在 AI 永不满足的需求驱动下，全球存储芯片市场正进入一场前所未有的 “饥饿游戏”。
据追风交易台消息，摩根大通分析师 Jay Kwon、Sangsik Lee 等在近日发布的报告中表示，由云服务提供商引领的 “内存饥渴” 趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段。
报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自 AI 计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽内存（HBM）迅速扩展至传统 DRAM 和 NAND 闪存。市场动态显示，供应商在未来 12 个月内可能难以满足全部需求，从而支撑价格持续走强。
这场行业变局不仅限于 DRAM 市场的价格复苏，NAND 闪存市场同样在经历强劲反弹，部分原因是硬盘驱动器（HDD）出现严重短缺，迫使客户转向企业级固态硬盘（eSSD）。
因此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将 2025 至 2026 年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了 6% 至 24%，并预计到 2027 年，市场规模将达到近 3000 亿美元。
<h2>HBM 引领，DRAM 迎来罕见长周期</h2>
报告明确指出，DRAM 市场正迎来一个从 2024 年持续至 2027 年的 “前所未有的四年定价上行周期”。这一罕见的长周期打破了过去数年 “大起大落” 的行业规律，其背后的稳定器正是 HBM。
报告预测，到 2027 年，HBM 在 DRAM 市场总价值中的占比将高达 43%。HBM 的高价值和强劲需求将有效平滑传统 DRAM 价格的周期性波动，从而抬高整个 DRAM 市场的利润底线。
报告认为，即使在 2026 年 HBM3E 产品可能因供应增加而降价，但由于下一代 HBM4 将享有约 35% 的溢价，混合 HBM 平均售价（ASP）在 2026 年仍不太可能下降。
竞争格局方面，SK 海力士被认为在 HBM4 的竞赛中处于领先地位，有望比竞争对手更早获得英伟达的认证，这可能使其占据超过 60% 的市场份额。报告认为，三星电子和美光或将争夺剩余的 HBM4 订单。
<h2>全球存储市场规模或达 3000 亿美元</h2>
本轮存储芯片需求的广度是其核心特征之一。除了作为焦点的 HBM，需求正向更多元化的应用扩展，共同加剧了供应紧张的局面。
报告强调，用于英伟达下一代 Vera CPU 的 SOCAMM2 内存模组，以及用于 Rubin CPX GPU 的 GDDR7 显存，都将成为拉动 DRAM 需求的新增长点。
AI 推理、AI 服务和边缘 AI 应用的兴起，要求通用服务器也必须升级内存配置，以获得更低的延迟和更优的功耗表现。
基于此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将 2025 至 2026 年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了 6% 至 24%，并预计到 2027 年，市场规模将达到近 3000 亿美元。
报告预计，到 2027 年，仅 AI 相关应用就将占据 DRAM 市场 TAM 的 53%。为应对需求激增，存储芯片制造商预计将在 2026 至 2027 年将资本支出（Capex）提高 7% 至 12%，其中 DRAM 的产能扩张将是优先事项。
<h2>NAND 市场复苏强劲，eSSD 成关键增长点</h2>
在经历了长达两年的投资不足后，NAND 闪存市场也迎来了强劲的定价复苏。
报告分析，这一转变主要得益于企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增。一个关键的外部因素是传统硬盘驱动器（HDD）的供应短缺。据媒体报道，部分近线 HDD 的交付周期已长达 52 周。这使得原本主要由 HDD 主导的近线存储市场，开始大规模将 eSSD 作为替代方案。
与此同时，随着 AI 模型从训练转向推理应用，对数据读取速度和延迟的要求变得更高，这使得 NAND 的结构性重要性日益凸显。
摩根大通预计，NAND 价格仍有进一步上涨空间，其混合平均售价在 2026 财年将同比增长 7%。报告同时补充称，虽然 AI 推理对存储的需求是结构性的，但其确定性不如 HBM 之于 GPU 计算，因此对 NAND 市场的长期前景持相对审慎乐观的态度。

美光科技

三星电子

摩根大通认为，在 AI 计算对高性能内存的巨大需求的推动下，“内存饥渴” 趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段，DRAM 市场正迎来一个从 2024 年持续至 2027 年的 “前所未有的四年定价上行周期”，预计到 2027 年，全球存储市场规模将达到近 3000 亿美元。

- 全球存储芯片市场因 AI 需求进入结构性增长阶段。  
- 摩根大通预测到 2027 年市场规模将达近 3000 亿美元。  
- NAND 闪存市场因 eSSD 需求激增而强劲复苏。  

存储芯片：“饥饿游戏” 开启，一场为期四年的上行周期