受人工智能基础设施建设持续扩张的驱动，强劲需求与供应瓶颈共同推升了存储芯片价格，不仅带动全球半导体板块在新年伊始强势反弹，更引发市场对该行业结构性增长周期的强烈预期。在 2025 年经历大幅上涨后，作为 AI 模型训练与运行关键组件的存储芯片，其供应短缺状况并未缓解。Counterpoint Research 的数据显示，动态随机存取存储器（DRAM）的价格预计将在 2026 年第二季度前再上涨 40%。这一趋势直接提振了行业巨头的股价表现，韩国 SK 海力士和三星今年迄今分别上涨 11.5% 和 15.9%，美光科技股价也攀升了 9%。此次反弹不仅限于存储芯片制造商，涨势已蔓延至更广泛的半导体供应链。市场普遍预期，随着科技巨头持续斥资数十亿美元采购芯片并建设 AI 数据中心，高带宽内存（HBM）等核心组件的供需失衡将赋予相关企业更强的定价权。投资者情绪乐观，预计在即将到来的财报季中，主要芯片厂商将交出利润大幅飙升的成绩单。此外，这一积极势头也带动了代工及设备制造环节。英特尔、台积电以及光刻机巨头 ASML 的股价均在新年录得显著涨幅。分析机构指出，这并非短期的市场反弹，而是与 AI 基础设施长期建设挂钩的结构性转变，预示着以 DRAM 为代表的存储行业或将迎来超级周期。<h2 id="bgjlpprja">AI 驱动下的业绩爆发预期</h2>Quilter Cheviot 技术研究主管 Ben Barringer 在接受 CNBC 采访时指出，近期半导体板块的反弹主要由存储市场而非逻辑芯片驱动。他强调，这是源于 AI 工作负载带来的极强需求与高带宽内存（HBM）相对受限的供应共同作用的结果，而 HBM 正是训练和运行大型 AI 模型所必不可少的。这种供需格局被视为三星、SK 海力士和美光科技的重大利好。鉴于需求未见放缓迹象，这三家巨头有望进一步提高其存储芯片的售价。市场对其即将发布的第四季度财报寄予厚望。据 LSEG 估算，三星第四季度营业利润预计将大幅跃升 140%。与此同时，分析师预计美光科技在截至 12 月的季度中，每股收益将同比暴增超过 400%。<h2 id="amo0mbsgg">反弹效应扩散至全产业链</h2>存储芯片股的强劲表现已产生溢出效应，惠及整个半导体供应链。投资者押注 2025 年的强劲 AI 需求将在今年延续，推动了其他关键环节企业的股价上扬。全球最大的半导体制造商台积电今年以来股价上涨近 10%，英特尔股价上涨近 7%，两家公司均被视为 AI 持续繁荣的受益者。荷兰光刻机巨头 ASML 的表现尤为亮眼，今年以来股价上涨近 14%。ASML 设计并制造生产全球最先进芯片所需的关键机器。Bernstein 在周日的一份报告中，将 ASML 的目标价从 800 欧元上调至 1300 欧元，这意味着较周二交易价格有约 24% 的上涨空间。<h2 id="e6np4ok3w">结构性转变与 “超级周期”</h2>Bernstein 分析师指出，ASML 将从 2026 年和 2027 年计划的大规模产能扩张中受益匪浅，尤其是即将到来的 “DRAM 超级周期”。分析师预计，三星等存储芯片制造商将增加产能，这将直接利好 ASML，因为制造更先进的存储芯片离不开其提供的工具。Quilter Cheviot 的 Ben Barringer 补充道，SK 海力士近期关于潜在 HBM 超级周期的言论进一步强化了市场观点：这不仅仅是短期的反弹，而是与正在进行的 AI 基础设施建设密切相关的结构性转变。这一趋势显著改善了整个行业的情绪，尤其是那些直接受益于 AI 驱动存储需求的公司。

英特尔

三星电子

台积电

美光科技

SNDK

受 AI 基础设施扩张驱动，存储芯片因强劲需求与供应短缺持续涨价，推动全球半导体板块强势反弹，市场预期行业正步入由 AI 需求定义的结构性增长新周期。此轮上涨已从存储制造商蔓延至晶圆代工及设备等全产业链，反映出市场对 AI 算力投资长期性的乐观共识。

- 人工智能基础设施扩展推升存储芯片价格。  
- DRAM 价格预计在 2026 年第二季度前再涨 40%。  
- 市场对相关企业的未来业绩普遍乐观。

新年强势开局！AI 需求叠加供给趋紧，存储芯片迎来集体反弹