今日，存储芯片正式开始涨价浪潮。
自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折。
存储芯片的两大主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。
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<h2> 01 NAND，开始涨价</h2>
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打响涨价第一枪的是 NAND 存储大厂闪迪，其表示将于4 月 1 日开始实施涨价，涨幅将超 10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。
紧接着美光也告知将针对新订单提高价格，平均涨幅约 11%。3 月 25 日，美光直接发布涨价函，预计此次涨价幅度将在 10%~15%。
之后，SK 海力士、三星相继宣布将于4 月同步上调 NAND 闪存价格。
根据渠道反馈，国产存储公司的零售品牌致态宣布，将于 4 月起上调提货价格，涨幅可能超过 10%。
一系列消息接踵而至，在业内引起轩然大波。
新一季度，NAND 芯片价格出现反弹，这主要归功于各大 NAND 龙头果断且迅速地调整减产措施。
随着 2024 年 NAND 产品价格走势疲软，为提早应对市场供过于求问题，美光、三星、SK 海力士、铠侠等原厂陆续从 2024 年第 4 季重启减产措施，借此阻止 NAND 价格的下跌趋势。
今年 1 月，美光新加坡 NAND 厂突发断电，导致 NAND 供货吃紧。群联科技执行长潘健成亦透露，虽从 2024 年 12 月已向美光下单采购，但近期却意外发生交货不足的问题。三星电子和 SK 海力士两大韩厂的减产措施也在持续发酵，其中三星在 3 月的交货量仅有原先订单的 20-25%。
其实，早在上个月，现货市场的动向就透出了一些不寻常的信号。
CFM 的报价显示，小容量的 eMMC 以及一些 SSD 产品的价格已悄然上升，个别渠道也开始了涨价的试探性动作。
TrendForce 近日发布报告称，预计 2025 年第二季 NAND Flash 价格将止跌回稳，环比增加 0-5%。其中 Client SSD 合约价将季增 3%-8%；Enterprise SSD 合约价将持平第一季；eMMC 合约价将与上季持平。NAND Flash Wafer 合约价将季增 10%-15%。
叠加上述存储龙头的最新涨价动作，市场上已经有人嗅到这一商机，开始囤积 SSD 了，盼着在 NAND 价格飙升之际大赚一笔。
<h2> 02 DRAM，跌幅收敛</h2>
再看 DRAM 市场在今年第二季度的价格走向。
先说结论，尽管 DRAM 市场还没有明确的涨价声音传出，但可以确定的是，第二季度 DRAM 市场价格跌幅将同步收敛。一般型 DRAM 价格跌幅将收敛至季减 0%-5%，若纳入 HBM 计算，受惠于 HBM3e 12hi 逐渐放量，预计均价为季增 3%-8%。
具体数据方面：
在 PC DRAM 领域，DDR4 价格走势偏弱，环比下降 3%-8%；DDR5 价格环比基本持平。
在Server DRAM领域，DDR4 跌幅低于市场预期，环比下降 3%-8%；DDR5 价格也环比基本持平。
在Mobile DRAM领域，LPDDR4X 跌幅将收敛至季减 0%-5%；LPDDR5X 价格将季增 0%-5%。
在Graphics DRAM领域，GDDR6 跌势将收敛至 3%-8%；GDDR7 价格将持平上季或缓跌，约下降 0%-5%。
在Consumer DRAM领域，DDR3 合约价环比持平，DDR4 合约价季增 0%-5%。
综合来看，DRAM 的价格还未来到正向增长区间。DRR5 的合约价格大约是从今年 2 月起持续上涨，LPDDR5X 的价格也相对稳健，但 DDR4、DDR3、GDDR6 等产品还在给存储市场 “拖后腿”。
近日有研究机构对 8 家相关企业进行采访后发现，很多观点认为 “对卖家来说，没有能够替代中国的市场，再加上受到低价的中国产品影响，价格正在下降”。关于接下来的 DRAM 价格，企业认为可能要到下半年才会上涨的观点居多。
