纳微半导体股价狂飙！功率器件研发取得进展 将赋能英伟达 800V 电力架构

智通财经 APP 获悉，纳微半导体 (NVTS.US) 宣布在研发先进的 800 伏直流 (800 VDC) 氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件方面取得进展，以支持英伟达 (NVIDIA) 最新发布的用于下一代人工智能 (AI) 计算平台的 800 高压直流 (HVDC) 架构。受此消息提振，纳微半导体周一美股收涨 21.14%，盘后再涨超 30%。

数据显示，纳微半导体股价在过去六个月内狂飙逾 350%。今年 5 月，5 月 21 日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代 800 伏高压直流 (HVDC) 架构，为包括 Rubin Ultra 在内的 GPU 提供支持的 “Kyber” 机架级系统供电。纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。

据悉，新的电源架构旨在解决 AI 工厂 (即专为大规模人工智能与高性能计算负载而设计的数据中心) 中的电力分配挑战。传统的机架内 54 伏电源分配已无法满足多兆瓦级机柜的功率密度需求。凭借流动比率高达 8.23、债务股权比仅为 0.02 的强劲资产负债表，纳微半导体在为其技术进步项目提供资金方面处于有利地位。

根据该公司新闻稿，这种 800 伏直流配电系统可在数据中心内实现从公用电力到 800 伏直流的直接转换，从而消除多个传统转换阶段。这种方法旨在最大化能效、减少能量损耗，并提升系统可靠性。

纳微半导体推出了一款专为 GPU 电源板上低电压 DC-DC 转换阶段设计的新型 100 伏 GaN 场效应晶体管 (FET) 产品组合。该公司表示，这些元件通过与 Power Chip 的战略合作，在 200 毫米 GaN-on-Si 工艺上制造。此外，纳微半导体还提供 650 伏 GaN 产品和高压 SiC MOSFET，用于支持数据中心基础设施中不同阶段的电力转换。

纳微半导体总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 在声明中表示：“随着英伟达引领 AI 基础设施的变革，我们很自豪能以先进的 GaN 和 SiC 电源解决方案支持这一转型，为下一代数据中心提供所需的高效性、可扩展性和可靠性。”

该公司将其技术定位为支持现代 AI 数据中心从 “电网到 GPU” 的全链路电力系统，为包括英伟达 Rubin Ultra 在内的先进计算平台提供高压配电与负载端转换的整体解决方案。

此外，纳微半导体宣布管理层变动，Chris Allexandre 将于 2025 年 9 月 1 日正式接任公司总裁兼首席执行官，接替联合创始人 Gene Sheridan。在此背景下，Rosenblatt 维持对纳微半导体的 “买入” 评级，但将目标价下调至 8.00 美元，理由是尽管该公司季度业绩符合预期，但未来指引低于市场一致预期。