<div id="readability-page-1">一款按照技术迭代规律本应逐步淡出主流市场的半导体产品——DDR4 内存（第四代双倍数据速率内存），近期却在存储芯片现货市场呈现出反常的价格走势。 7 月 11 日，经济观察报记者以采购商身份在深圳华强北电子市场走访时，注意到了一种矛盾现象：一方面，前来为工控、安防等特定订单询价 DDR4 内存条的需求仍然存在；另一方面，多数柜台仍向记者推荐新一代的 DDR5（第五代双倍数据速率内存，系 DDR4 的换代产品）相关产品，但商家对 DDR4 的报价普遍谨慎，并频繁以 “没现货”“价格一天一变” 为由婉拒需求。 根据市场研究机构闪存市场（CFM）7 月 8 日发布的数据，DDR4 16Gb eTT 颗粒的价格已调涨至 4.50 美元，甚至超过了同日 DDR5 16Gb eTT 颗粒 4.00 美元的报价。所谓内存颗粒，指从一整块硅晶圆上切割、封装好的独立芯片，是组装成内存条前的核心半成品；eTT 颗粒则特指其中未经过原厂完整、严格测试的颗粒，主要在渠道现货市场流通。 上一代产品的价格反超新一代产品，存储市场出现了罕见的 “价格倒挂” 现象。 对于产生这种异常现象的深层原因，TrendForce 集邦咨询分析师许家源在接受经济观察报记者采访时表示，当前三星（Samsung）、SK 海力士（SK hynix）正处在制程转换期，并且 “产能优先保障生产 Server DRAM（服务器动态随机存取存储器）及 HBM（高带宽存储器），导致 PC DRAM 及 mobile DRAM 的位元产出受限”。 他认为，供给端因 HBM 而收缩，需求端又未同步下降，这种 “供需错配” 是 DDR4 此轮涨价行情的直接原因。 多位受访者告诉记者，DDR4 作为上一代产品，之所以价格不降反升，甚至超过了新一代产品，其根本逻辑在于，上游原厂为聚焦高利润的 HBM 而主动削减 DDR4 供给，造成了供给端的短缺；但在下游市场中，部分特定行业（如工控、安防）因其产品周期和认证成本，对 DDR4 仍存在无法替代的 “刚性需求”。 此外，闪存市场分析师杨伊婷亦向记者表示，DDR4 产品之所以出现供应紧俏的情况，是因为 “近期原厂相继发布了 DDR4 EOL（生命周期结束）通知”，但服务器和 PC 等终端对 DDR4 产品仍有一定长尾需求，下游在紧急建立 DDR4 库存。 当持续的 “刚需” 遭遇急剧收缩的 “供给”，便最终催生了这场反常识的 “价格倒挂”。 根据公开信息，自今年二季度起，三星、SK 海力士已陆续向其客户发出部分 DDR4 产品的 EOL（End-of-Life，产品生命周期结束）通知，而美光科技（Micron）高管亦在 6 月的公开活动中确认了针对 PC 及服务器用 DDR4 的停产计划。而这三家公司，占据了全球 DRAM 市场超过 95% 的供应份额 原厂此举的商业逻辑十分清晰：将宝贵的晶圆产能与研发资源，优先投入到以 HBM 为代表的、面向 AI 服务器的高附加值产品中。财报信息显示，SK 海力士在其 2025 年第一季度实现了高达 42% 的营业利润率，并预计 HBM 销售额在 2025 年将占其总内存销售额的 50% 以上。 这场自上而下的产能切换，迅速将压力传导至产业链中下游。 “打个比方，（DDR4）你今天问我 4 块钱，过几天可能就 4 块 5 了，越问越贵。” 7 月 10 日，深圳一家存储模组厂商的市场负责人向记者如是表示。 另外，闪存市场在其最新报告中亦指出，服务器等企业级客户对高价 DDR4 已产生强烈的 “抵触心理”，除零星急单外，客户普遍拒绝 “高位接盘”，消费类市场则因此被迫加速向 DDR5 平台迁移。 那么，在市场表象之下，HBM 的产能需求究竟如何引发了这场波及整个传统存储供应链的 “蝴蝶效应” 呢？ <h2>“最后通牒”</h2> DDR，全称为 “双倍数据速率同步动态随机存取存储器”，是决定电脑、服务器等电子设备运行速度与多任务处理能力的关键核心组件之一。作为其第四代产品，DDR4 自 2014 年问世以来，在长达十年的时间里，一直扮演着市场绝对主流的角色，是支撑上一代 PC 与服务器运算体系的基石。 