<h2> 03 HBM，市场暴涨 880%</h2>
近日，SK 海力士表示未来 AI 内存的需求前景光明。
预计今年 HBM 在 SK 海力士 DRAM 总销售额中的占比将超过 50%。SK 海力士 CEO 兼总裁
郭鲁正表示：“大型科技公司正在扩大投资，以确保在人工智能市场的领导地位。由于图形处理单元 (GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我们预计 HBM 的需求将出现爆炸式增长。” 他补充道，“今年的 HBM 市场预计将比 2023 年增长 8.8 倍以上，另一种 AI 存储器企业固态硬盘 (SSD) 市场预计也将增长 3.5 倍”。此外，对于 ‘DeepSeek 冲击’，他持乐观态度，并表示，如果各种 AI 生态系统被激活，将有助于在中长期内增加（对 HBM 的）需求”。
为了继续引领 AI 市场，SK 海力士还将继续准备 CXL 等下一代技术和产品。郭鲁正表示：“除了 HBM 以外，我们还准备了 CXL、LPCAMM2、SOCAMM 等多种解决方案，从而不仅仅作为 AI 内存供应商，还能提供综合解决方案。”
<h2> 04 国产存储厂商，蓄势待发</h2>
如果说，以前的存储市场主要被国际厂商所包揽，如今国产厂商的强势出击，硬生生把这一格局，撕开一道大口子。
在三星和 SK 海力士对华出口的存储产品组合中，三星主要向中国供应 LPDDR、NAND Flash、图像传感器和显示驱动器 IC 等。SK 海力士则专注于 DRAM 和 NAND 产品的生产和销售。
从去年开始，随着国产厂商竞争加剧，DDR3 和 DDR4 内存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中国大陆的这一市场中逐渐淡出。
预计从今年夏季开始，由于这些主要厂商的退出，市场上 DDR3 和 DDR4 的供应将显著减少。而这些需求的承接方，正是大批国产存储芯片公司。
因此，在存储市场复苏之际，国产厂商有望迎来新的机遇。
从国内市场来看，国产 NAND 产品近期涨价基本已成事实。
近日，一家国内存储模组厂商负责人表示，今年所有存储芯片原厂的价格都在涨。几家存储芯片原厂的报价，在同一时期内都会比较接近，差异不会很大。其中，“小容量 NAND 是这一轮涨价里最先有反应的品类，也是最早反弹的品种”。
目前存储芯片制造商转向大容量 NAND 生产，小容量 eMMC 等产品制造转由模组厂商承担，受原厂晶圆定价影响。比如佰维存储、江波龙等模组厂商均基于原厂 NAND 推出 eMMC 产品。
因此，在小容量市场复苏之际，这两家公司将同步受益。
佰维存储在接受 23 家机构调研时表示，在嵌入式存储领域，公司 BGASSD 已通过 Google 准入供应商名单认证；在 PC 存储领域，公司 SSD 产品目前已经进入联想、宏碁、惠普、同方等国内外知名 PC 厂商，此前佰维存储就表示，其旗下 SP406/416 系列企业级 PCIe4.0 SSD、SS621 系列企业级 SATA SSD，与联想服务器完成兼容性测试并获认证，强化企业级市场布局。
技术研发层面，3 月初，佰维存储宣布，其自研的 eMMC 主控芯片 SP1800 已完成批量验证支持 QLC 颗粒并针对智能穿戴设备优化功耗，同时具备端到端数据保护能力，适用于车规级应用场景。
据悉，2024 年，佰维存储智能穿戴存储业务收入同比大幅增长，2025 年将深化与 Meta 等客户在 AI 眼镜领域的合作。
江波龙近日正式向香港联交所递交了发行境外上市外资股（H 股），并在香港联交所主板挂牌上市的申请。目前，江波龙在产品布局上持续发力，其首颗 32Gbit 2D MLC NAND 完成流片验证，覆盖 SLC/MLC 多容量产品，适用于网络通信、安防监控等领域。该公司目前拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线，经营三个主要品牌，分别是 FORESEE、Zilia、雷克沙。
其次，目前国内多家芯片厂商布局 NAND 存储芯片。包括兆易创新、东芯股份、江波龙等。不过，兆易创新、东芯股份 NAND 产品均为 2D SLC NAND。而本轮 NAND 涨价主要以 3D NAND 产品为主，而 2D NAND 今年价格始终平稳，未见明显价格拐点。
