韩国芯片制造商 SK 海力士周二宣布，计划投资 19 万亿韩元（约合 129 亿美元）新建一座先进封装工厂，以应对人工智能技术蓬勃发展所引发的高带宽内存（HBM）需求激增。
根据声明，新工厂将主要聚焦于先进封装技术，这是提升芯片性能与能效的关键环节。该设施将位于韩国清州市，依托公司现有的生产布局进行扩建。SK 海力士表示，建设计划于今年 4 月启动，预计在 2027 年底完工投产，届时将大幅提升其将多个存储芯片集成至单一高密度单元的能力。
作为全球领先的存储芯片生产商，SK 海力士目前主导着 HBM 市场，该技术是英伟达等公司 AI 处理器的核心组件。随着全球 AI 竞赛加剧，市场对高性能存储芯片的需求持续攀升，不仅推高了产品价格，也促使各大存储巨头加速产能扩张。SK 海力士此次巨额投资正是为了满足这一长期增长趋势。
市场分析指出，此举不仅强化了 SK 海力士在高端存储领域的竞争力，也反映出半导体行业资本支出的重心正在向 AI 相关基础设施倾斜。这一战略扩张发生在其主要竞争对手三星电子近期同样宣布增加 HBM 产量的背景之下，预示着行业竞争将进一步白热化，且可能对全球电子供应链成本产生深远影响。
<h2>押注 AI 驱动的市场增长</h2>
SK 海力士此次投资的核心逻辑在于对未来市场需求的乐观预期。该公司在声明中援引行业预测数据称，2025 年至 2030 年间，HBM 市场的复合年增长率预计将达到 33%。这种爆发式增长主要由人工智能应用的普及所驱动，使得高性能存储器成为半导体行业中利润最为丰厚的细分领域之一。
新工厂将专注于先进封装工艺，该工艺通过将多个存储芯片组合成一个高密度单元，能够在减小芯片整体尺寸的同时，显著提升数据处理速度和能源效率。这种技术路线对于满足下一代 AI 处理器对带宽和能耗的严苛要求至关重要。
<h2>供应紧缩与价格上涨压力</h2>
尽管 HBM 市场前景广阔，但其生产过程远比用于大多数消费电子产品的传统存储器更为复杂和严苛。随着芯片制造商纷纷将产能转向满足 AI 驱动的高端需求，传统存储芯片的供应已出现紧张迹象。
研究机构 TrendForce 上周发布报告称，预计本季度包括 HBM 在内的动态随机存取存储器（DRAM）平均价格将较 2025 年第四季度上涨 50% 至 55%。DRAM 通常指大多数计算机中用于临时数据存储的主要易失性存储器。虽然更高的内存价格给电子产品制造商带来了成本挑战，但也显著提振了存储芯片生产商的盈利能力。例如，三星电子上周表示，预计其去年 12 月季度的营业利润将较上年同期增长近两倍。
在经历 2025 年韩国股市的强劲表现后，SK 海力士目前正在评估潜在的美国上市计划。自今年年初以来，该公司股价已上涨约 12%，尽管在周二的交易中下跌了约 2.5%。作为英伟达等美国科技巨头的关键供应商，SK 海力士在资本市场的动向正受到全球投资者的密切关注。
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英伟达

SK 海力士斥资近 130 亿美元投建先进封装厂，旨在抢占 AI 时代高带宽内存（HBM）高地。 该设施位于韩国清州，聚焦于通过高密度集成技术提升芯片能效，以应对英伟达等 AI 巨头激增的订单需求。机构预计 HBM 市场五年复合增长率预超 33%，直接拉动 DRAM 价格季度涨幅超 50%。

- SK 海力士计划投资 19 万亿韩元新建封装工厂以满足 HBM 需求。  
- 新工厂位于韩国清州市，预计 2027 年底完工，提升芯片集成能力。  
- 投资反映半导体行业向 AI 基础设施倾斜，市场对高性能存储芯片需求攀升。

SK 海力士斥资 130 亿美元建厂，应对 HBM 短缺