从产品归属上看，DRAM（动态随机存取存储器）是一个大的技术品类，而市场通常所说的 DDR4、DDR5，是 DRAM 技术在 PC 和服务器领域应用最广泛的主流迭代产品；HBM（高带宽内存）则是 DRAM 技术为了满足 AI 服务器等高性能计算场景，而衍生出的一种特殊的高价产品。 按照半导体行业的技术演进规律，新一代产品 DDR5 的出现，本应依循惯例对 DDR4 形成替代，因为相较于 DDR4，DDR5 在传输速率、带宽、单颗芯片容量及功耗控制上均有显著提升，能够更好地满足新一代 CPU 及 AI 应用对海量数据吞吐的需求。 因此，从 2023 年开始，整个存储市场便已进入从 DDR4 到 DDR5 的代际转换周期。然而，这场本应平稳的代际转换过程，在 2025 年二季度之后，逐渐走向了失序。 “DAM 的涨价很猛，尤其部分型号的 DDR3、DDR4 涨幅接近 100% 了。” 前述深圳一家存储厂商的市场负责人向记者直言。闪存市场 7 月 8 日发布的研究报告亦称，近期部分供应商对 DDR4 eTT 颗粒的官价进行了 “暴力拉涨，涨幅接近五成”。 市场的疯狂最终体现在服务器内存这一关键产品上，闪存市场方面指出，服务器用的 DDR4 RDIMM（带寄存器的双列直插式内存模组，是服务器内存的常用规格）内存条现货价格，在经历连续快速拉涨之后，已较今年一季度低点呈现翻倍式增长。一位华强北的档口老板在 7 月上旬的走访中告诉记者，目前市场中 “炒货行为居多且价格虚高”，进一步加剧了价格的混乱。 要理解这场价格风波的传导机制，首先需要厘清存储芯片的产业链结构。 这条产业链大致可以分为三个环节：上游，是技术与资本壁垒最高的晶圆原厂（IDM），如三星、SK 海力士和美光这三大巨头，它们掌控着从设计、制造到封装测试的全过程，并直接生产出最核心的原材料——内存颗粒；中游，则是数量众多的存储模组厂商和渠道商，它们向上游采购内存颗粒，再结合自研或第三方的主控芯片与固件算法，将其设计、组装成消费者和企业能直接使用的最终产品，比如，国内 A 股市场上的江波龙（301308.SZ）、佰维存储（688525.SH）、德明利（001309.SZ）以及朗科科技（300042.SZ）等均是这一环节的代表性企业；下游，则连接着广大的终端应用市场，包括 PC、服务器、智能手机等品牌制造商，以及最终在零售渠道购买产品的普通消费者。 因此，对于身处产业链中下游的模组厂商和渠道商而言，上游原厂的每一个动作都牵动着他们的神经。 闪存市场分析师杨伊婷告诉经济观察报记者：“近期原厂相继发布了 DDR4 EOL（生命周期结束）通知，考虑到服务器和 PC 等终端对 DDR4 产品仍有一定长尾需求，下游紧急建立 DDR4 库存，令近期 DDR4 产品出现供应紧俏的情况。” 在采访中，记者还了解到，所谓 EOL 通知，是半导体行业中一份具有 “最后通牒” 意味的官方文书，它意味着上游原厂将正式停止该型号产品的接单和生产，并给出一个 “最终采购（Last Time Buy）” 的截止日期。 对于下游客户而言，这无异于一道选择题：要么精准预估未来数年的产品需求，投入巨额资金进行一次性的战略备货；要么，立刻投入同样高昂的研发成本和时间成本，对现有产品进行硬件重新设计，以适配新一代的元器件。 无论是哪种选择，都充满了风险与不确定性。上述深圳一家存储厂商的市场负责人就向记者表示：“部分原厂正是通过控制晶圆原材料的供应节奏和价格，对市场价格走势产生了显著影响。” 许家源也给出了相同的判断，即原厂的 EOL 时程规划，推动了模组厂积极备货 DDR4 颗粒。 作为产业核心玩家之一，存储模组龙头江波龙亦在其近期发布的一份投资者交流纪要中指出：“近期受存储晶圆原厂决定战略性部分退出 DDR4 业务的影响，部分 DDR4 价格在短期内明显上扬。” 于是，恐慌性的备货潮，叠加部分炒家的囤积居奇，迅速抽干了市场的流动性，并最终导致了 “有价无市” 的僵局。 在 7 月上旬于华强北走访过程中，记者了解到，自 6 月以来，渠道 DDR4 价格在连续上涨后，市场开始有所降温，个别产品因前期涨幅过大，买卖双方陷入持续的拉锯和僵持阶段，出现了成交乏力的情况。 但事实上，在二季度价格反转之前，整个存储行业刚刚经历了一轮残酷的下行周期。 