智通财经 APP 获悉，纳微半导体 (NVTS.US) 宣布在研发先进的 800 伏直流 (800 VDC) 氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件方面取得进展，以支持英伟达 (NVIDIA) 最新发布的用于下一代人工智能 (AI) 计算平台的 800 高压直流 (HVDC) 架构。受此消息提振，纳微半导体周一美股收涨 21.14%，盘后再涨超 30%。数据显示，纳微半导体股价在过去六个月内狂飙逾 350%。今年 5 月，5 月 21 日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代 800 伏高压直流 (HVDC) 架构，为包括 Rubin Ultra 在内的 GPU 提供支持的 “Kyber” 机架级系统供电。纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。据悉，新的电源架构旨在解决 AI 工厂 (即专为大规模人工智能与高性能计算负载而设计的数据中心) 中的电力分配挑战。传统的机架内 54 伏电源分配已无法满足多兆瓦级机柜的功率密度需求。凭借流动比率高达 8.23、债务股权比仅为 0.02 的强劲资产负债表，纳微半导体在为其技术进步项目提供资金方面处于有利地位。根据该公司新闻稿，这种 800 伏直流配电系统可在数据中心内实现从公用电力到 800 伏直流的直接转换，从而消除多个传统转换阶段。这种方法旨在最大化能效、减少能量损耗，并提升系统可靠性。纳微半导体推出了一款专为 GPU 电源板上低电压 DC-DC 转换阶段设计的新型 100 伏 GaN 场效应晶体管 (FET) 产品组合。该公司表示，这些元件通过与 Power Chip 的战略合作，在 200 毫米 GaN-on-Si 工艺上制造。此外，纳微半导体还提供 650 伏 GaN 产品和高压 SiC MOSFET，用于支持数据中心基础设施中不同阶段的电力转换。纳微半导体总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 在声明中表示：“随着英伟达引领 AI 基础设施的变革，我们很自豪能以先进的 GaN 和 SiC 电源解决方案支持这一转型，为下一代数据中心提供所需的高效性、可扩展性和可靠性。”该公司将其技术定位为支持现代 AI 数据中心从 “电网到 GPU” 的全链路电力系统，为包括英伟达 Rubin Ultra 在内的先进计算平台提供高压配电与负载端转换的整体解决方案。此外，纳微半导体宣布管理层变动，Chris Allexandre 将于 2025 年 9 月 1 日正式接任公司总裁兼首席执行官，接替联合创始人 Gene Sheridan。在此背景下，Rosenblatt 维持对纳微半导体的 “买入” 评级，但将目标价下调至 8.00 美元，理由是尽管该公司季度业绩符合预期，但未来指引低于市场一致预期。

英伟达

2 倍做多英伟达 ETF - GraniteShares

南方两倍做多英伟达

南方两倍做空英伟达

英伟达期权收益策略 ETF - YieldMax

1 倍做空英伟达 ETF - Direxion

2 倍做多 NVDA ETF - T-Rex

2 倍做空 NVDA ETF - T-Rex

半导体 3 倍做多 - Direxion

纳微半导体在研发 800 伏直流氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件方面取得进展，以支持英伟达的 800 高压直流架构。此消息推动纳微股价上涨 21.14%，盘后再涨超 30%，过去六个月股价飙升逾 350%。该技术旨在解决 AI 数据中心的电力分配挑战，提升能效和系统可靠性。

- 纳微半导体宣布在 800 伏直流氮化镓和碳化硅功率器件研发上取得进展。  
- 受此消息影响，纳微半导体股价周一上涨 21.14%，盘后再涨超 30%。  
- 公司将支持英伟达的 AI 计算平台，提升数据中心电力分配效率。  

纳微半导体股价狂飙！功率器件研发取得进展 将赋能英伟达 800V 电力架构

纳微半导体股价狂飙！功率器件研发取得进展将赋能英伟达 800V 电力架构