<div id="readability-page-1">SK 海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 11 月 20 日，据韩国媒体报道，韩国内存芯片巨头——SK 海力士计划明年将第六代 10 纳米 DRAM（1c DRAM）月产能从目前约 2 万片 300mm 晶圆提升至 16 万至 19 万片，增幅达 8 至 9 倍，占其 DRAM 总产能的三分之一以上。 报道称，据半导体行业消息人士透露，扩产后的 1c DRAM 将主要用于生产 GDDR7 和 SOCAMM2 等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。这一战略调整反映出AI 推理应用对成本效益更高的通用 DRAM 需求激增，该公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的 AI 内存市场。 同时，据华尔街见闻此前文章，SK 海力士近期与英伟达完成 HBM4 供应谈判，成功将价格提升逾 50% 至每颗 500 美元以上。据媒体报道，该公司已提前售罄明年产能，在 HBM 和通用 DRAM 市场均占据有利定价地位。 业内人士预计，SK 海力士明年设施投资额将轻松突破 30 万亿韩元，较今年预计的 25 万亿韩元大幅增长。市场预测该公司明年营业利润有望超过 70 万亿韩元，创下历史新高。 <h2>尖端制程产能实现跨越式扩张</h2> SK 海力士的产能提升计划集中在最先进的 1c DRAM 技术节点。 报道指出，据行业消息人士透露，该公司计划明年在利川园区通过工艺升级新增 14 万片月产能，这被视为&#34;最低增幅&#34;。部分业内人士表示，SK 海力士也在考虑将月产能提高 16 万至 17 万片。 按照 SK 海力士目前每月平均 50 万片 DRAM 晶圆进料量计算，超过三分之一的产能将投入到先进的 1c DRAM 生产。 该公司已将 1c DRAM 的良率提升至 80% 以上，该制程主要用于制造 DDR5、LPDDR 和 GDDR7 等最新通用 DRAM 产品。 这一激进的产能扩张计划显示 SK 海力士对 AI 驱动的内存需求持续繁荣抱有强烈信心。分析指出，相比需要复杂堆叠工艺的 HBM，1c DRAM 的生产效率更高，能够更快速响应市场需求的爆发式增长。 <h2>AI 推理应用重塑市场需求结构</h2> SK 海力士战略调整的核心逻辑在于 AI 应用重心的转变。 报道称，此前该公司将产能重点放在 HBM 上，判断 HBM 需求增长将超过通用 DRAM。但随着 AI 模型从学习扩展到推理领域，通用 DRAM 的需求增速预计将与 HBM 相当。 在 AI 推理应用中，比 HBM 更节能、更经济的先进通用 DRAM 成为主流选择。 英伟达近期发布的 AI 加速器 Rubin CPX 采用的是 GDDR 显存而非 HBM 显存，直接部署在处理器旁边。谷歌、OpenAI 和亚马逊网络服务等大型科技公司也在开发集成大量通用 DRAM 的定制 AI 加速器。 英伟达使用的 SOCAMM2 内存模块同样采用 1c DRAM。SOCAMM 是英伟达主导的面向 AI 服务器和 PC 的内存模块标准，与 HBM 相比带宽较低但能效更高。 英伟达计划在其专有 CPU Vera 旁边部署 SOCAMM2，业内人士预测 SK 海力士将获得一定数量的供应订单。 据 DRAMeXchange 数据，DDR4 固定交易价格 9 月突破 7 美元，创 6 年 10 个月来新高。这是因为近年主要存储芯片企业集中扩充 HBM 产线，导致通用型 DRAM 供应瓶颈蔓延。 一位业内人士表示，随着推理 AI 市场快速扩张，存储芯片供应短期内无法跟上需求。 <h2>HBM4 涨价逾 50% 巩固盈利能力</h2> 据华尔街见闻文章，媒体早前报道指出，SK 海力士在与英伟达的 HBM4 供应谈判中成功将价格提升逾 50% 至每颗 500 美元以上。这款 HBM4 将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代人工智能芯片 Rubin。 HBM4 的大幅提价有技术基础支撑。该产品的数据传输通道达到 2048 个，是前代 HBM3E 的两倍。 此外，连接图形处理器和 HBM 的基础芯片中新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺。考虑到这些技术进步带来的成本增加，SK 海力士从 HBM4 开始将此前自主生产的基础芯片外包给台积电。 英伟达最初对大幅涨价表现出抗拒，考虑到三星电子和美光将大规模供应 HBM4，双方一度陷入僵持。 但最终供应价格敲定在 SK 海力士提议的水平。一位 SK 海力士高管表示，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4 具备大幅提价的因素。 SK 海力士今年 3 月率先向英伟达交付全球首个 HBM4 12 层堆栈样品，6 月即开始供应初始批次。 该公司近期向机构投资者表示，已锁定符合英伟达规格产品的价格和供应量，正在维持当前盈利能力。这意味着即使三星电子和美光进入 HBM4 市场，也不会对 SK 海力士的业绩产生不利影响。 <h2>双轮驱动推高明年业绩预期</h2> 报道还指出，在扩大通用 DRAM 产能的同时，SK 海力士并未放缓 HBM 布局。 该公司正在扩大 1b DRAM 产能，用于明年正式向英伟达供应的 HBM4。位于清州园区的全新 M15X 工厂计划于今年年底投产，这条 1b DRAM 生产线平均每月可生产 6 万片晶圆。 业界估算 SK 海力士的 HBM4 利润率约为 60%。市场预计该公司明年 HBM 销售额约为 40 万亿至 42 万亿韩元。 若维持与今年相同的利润率，SK 海力士仅 HBM 业务就将产生约 25 万亿韩元营业利润，较今年的 17 万亿韩元增长近 50%。 随着全球 AI 基础设施投资热潮推动，通用型 DRAM 价格同步飙升。分析显示，随着 DRAM 价格上涨，SK 海力士明年通用型 DRAM 营业利润率也可能接近 50% 至 60%。一位业内人士表示，SK 海力士在产品生产前就已售罄明年产能，因此将维持高利润率。 综合 HBM4 的高利润率和通用型 DRAM 价格上涨因素，市场预测 SK 海力士明年营业利润有望超过 70 万亿韩元，创下历史新高。这一预期建立在该公司已确保 HBM4 盈利能力、产能提前锁定以及 AI 内存需求持续旺盛的基础上。风险提示及免责条款 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。</div>

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SK 海力士计划大幅扩张其第六代 10 纳米 DRAM 产能，预计明年将月产能从 2 万片提升至 16 万至 19 万片，以满足 AI 推理应用的市场需求。该公司已与英伟达完成 HBM4 供应谈判，并计划在利川园区新增 14 万片月产能。业内预计其明年设施投资将超 30 万亿韩元，营业利润或超 70 万亿韩元，创历史新高。

- SK 海力士计划明年将 10 纳米 DRAM 月产能提升至 16 万至 19 万片。  
- 扩产后的 DRAM 将主要用于满足英伟达等科技公司的订单需求。  
- 预计明年营业利润将超过 70 万亿韩元，创历史新高。  

押注"AI 内存超级周期"，SK 海力士明年 10 纳米 DRAM 产量将增至 8 倍