根据佰维存储在其一季报中的描述，存储市场价格在 2025 年第一季度达到了 “阶段性低点”。这种市场低谷也直接反映在了产业链中游厂商的业绩上，根据公开财报，佰维存储当季净亏损达 1.97 亿元，而另一家存储模组龙头江波龙同期亦出现 1.52 亿元的净亏损。 前述存储厂商的市场负责人告诉记者，尽管 DDR5 是未来趋势，但在工业控制、安防监控、电视机顶盒等对性能要求不高、但对稳定性和兼容性要求极高的利基市场，DDR4 仍是更具性价比的选择。此外，记者亦了解到，部分仍在服役的英特尔旧款 CPU 平台仅支持 DDR4，也构成了其需求的底层支撑，正是这部分刚性需求，为市场的询价提供了热度基础。 这种需求的 “刚性”，根植于利基市场本身的产品特性：与快速迭代的消费电子不同，一套工业控制系统、一个车载娱乐模块或是一个安防摄像头主板，其生命周期往往长达 5 至 10 年。在此期间，任何核心元器件的微小改动，都可能意味着整个硬件方案的重新设计、软件的重新适配，以及一整套漫长且昂贵的行业认证流程，因此，对于这些领域的制造商而言，在产品生命周期内维持供应链的稳定性，其重要性远高于追逐最新的技术参数，一次性地高价备货旧款 DDR4，其综合成本，往往仍低于更换平台、重新认证的隐性成本。 闪存市场方面亦指出，高昂的 DDR4 RDIMM 价格已经使得服务器终端客户 “抵触心理日渐强烈”，除了无法避免的 “零星急单” 外，大客户们普遍不愿在这个时点 “高位接盘”。 而在对价格更为敏感的消费类市场，大部分终端客户则选择了 “松手” 并转换赛道。对此，闪存市场分析称，DDR4 与 DDR5 之间日益缩小的价差乃至 “倒挂”，正在 “倒逼” PC 市场的渠道客户 “从 DDR4 升级至 DDR5”。一位华强北的商家也向记者表示，在 DDR4 现货短缺的情况下，会主动推荐客户转向供应更稳定、价格差距不大的 DDR5 产品。 至此，一幅复杂的市场图景得以呈现：上游暴力拉涨，中游恐慌抢货，下游则在刚需、抵触与被迫转向之间分化。而这一切看似混乱的市场行为，最终都指向了同一个源头——HBM。 <h2>“虹吸效应”</h2> 深圳华强北的柜台上，DDR4 的报价单日日更新，而在千里之外的韩国与美国，全球三大存储原厂的业绩说明会上，这个曾经的利润支柱，却几乎没有被提及，所有人的目光，都聚焦在了一个新的名字上。 比如，美光科技（Micron）总裁兼 CEO 桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在该公司 2025 财年第三季度业绩报告中，将公司创纪录的营收表现，直接归因于对 “人工智能驱动下日益增长的内存需求” 的满足。他所说的 “内存需求”，其核心正是 HBM。作为 AI 服务器中高算力 GPU 芯片不可或缺的 “左膀右臂”，HBM 已成为当前这场 AI 浪潮中最确定的增量市场之一。 事实上，存储巨头们对 HBM 的战略倾斜，已经体现在了实实在在的财务数据和经营目标上。美光的财报显示，其 2025 财年第三季度实现了创纪录的营收，其中 “HBM 营收实现了近 50% 的环比增长”；SK 海力士则在其 2025 年第一季度业绩说明中，维持了其 2025 年 HBM 需求 “同比增长 2 倍” 的展望，并已在今年 3 月向客户交付了 “全球首批 HBM4 12Hi 样品”，以彰显其技术领导力；三星电子同样在其 2025 年一季度业绩说明中，将 “扩大增强型 HBM3E 12H 产品的销售” 列为核心目标 。 许家源告诉记者，正是这种超高的市场增长预期，才使得原厂做出 “产能优先保障生产 Server DRAM 及 HBM” 的决策。当然，对 HBM 的资源聚焦，也直接导致了对传统产品线产能的 “计划性” 压缩，这是一项贯穿原厂所有产品线的全局性战略。 根据闪存市场 7 月 2 日发布的存储市场展望报告，DRAM 方面，LPDDR4X 在手机中的需求占比仍然较大，在原厂产线切换后，预计手机 LPDDR4X 整体存在约 15%～20% 的供应缺口，尤其 6GB 及以下低容量 LPDDR4X 供应十分有限，将推动三季度 LPDDR4X 合约出现 20% 以上的环比涨幅，并且逼近 LPDDR5X 的 ASP（Average Selling Price，平均销售价格）。 