威世科技推出了采用 MAACPAK PressFit 封装的 1200V SiC MOSFET 功率模块
威世科技（Vishay Intertechnology Inc）推出了两款新的 1200V SiC MOSFET 功率模块，采用 MAACPAK PressFit 封装，旨在提高汽车和电信系统等各种应用中的效率和可靠性。这些模块采用先进的碳化硅技术，具有降低开关损耗和提高效率的特点。它们符合 RoHS 标准，无卤素，并可订购，交货时间为 13 周
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Vishay 推出 1200V SiC MOSFET 功率模块，采用 MAACPAK PressFit 封装
美国宾夕法尼亚州马尔文的离散半导体和被动电子元件制造商 Vishay Intertechnology Inc 推出了两款新的 1200V MOSFET 功率模块，旨在提高汽车、能源、工业和电信系统中中高频应用的效率和可靠性。这两款模块分别在低轮廓的 MAACPAK PressFit 封装中提供四个和六个 MOSFET，Vishay Semiconductors 的 VS-MPY038P120 和 VS-MPX075P120 结合了最新的碳化硅（SiC）技术和坚固的转移模具结构。
这些新功率模块集成了 Vishay 最新一代的 SiC MOSFET 和用于温度感测的 NTC 热敏电阻，以及具有低反向恢复的快速内在 SiC 二极管。其结果是降低了开关损耗，提高了太阳能逆变器、电动（EV）和混合动力电动（HEV）汽车的充电器、电机驱动、焊接设备、DC/DC 转换器、不间断电源（UPS）和暖通空调（HVAC）系统、大规模电池储存系统以及电信电源的效率。
为了提高可靠性，VS-MPY038P120 和 VS-MPX075P120 的坚固转移模具技术使其能够实现比市场上现有的传统解决方案更长的产品生命周期，同时改善热阻。为了实现更高效、更清洁的开关，这些设备的低轮廓有助于减少寄生电感和电磁干扰（EMI），同时节省空间。模块的 PressFit 引脚以矩阵形式排列，符合行业标准布局，便于在现有设计中轻松替换竞争解决方案，以提升性能。
VS-MPY038P120 提供全桥逆变器拓扑，具有 38mΩ的低导通电阻和在 +80°C 下 35A 的连续漏电流，而 VS-MPX075P120 则具有 75mΩ的导通电阻和 18A 的连续漏电流的三相逆变器拓扑。这两款设备都提供高速度的开关，具有低电容，并且具有 +175°C 的高最大工作结温。这些功率模块符合 RoHS 标准且无卤素。
VS-MPX075P120 和 VS-MPY038P120 的样品和生产数量现已可用，交货时间为 13 周。
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