<p>野村证券在 5 日发布的报告中指出，全球存储市场正迎来前所未有的 “三重超级周期”（Triple Super-Cycle），DRAM、NAND 和 HBM（高带宽内存）的需求将在 2026 年同时爆发。</p>
<p>据追风交易台消息，野村证券预测，受人工智能基础设施建设及传统服务器投资回暖的驱动，全球存储市场规模有望在 2026 年同比增长 98% 至 4450 亿美元，并在 2027 年进一步扩大至 5900 亿美元。</p>
<p>报告强调，<strong>这一轮超级周期将持续至 2027 年，主要动力来自强劲的需求增长与有限的供应扩张之间的供需错配。</strong>野村预计，2026 年 DRAM 和 NAND 的需求将分别增长 30%，而 HBM 的需求增幅将高达 63%。在供应受限的背景下，产品价格将大幅上涨，预计 DRAM 和 NAND 的平均售价（ASP）将分别跃升 46% 和 65%，推动存储芯片制造商的营业利润率重回历史高位。</p>
<p>野村指出，除了 AI 服务器的强劲需求外，通用服务器市场的复苏也是关键驱动力。随着大型科技公司恢复传统云服务器投资，预计 2026 年通用服务器相关内存（如 DDR4 和 DDR5）需求将增长约 50%。同时，AI 推理工作负载的增加推动了数据中心对高性能存储的需求，企业级固态硬盘（eSSD）需求预计将在明年翻倍，这将导致 NAND 库存迅速下降并推高价格。</p>
<h2>AI 与通用服务器共振，驱动 HBM 与 DRAM 需求</h2>
<p>野村认为，本次超级周期的核心在于 AI 服务器与通用服务器需求的双重共振。在 AI 领域，随着英伟达推出 Rubin GPU 平台，HBM4 的需求将在 2026 年开始爬坡。野村预计，SK 海力士将在 2026 年第一季度开始出货 HBM4，而三星和美光科技则紧随其后在第二季度跟进。此外，随着 ASIC（专用集成电路）供应商的积极扩产，HBM 厂商对英伟达的单一依赖度将从 2026 年起降低，从而缓解潜在的产能过剩风险。</p>
<p>在通用服务器领域，经历了 2023 年的投资下滑和 2024 年的温和复苏后，野村预计大型科技公司在 2026 年的投资将增长 20% 至 30%。这将直接带动传统 DRAM 产品的需求，使其供应日趋紧张。</p>
<p><strong>野村预测，受强劲需求和产能优先分配给 HBM 的影响，商品 DRAM 的短缺将持续，并在 2026 年至 2027 年将其营业利润率推高至约 70% 的水平。</strong></p>
<h2>数据中心存储转型，引爆 NAND 与 eSSD 市场</h2>
<p><strong>在 NAND 领域，eSSD 正在成为主要的增长引擎，预计将占到 2026 年 NAND 总需求的约 40%。</strong>野村分析称，随着 AI 工作负载从训练转向推理，市场对能够提供实时响应的高性能存储需求激增，甚至导致 HDD（机械硬盘）供应短缺，进而加速了需求向 SSD 的转移。</p>
<p>报告指出，QLC 技术的采用提高了 SSD 的成本效益和总拥有成本（TCO）优势。野村预计，受传统数据中心和 AI 数据中心的双重存储需求驱动，加上 HDD 供应不足，2026 年 eSSD 需求将增长超过 100%。这也将推动 NAND 行业的营业利润率从目前的盈亏平衡或微利状态大幅改善，预计在 2026 年达到 30% 至 40% 的繁荣水平。</p>
<h2>供应瓶颈持续，产能扩张受限于洁净室短缺</h2>
<p>尽管需求端极其强劲，但供应端的反应却受到物理条件的限制。野村强调，由于洁净室（cleanroom）的可用性不足，全球存储行业的供应扩张在 2027 年中期之前将非常有限。这一供应瓶颈已经反映在现货市场上，<strong>自今年 10 月以来，DRAM 现货价格已飙升 200% 至 300%，NAND 晶圆现货价格也上涨了 140%。</strong></p>
<p>野村解释称，即便厂商决定扩产，从设备安装到芯片产出通常需要较长时间。而在当前的技术迁移期（如向 1C 纳米制程过渡），晶圆产能实际上会减少 10% 至 15%，且初期良率较低，导致实际位元产出增长受限。此外，HBM4 的生产需要更多晶圆消耗，进一步挤占了商品 DRAM 的产能。因此，直到 2027 年之前，市场无需担忧大宗存储芯片会出现供应过剩。</p>
<h2>下游成本压力加剧，消费电子需求或受抑制</h2>
<p>虽然上游存储厂商将迎来盛宴，但对于下游的 PC 和智能手机制造商而言，2026 年将是充满挑战的一年。野村警告称，存储芯片价格的飙升将显著推高 PC 和智能手机的 BOM 成本，进而压缩厂商利润或迫使其提价。</p>
<p>报告预测，<strong>受成本上涨及换机需求提前释放的影响，2026 年全球 PC 出货量可能同比下降 2.8%，智能手机出货量或同比下降 1.7%。</strong>特别是对于中低端智能手机，由于存储成本在 BOM 中占比较高（超过 15%），其受到的冲击将远大于旗舰机型。相比之下，苹果凭借高利润率、强大的议价能力和长期供应协议，受存储价格上涨的影响相对较小，其供应链在 2026 年上半年仍有望保持适度增长。</p>

美光科技

三星电子

<p>野村证券认为，全球存储产业将进入 DRAM、NAND 与 HBM“三重超级周期”，在 AI 服务器与通用服务器投资同步回暖下，2026 年市场规模或飙升至 4450 亿美元、同比近翻倍。HBM4 放量、eSSD 需求或翻倍，加上洁净室短缺限制扩产，推高 DRAM 与 NAND 价格与利润率至历史高位。</p>

- 野村证券预测，全球存储市场将迎来 “三重超级周期”，2026 年市场规模将增至 4450 亿美元。  
- 受 AI 基础设施和传统服务器投资回暖驱动，DRAM、NAND 和 HBM 需求将大幅增长。  
- 2026 年，DRAM 和 NAND 平均售价预计分别上涨 46% 和 65%，推动存储芯片制造商利润回升。

三重超级周期！野村：明年 DRAM、NAND 和 HBM 需求同时爆发，有望推动存储市场翻倍