眼下，无论是 PC 用的 DDR4，还是手机用的 LPDDR4X，这些上一代的、利润空间相对微薄的产品，都在为 HBM 和 DDR5“让路”。但存储原厂的晶圆产能并非可以无限扩张，一座先进的晶圆厂投资动辄百亿美元，其总产能在一个时期内是相对固定的，而在有限的总产能下，生产决策就成了一道关于成本的数学题。 更重要的是，与传统 DRAM 相比，HBM 的制造工艺更为复杂，不仅需要占用更多的晶圆面积，还需要额外的硅通孔（TSV）和先进封装工艺，这意味着生产一片 HBM 晶圆所要消耗的综合产能和资源，远高于一片同尺寸的 DDR4 晶圆。 在这道数学题面前，当 HBM 能带来数倍的利润时，技术成熟、利润空间早已被严重压缩的 DDR4，便成了那个最先从产能规划中被 “优化” 掉的选项。但另一方面，存储三巨头的此次战略上的调整，在为自身开创 HBM 高利润时代的同时，也客观上在 DDR4 等传统市场留下了一个巨大的、有待填补的真空。 “国际大厂如美光、三星等逐步退出部分中低阶或特定类型产品的市场竞争，客观上为本土厂商提供了宝贵的市场空间和客户导入机会。” 前述深圳存储厂商的市场负责人向记者表示。 在企业级市场，江波龙在近日发布的投资者交流纪要中亦称，随着 AI 应用的不断加速，客户基于 “本地化、信息安全和供应安全等因素，也将会考虑更多地采用国产企业级存储产品”。该公司已具备 “eSSD+RDIMM”（即企业级固态硬盘与服务器内存条，均为数据中心的核心存储部件）的产品设计与规模供应能力，并正积极推进 TCM（技术合约制造）模式，以 “部分地降低价格波动产生的影响”。 佰维存储则在其近日披露的投资者交流纪要中表示，公司正依托 “研发封测一体化” 的布局，在 AI 手机、AI PC、AI 眼镜等新兴 AI 端侧领域获得先发优势，其 ePOP（一种将闪存与内存芯片集成封装的嵌入式存储技术，因其小尺寸、低功耗，并可通过堆叠节省大量内部空间，被广泛应用于智能手表、AI 眼镜等小型智能设备）系列产品已进入 Google、Meta、小米等知名企业的供应链体系。 “目前国内存储晶圆厂、存储模组厂、存储控制芯片厂、封测厂正通力合作，营造存储产业生态，形成产业闭环。” 德明利在其 5 月份举办的业绩说明会上也表示，随着国内存储器产业链的逐步发展和完善，“国内下游存储模组及控制芯片厂商迎来重要发展机遇”。 眼下，对于中国的存储产业链而言，三大原厂的 “HBM 产能大迁徙”，或许不仅仅是一次市场重构，也为已具备技术实力和市场准备的本土厂商提供了难得的机遇。但前述深圳存储厂商的市场负责人在接受记者采访时也坦言，尽管国际大厂的退出让出了市场空间，但本土厂商依然面临许多现实上的挑战。比如，目前国内企业与国际巨头在 HBM 以及最先进的 DRAM 制程等高性能存储领域，“仍存在一定差距，研发和生产能力还需要进一步提升”。 与此同时，一位长期关注半导体产业的分析师也向记者表示，供应链的自主可控能力，特别是上游关键的制造设备、核心材料等，仍是制约部分本土企业发展的关键瓶颈。因此，能否在抓住 DDR4 这一轮结构性市场机遇的同时，补上在 HBM 等下一代技术上的核心短板，将是中国存储厂商在这场由 AI 带来的产业重构中，亟待回答的考题。风险提示及免责条款 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。</div>

三星电子

DDR4 内存近期在市场上出现价格倒挂现象，16Gb eTT 颗粒价格已涨至 4.50 美元，超过了新一代 DDR5 的 4.00 美元。市场需求仍存在，但商家对 DDR4 报价谨慎，频繁缺货。分析师指出，三星和 SK 海力士的产能优先保障高带宽存储器（HBM），导致 PC DRAM 和 mobile DRAM 产出受限，供需错配是 DDR4 涨价的直接原因。

- DDR4 内存近期在市场上出现价格反常现象，反超 DDR5。  
- 供需错配导致价格上涨，部分行业对 DDR4 存在刚性需求。  
- 三大存储厂商逐步退出 DDR4 业务，为本土厂商提供市场机会。

DDR4 价格倒挂调查：HBM 芯片如何引爆 “过时” 内存涨价潮？