DRAM 方面，北京君正于投资者互动平台表示，公司正在积极推进 DRAM 产品的更新迭代，采用 20nm 工艺的新产品预计将在 2025 年推出样品，后续还将陆续推出更新工艺的 DRAM 产品。此外，北京君正还计划在 20nm 工艺产品之后，继续推进更先进工艺的 DRAM 产品研发。
<h2> 05 存储龙头，期待回春</h2>
在刚刚过去的第一季度，存储巨头们过的可并不算如意。
美光：存储业务营收狂跌 20%
近日，美光发布了截至 2025 年 2 月 27 日的 2025 财年第二财季财报，尽管在这一季度中美光实现营收 80.5 亿美元，同比增长 38%。但单拎出来其存储业务部门（SBU）看，可以发现美光也面临着存储市场逆风的压力。
财报显示，美光 SBU 营收 14 亿美元，环比下降 20%。
三星、SK 海力士：对华出口暴跌
2024 年，韩国芯片出口总额高达 1330 亿美元，其中近四成来自中国订单。
去年，三星和 SK 海力士这两家公司依托中国《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》相关举措，在华销售额实现大幅增长。
三星电子 3 月 12 日公布的业务报告显示，公司去年对华出口额同比增加 53.9%，为 64.9275 万亿韩元，超过对美出口额 61.3533 万亿韩元。在公司对华出口额中，芯片销售占绝大部分。另据三星电子审计报告数据，公司在中国西安的 NAND 工厂（销售额 11.1802 万亿韩元，营业利润 1.1954 万亿韩元）和上海的半导体销售分公司（销售额 30.0684 万亿韩元）去年销售额也大幅提升。
SK 海力士同样在中国市场取得了稳健增长。其无锡 DRAM 工厂去年不仅成功扭亏为盈，营业利润达到 5985 亿韩元，销售额也同比增长 64.3%，净利润同比大增 65.4%。SK 海力士在中国的销售额为 5.6 万亿韩元，较前年有所增加。
暴涨之后，在 2025 年开年，形势急转直下。
最新数据显示，今年一月，韩国对华芯片出口暴跌 22.5%，2 月跌幅扩大至惊人的 31.8%。行业预测，3 月跌幅可能突破 30%，芯片出口量或将创十年新低。
&#34;以前是订单接到手软，现在仓库堆满芯片卖不出去。&#34;韩国半导体行业人士近日感叹，这个曾凭借存储芯片傲视全球的产业，正经历着前所未有的寒冬。
三星、美光、SK 海力士等厂商此前已经退出 SLC NAND Flash 市场。出于成本效率因素考虑，市场预计后续海外存储原厂可能逐渐退出 MLC NAND Flash 市场。随着国际巨头的逐渐淡出，国产存储公司的发挥空间便更大了。
随着三大存储龙头逐步转向附加值更高的 HBM、DDR5 等领域。上个月，SK 海力士宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 12 层（12Hi）HBM4 内存，并在全球率先向主要客户出样了 12Hi HBM4。
AI 大模型训练催生海量算力需求，HBM 在 DRAM 市场的占比已近 30%，预计到 2026 年 HBM4 将推动定制化需求爆发。英伟达、AMD 的新品发布周期，与三星、SK 海力士的技术迭代形成共振，在此背景下，国际存储龙头便可在存储市场的复苏浪潮中享受更为丰厚的红利。
本文作者：丰宁，来源：半导体产业纵横，原文标题：《存储芯片，正式涨价》<div>风险提示及免责条款</div>
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美光科技

三星电子

今日，存储芯片正式开始涨价，结束了长达多半年的低迷。NAND 存储大厂闪迪宣布自 4 月 1 日起涨价超 10%，美光也将提高新订单价格约 11%。SK 海力士、三星等也将同步上调价格。由于减产措施的实施，NAND 芯片价格出现反弹，预计 2025 年第二季价格将止跌回稳。

- 存储芯片市场开始涨价，NAND 和 DRAM 产品表现各异。  
- NAND 产品涨价幅度超 10%，主要因减产措施和供货紧张。  
- DRAM 市场价格跌幅收敛，预计下半年可能上涨。  