纳微暴涨 200%！与英伟达合作下一代 800V 电力架构，氮化镓和碳化硅成关键

英伟达正与纳微半导体 (Navitas) 展开战略合作，共同开发 800V 电力架构，有望彻底改变 AI 数据中心的电力供应系统。

当地时间 5 月 21 日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代 800V 高压直流 (HVDC) 架构，为包括 Rubin Ultra 在内的 GPU 提供支持的"Kyber"机架级系统供电。纳微的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。

有媒体指出，这代表了数据中心基础设施领域的重大技术飞跃，特别是在支撑吉瓦级 AI 计算负载方面，纳微的技术将一定程度上大幅提升能效并降低铜材使用量。周三美股盘后，纳微股价一度暴涨 200%。

现代 AI 数据中心需要吉瓦 (GW) 级的电力来满足不断增长的 AI 计算需求。

根据媒体报道，当前的数据中心架构使用传统的 54V 机架内配电系统，功率限制在几百千瓦 (kW)。这种架构需要使用笨重的铜母线将低压电力从机架安装的电源架传输到计算托盘。当功率增加到 200kW 以上时，这种架构因功率密度、铜材需求和系统效率降低等问题而达到物理极限。

英伟达的方案是在数据中心外围直接将 13.8kV 交流电网电力转换为 800V 高压直流，使用固态变压器 (SST) 和工业级整流器，消除多个交流/直流和直流/直流转换步骤，最大限度地提高效率和可靠性。

由于 800V HVDC 的更高电压水平，铜线的厚度可以减少多达 45%。

根据 I²R 损耗原理，相同功率可以通过增加电压和降低电流来传输。使用传统的 54V 直流系统，为 1MW 机架供电需要超过 200kg 的铜，这对于需要吉瓦级电力的下一代 AI 数据中心来说是不可持续的。