人工智能引发的内存 “超级周期” 正全面加速，迫使全球主要供应商大幅提价，并推动客户争相锁定长期供应，以应对日益加剧的短缺风险。
据媒体 23 日报道，三星电子与 SK 海力士已在第四季度将其 DRAM 和 NAND 闪存的价格上调最高达 30%，并将新的价格体系传导至客户。此举是内存巨头对当前市场供需失衡的直接回应，价格上涨周期已正式开启。
随着市场对供应短缺的担忧加剧，大型客户正在采取罕见的行动。据报道，部分美国的电子公司及数据中心运营商，正与三星和 SK 海力士洽谈长达 2 至 3 年的中长期供应合同。
市场普遍预计，这场由 AI 驱动的供应短缺将比以往任何一次繁荣周期都更长、更强。报道援引分析师观点指出，短缺状况可能持续三到四年。这一预测的背后，是价值数百万亿韩元的新增 AI 服务器投资、通用服务器的持续内存升级，以及端侧 AI 设备需求崛起等多重因素的叠加。
<h2>HBM 挤占产能加剧供应紧张</h2>
面对持续的供应紧张预期，内存市场的采购模式正发生结构性转变。
传统上，企业为保持库存管理灵活性，普遍倾向于签订季度或年度的 DRAM 合同。然而，由于预测显示通用 DRAM 将持续短缺，企业正日益转向提前锁定额外供应。美国的电子巨头及数据中心运营商已经开始探索与韩国两大内存制造商签订 2 至 3 年的中长期协议，以确保其未来几年的供应链稳定。
DRAM 价格攀升的部分原因在于产能受到高带宽内存（HBM）的挤压。据报道援引美光首席商务官 Sumit Sadhana 的言论，HBM 消耗的晶圆产能是标准 DRAM 的三倍以上。由于利润丰厚，内存制造商有充分的动力优先生产 HBM。分析预计明年出货的 12 层 HBM4 产品的售价为每片 500 美元，较目前约 300 美元的 12 层 HBM3e 价格高出 60% 以上。
<h2>AI 热潮推动全方位需求</h2>
本轮内存超级周期的驱动力不仅局限于 HBM，而是呈现出全方位的需求增长。分析师认为，此轮周期的强度和长度将超过以往。驱动因素包括：企业在 AI 服务器领域的巨额新投资、通用服务器为支持 AI 应用而进行的内存升级，以及智能手机、PC 等设备上 “端侧 AI” 功能的普及。
此外，随着 AI 投资重心从大规模数据训练转向推理应用，市场对通用 DRAM 的需求也在同步攀升，因为通用 DRAM 在处理速度和功耗方面具备优势，这进一步加剧了整个 DRAM 市场的供不应求局面。

三星电子

三星和 SK 海力士在 Q4 已将 DRAM 和 NAND 闪存价格上调高达 30%，美国电子巨头和数据中心运营商正与韩国供应商洽谈长达 2 至 3 年的中长期供货合同。HBM 生产挤占通用 DRAM 产能是涨价主因，分析师预计此轮短缺状况可能持续三到四年。

- 人工智能引发内存 “超级周期”，全球供应商大幅提价。  
- 三星与 SK 海力士将 DRAM 和 NAND 价格上调最高达 30%。  
- 大型客户争相锁定长期供应合同以应对短缺风险。

存储芯片 “超级周期” 加速：三星、SK 海力士双双涨价 30%，有客户锁定 2-3 年长协