<p>高带宽闪存（HBF）商业化进程加速，这一被视为 “NAND 版 HBM” 的新型存储技术有望比预期更早落地。韩国科学技术院教授、被称为 “HBM 之父” 的 Kim Joungho 近日透露，<strong>三星电子与 SanDisk 计划在 2027 年底至 2028 年初将 HBF 集成到英伟达、AMD 及谷歌的产品中。</strong></p>
<p>Kim Joungho 指出，得益于 HBM 积累的工艺与设计经验，HBF 的商业化进程将远快于当年 HBM 的开发周期。他预测 HBF 将在 HBM6 推出阶段实现广泛应用，<strong>并估计到 2038 年左右，其市场规模有望超越 HBM。</strong></p>
<p><strong>AI 工作负载的持续增长是推动 HBF 发展的关键动力。</strong>与传统基于 DRAM 的 HBM 相比，HBF 通过垂直堆叠 NAND 闪存，在保持高带宽的同时提供约 10 倍容量，尤其适合 AI 推理等大容量场景。目前三星电子和 SK 海力士已与 SanDisk 签署谅解备忘录，共同推进 HBF 标准化，目标在 2027 年将产品推向市场。</p>
<h2>HBF 技术优势：容量与带宽的平衡</h2>
<p>HBF 采用类似 HBM 的垂直堆叠架构，但堆叠的是 NAND 闪存而非 DRAM 芯片，这一关键差异带来显著的容量提升。据行业分析，HBF 带宽可超过 1638 GB/s，远高于 NVMe PCIe 4.0 SSD 约 7 GB/s 的带宽；其容量预计可达 512GB，显著超越 HBM4 的 64GB 上限。</p>
<p>Kim Joungho 进一步阐释了 HBF 在 AI 工作流中的定位：<strong>当前 GPU 进行 AI 推理时需从 HBM 读取变量数据，未来这一任务可由 HBF 承担。尽管 HBM 速度更快，但 HBF 能提供约 10 倍于 HBM 的容量，更适合大容量数据处理场景。</strong></p>
<p>技术限制方面，Kim Joungho 指出 HBF 支持无限次读取，但写入次数受限（约 10 万次），这要求 OpenAI、谷歌等企业在软件设计中需构建以读取为中心的优化架构。他生动比喻道：</p>
<blockquote>
<p>“若将 HBM 比作家庭书架，HBF 则如同去图书馆学习——速度稍缓，却拥有更庞大的知识库可供调用。”</p>
</blockquote>
<h2>产业布局：存储巨头加速推进</h2>
<p>SK 海力士预计将于本月晚些时候推出 HBF 试用版并进行技术演示。此前，<strong>三星电子和 SK 海力士已与 SanDisk 签署谅解备忘录，共同成立联合联盟以推进 HBF 的标准化进程。目前，两家公司均在积极开发相关产品。</strong></p>
<p>据 TrendForce，SanDisk 已于 2025 年 2 月率先发布 HBF 原型，并成立了技术顾问委员会。同年 8 月，该公司与 SK 海力士签署谅解备忘录，旨在推动规格标准化，计划于 2026 年下半年交付工程样品，2027 年初实现商用。三星电子则已启动自有 HBF 产品的概念设计阶段。</p>
<p>HBF 的技术实现主要依托硅穿孔（TSV）技术完成多层 NAND 芯片的垂直堆叠，采用先进的 3D 堆叠架构与芯片到晶圆键合工艺。每个封装可堆叠多达 16 颗 NAND 芯片，支持多阵列并行访问，带宽可达 1.6TB/s 至 3.2TB/s，与 HBM3 性能持平。单堆栈容量最高为 512GB，若采用 8 堆栈配置，总容量可达 4TB，相当于 HBM 容量的 8 至 16 倍。</p>
<h2>未来架构：从 HBM6 到&#34;内存工厂&#34;</h2>
<div>
<div>
<p>Kim Joungho 预测，<strong>HBF 将在 HBM6 推广阶段实现广泛应用。</strong>他指出，进入 HBM6 时代后，系统将不再依赖单一堆栈，而是通过互联形成 “存储集群”，类似于现代住宅综合体的构建逻辑。基于 DRAM 的 HBM 受容量限制明显，而采用 NAND 堆叠的 HBF 将有效填补这一缺口。</p>
<p>在系统架构演进方面，Kim Joungho 提出了更为精简的数据通路构想。当前 GPU 获取数据需经历存储网络、数据处理器与 GPU 管道的复杂传输流程，而未来有望实现数据在 HBM 之后的近端直接处理。这一被称为 “内存工厂” 的架构预计将在 HBM7 阶段出现，极大提升数据处理效率。</p>
<p>HBF 未来将与 HBM 并置，部署于 GPU 等 AI 加速器周围。Kim Joungho 表示：“我相信在 2 至 3 年内，HBF 这一术语将变得耳熟能详。” 他进一步指出，此后 HBF 将进入快速发展期，并逐步承载起后端数据存储的核心角色。</p>
<p>展望长期市场，<strong>Kim Joungho 预测到 2038 年左右，HBF 的市场规模有望超越 HBM。这一判断基于 AI 推理场景对高容量存储的持续需求，以及 NAND 闪存在存储密度上相对于 DRAM 的天然优势。不过，受 NAND 物理特性限制，HBF 延迟高于 DRAM，因此更适用于读取密集的 AI 推理任务，而非对延迟极为敏感的应用场景。</strong></p>
</div>
</div>

英伟达期权收益策略 ETF - YieldMax

英伟达

2 倍做多英伟达 ETF - GraniteShares

<p>“HBM 之父” Kim Joungho 最新预测显示，高带宽闪存（HBF）商业化进程较预期明显加速，该技术有望在未来 2-3 年内即集成至英伟达、AMD 等 GPU 产品中。凭借 NAND 堆叠带来的十倍级容量优势，HBF 将填补 HBM 在 AI 推理场景的存储缺口。市场预计其将在 HBM6 阶段实现规模化应用，到 2038 年市场规模甚至可能反超 HBM，成为下一代高带宽存储的关键力量。</p>

- 高带宽闪存（HBF）预计在 2027 至 2028 年商业化。  
- HBF 将通过垂直堆叠 NAND 提供高带宽和大容量，适合 AI 场景。  
- 预测到 2038 年，HBF 市场规模将超越 HBM。

“HBM 之父”：高带宽闪存（HBF）商业化进程超预期，或将在 2-3 年内集成到 GPU，市场规模将超 HBM