美国国际贸易委员会初步裁定英诺赛科侵犯了英飞凌的专利

美国国际贸易委员会（ITC）初步裁定英诺赛科侵犯了英飞凌与氮化镓技术相关的专利（美国专利号 9,899,481）。英飞凌主张的两个专利均被认为有效。最终裁决预计将在 2026 年 4 月作出，这可能导致英诺赛科产品在美国的进口禁令。英飞凌强调其致力于捍卫专利和促进创新。与此同时，德国也正在进行平行法律行动，英飞凌获得了有利的裁决

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美国国际贸易委员会初步裁定 Innoscience 侵犯 Infineon 专利

在一项初步裁定中，美国国际贸易委员会（ITC）发现中国 Innoscience（苏州）科技控股有限公司侵犯了德国慕尼黑的 Infineon Technologies AG 拥有的一项专利（US 9,899,481），该专利涉及氮化镓（GaN）技术。Innoscience 在 8 英寸硅晶圆上制造氮化镓功率芯片。此外，ITC 确认 Infineon 在 ITC 程序中主张的两项专利（US 9,899,481 和 9,070,755）在法律上有效。

此案的核心是 Innoscience 未经授权使用 Infineon 的专利 GaN 技术。委员会的最终裁定预计将在 2026 年 4 月 2 日发布。如果这一初步决定得到确认，将导致 Innoscience 涉嫌侵权产品禁止进口到美国。

“这一裁决再次证明了 Infineon 知识产权的强大，并确认我们致力于积极捍卫我们的专利组合，确保市场公平竞争，” Infineon GaN 系统业务线高级副总裁兼负责人 Johannes Schoiswohl 表示。“我们将继续致力于推动创新和推进半导体技术，以应对全球最紧迫的挑战，从脱碳到数字化转型。”

在德国的平行争议中，德国专利局最近确认了一项 Infineon 专利的有效性，并以稍微修改的形式维持该专利。Infineon 在慕尼黑地区法院主张该专利（DE102017100947）被侵犯。早在 8 月，慕尼黑地区法院 I（Landgericht München I）就发现 Innoscience 侵犯了另一项 Infineon 专利（DE102014113465）。

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