中瓷电子发布投资者关系活动记录表，2025 年上半年，碳化硅芯片晶圆工艺线经过升级改造由 6 英寸升级为 8 英寸，目前已通线，处于产品升级及客户导入阶段；陶瓷零部件新产品研发实现阶段性进展，已通过国产半导体设备上机验证，并实现批量供货。公司光通信器件外壳传输速率已覆盖 2.5Gbps、10Gbps、25Gbps、100Gbps、200Gbps、400Gbps、800Gbps、1.6Tbps 并均已实现量产，目前正积极配合客户进行 3.2Tbps 产品的研发工作。此外，公司氮化铝多层薄厚膜产品实现快速增长，产品应用于高频高速光模块中，应用于 AI 智能和数据中心等新场景。

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<p>中瓷电子发布投资者关系活动记录表，宣布碳化硅芯片晶圆工艺线已完成从 6 英寸升级至 8 英寸，现处于产品升级及客户导入阶段。同时，陶瓷零部件新产品研发取得阶段性进展，已实现批量供货。光通信器件外壳的传输速率覆盖多个档次，并已实现量产，正积极研发 3.2Tbps 产品。此外，氮化铝多层薄厚膜产品在高频高速光模块中实现快速增长，应用于 AI 智能和数据中心等新场景。</p>

中瓷电子：碳化硅芯片晶圆工艺线处于产品升级及客户导入阶段