花旗预计半导体三巨头台积电、三星和英特尔即将公布的 2026 年资本开支指引将呈现积极态势，这将为全球晶圆厂设备 (WFE) 市场注入强劲动能。该行维持半导体设备行业正处于第二阶段上行周期的判断，并认为 2026 年全球 WFE 支出正朝着其乐观情景下的 1260 亿美元迈进，高于基准预测的 1150 亿美元。
据追风交易台，花旗在 1 月 5 日发布的研报中指出，预计台积电将把 2026 年资本开支指引设定在 460 亿至 480 亿美元区间，英特尔资本开支将趋于稳定，而三星则可能追随美光的扩产步伐上调投资。三家公司合计占花旗 2026 年全球 WFE 支出模型的约 59%，其资本开支动向对整个半导体设备产业链具有风向标意义。
花旗分析师 Atif Malik 在报告中表示，三巨头更高水平的资本开支将与更高的增长机遇相关联。该行基准模型假设 2026 年 NAND 存储芯片设备支出增长 30%，DRAM 增长 12%，前端逻辑芯片增长 6%。
<h2 style="text-align: left">台积电：资本开支或达 470 亿美元，全年存在上调空间</h2>
花旗预计台积电将在 1 月 15 日美股盘前公布的财报中，将 2026 年资本开支指引设定在 460 亿至 480 亿美元区间，并可能在年内进一步上调。该行自身模型预测台积电 2026 年资本开支为 470 亿美元，且存在额外上行潜力。
根据花旗与投资者的沟通，市场对台积电 2026 年资本开支的预期约为 500 亿美元。这一预期高于花旗的初步预测区间，显示市场对台积电扩产力度持乐观态度。
台积电在去年 10 月的财报电话会议上已将 2025 年资本开支区间从此前的 380 亿至 420 亿美元收窄至 400 亿至 420 亿美元。管理层当时表示，更高水平的资本开支始终与更高的增长机遇相关联，这为 2026 年进一步提升投资规模埋下伏笔。
<h2 style="text-align: left">英特尔：资本开支将企稳，后端客户管线改善提供支撑</h2>
花旗预计英特尔 2026 年资本开支将趋于稳定，主要受益于代工业务特别是后端客户管线的改善。该行模型显示英特尔 2025 年和 2026 年资本开支分别为 180 亿美元和 150 亿美元，而市场预期 (FactSet 数据) 分别为 170 亿美元和 160 亿美元。
英特尔预计将在 1 月 22 日美股盘后公布财报。该公司在去年 10 月的财报电话会议上维持 2025 年总资本开支为 180 亿美元的指引，并预计 2026 年资本开支约为 160 亿美元。
花旗的预测显示，尽管英特尔 2026 年资本开支较 2025 年有所下降，但随着代工业务客户管线的改善，特别是后端封装业务的增长，资本开支水平将趋于稳定而非继续大幅下滑。这对于正在推进 IDM 2.0 战略和代工业务转型的英特尔而言是积极信号。
<h2 style="text-align: left">三星：资本开支存在上调空间，美光大幅增资提供参照</h2>
花旗认为三星 2026 年资本开支存在上行空间，主要依据是竞争对手美光大幅上调了资本开支指引。三星预计将在 1 月 29 日美股盘后公布财报，但该公司通常不会在财报电话会议上提供具体的资本开支指引。
不过，三星管理层此前表示，公司对 2026 年资本开支保持灵活态度，将根据 AI 需求的增长按需增加投资。这一表态为资本开支上调留下了空间。
花旗特别指出，美光在 2025 年 12 月的财报电话会议上将 2026 财年 (截至 2026 年 8 月) 净资本开支从此前的 180 亿美元上调至 200 亿美元，同比增长 45%，其中建设资本开支几乎翻倍。美光还表示 2027 财年资本开支也将继续增长。
作为与三星在存储芯片市场直接竞争的对手，美光的大幅扩产举措可能促使三星采取相应行动以维持市场地位。花旗认为三星的资本开支决策将与美光的表态保持一致。

三星电子

台积电

英特尔

半导体 3 倍做多 - Direxion

花旗预计，台积电将把 2026 年资本开支指引设定在 460 亿至 480 亿美元区间，英特尔资本开支将趋于稳定，而三星则可能追随美光的扩产步伐上调投资。三家公司合计占花旗 2026 年全球 WFE 支出模型的约 59%，其资本开支动向对整个半导体设备产业链具有风向标意义。

- 花旗预计台积电、英特尔和三星将积极增资，推动全球晶圆厂设备市场。  
- 2026 年全球 WFE 支出或达 1260 亿美元，高于基准预测。  
- 三巨头资本开支动向将对半导体设备产业链产生重要影响。

扩产不能停！花旗：三星、台积电、英特尔三巨头资本开支将有积极指引