三星电子正通过公布其下一代芯片制造技术的具体性能指标，加大对行业领导者台积电的追赶力度。
据媒体报道，三星电子首次公布了其即将推出的 2 纳米芯片工艺的首批性能数据。首代 2 纳米工艺采用了全栅极环绕（GAA）晶体管技术，相比第二代 3 纳米工艺，性能提升 5%，功耗效率提高 8%，芯片面积缩小 5%。
这一发布标志着三星的 2 纳米蓝图从概念性描述转向了具体的规格展示，意在向市场和潜在客户证明其技术实力。
目前，全球晶圆代工市场格局高度集中。台积电掌控着超过 70% 的市场份额，而三星的份额约为 7%。大多数分析师预计，鉴于台积电在高产量、生产稳定性以及满足 AI 加速器和数据中心芯片强劲需求方面的优势，其领先地位短期内难以动摇。
然而，市场动态正在发生微妙变化。报道指出，由于台积电的先进工艺产能持续紧张，部分客户开始寻求替代方案，这为三星创造了机会。三星晶圆代工业务正因此吸引到来自大型科技公司和初创企业的订单，客户基础得以拓宽。
据相关行业消息，三星近期已开始为美国人工智能初创公司 Chaboraite 生产基于 4 纳米工艺的处理器芯片。此外，三星还在 2 纳米工艺上与特斯拉等公司展开合作。
韩国业内人士认为，尽管台积电目前占据绝对优势，但从 2 纳米节点开始，全球晶圆代工市场的竞争可能会加剧。

台积电

三星电子

三星电子 2 纳米芯片较第二代 3 纳米工艺性能提升 12%、能效提升 25%，芯片面积缩小 5%。目前全球晶圆代工市场由台积电主导，占据超 70% 份额，而三星份额约 7%。但随着台积电产能持续紧张，部分客户开始寻求替代方案，三星已获特斯拉合作意向，后续市场竞争或将加剧。

- 三星电子公布 2 纳米芯片工艺性能数据，提升 5% 性能和 8% 功耗效率。  
- 全球晶圆代工市场高度集中，台积电占 70% 份额，三星约 7%。  
- 市场动态变化，部分客户寻求替代方案，三星吸引新订单。  

三星公布首批 2 纳米芯片性能数据，加速追赶台积电