品，预计 D1c 将在 2026 年和 2027 年主导市场。未来 AI 和数据中心对内存容量的需求将增加，需开发更高密度的 3D DRAM 架构。

- TechInsights 发布 T1-2025 DRAM 视频简报，涵盖技术和市场趋势。  
- 预计到 2027 年，DRAM 将进入个位数纳米技术节点，D1c 产品将于 2025 年推出。  
- AI 和数据中心需求推动更高内存容量，3D DRAM 架构将是未来发展方向。  

TechInsights：2027 年底 DRAM 预计将迈入个位数纳米技术节点