<p style="text-align: left">如果你正在寻找半导体周期的确切信号，高盛亚太团队刚刚发布的 2026 年 1 月 DRAM 市场情绪指标不仅闪烁着红色的 “买入” 信号，更预示着一场价格风暴的来临。</p>
<p style="text-align: left">据追风交易台，1 月 23 日，高盛的最新渠道调查显示，DRAM 合约价格在近期面临极强的上涨动力。核心逻辑简单而粗暴：<strong>现货价格已经相对于合约价格产生了巨大的溢价——DDR4 的现货溢价甚至高达 172%。</strong>这种巨大的价差在历史上是不可持续的，唯一的收敛方式就是合约价格大幅补涨。</p>
<p style="text-align: left">与此同时，AI 服务器的需求狂潮仍在继续，叠加韩国 DRAM 出口和中国台湾相关厂商营收的爆炸式增长，高盛对三星电子和 SK 海力士维持强劲的看多观点。对于投资者而言，这意味着存储芯片板块的盈利预期可能需要进一步上修，尤其是考虑到客户已经开始接受 2026 年一季度更激进的涨价幅度。</p>
<h2 style="text-align: left"><strong>现货市场狂飙：DDR4 溢价率高达 172%</strong></h2>
<p style="text-align: left"><strong>目前的市场定价已经严重脱节，预示着合约价格必须大幅调整。</strong> 根据高盛的数据，自 2026 年年初以来，DDR5 现货价格重新开启了大幅反弹模式；而 DDR4 现货价格自 2024 年 9 月以来的涨势仍在延续。</p>
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DDR5： 目前交易价格相较于 12 月的合约价格拥有 76% 的溢价。
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DDR4： 溢价更为惊人，高达 172%。 这种现货与合约价格之间的巨大 “剪刀差”，为近期合约价格的强劲上涨提供了极高概率的支撑。市场往往由现货领先，合约跟进，如此幅度的溢价意味着下游客户在谈判桌上几乎没有筹码。
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<h2 style="text-align: left"><strong>AI 服务器需求：连续 13 个月超过 50% 增长</strong></h2>
<p style="text-align: left"><strong>硬件需求不仅没有放缓，反而因机架级 AI 服务器的出货量攀升而加速。</strong> 高盛追踪的中国台湾服务器 ODM 厂商（包括英业达、广达、纬颖、纬创）的数据显示：</p>
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12 月服务器 ODM 月度营收同比飙升 94%。
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这是该数据连续第 13 个月保持 50% 以上的同比高增长。
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作为服务器市场的领先指标，信骅科技（Aspeed，全球最大的 BMC 供应商）在 2024 年 12 月的高基数（当时同比增长 131%）之上，2025 年 12 月依然实现了 18% 的同比增长。
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<h2 style="text-align: left"><strong>厂商营收炸裂：南亚科营收暴涨 445%</strong></h2>
<p style="text-align: left"><strong>如果说服务器代表高端需求，那么二线厂商的数据则证实了广泛的涨价潮。</strong> 中国台湾 DRAM 供应商南亚科技的数据令人咋舌：</p>
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12 月营收同比暴增 445%。
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这标志着该厂商连续 5 个月实现三位数的同比增长，且增速在逐月加快（8 月至 12 月分别为 +141%、+158%、+262%、+365%、+445%）。
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这一增长主要受到 DDR4 价格强劲上涨的驱动。
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此外，韩国 DRAM 出口额在 12 月也录得 72% 的同比增长，验证了供应紧张推高价格的宏观趋势。
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<h2 style="text-align: left"><strong>渠道反馈：客户已被迫接受更大幅度涨价</strong></h2>
<p style="text-align: left"><strong>真正的 “Alpha” 信息来自于高盛的一线渠道检查。</strong> 在与投资者的讨论中，市场对 2026 年第一季度传统存储价格涨幅的预期在过去几周内持续攀升。</p>
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关键信号： 移动端（Mobile）市场的特定客户已经开始接受 2026 年第一季度的报价。
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涨幅超预期： 无论是 DRAM 还是 NAND，这些新接受的涨价幅度都明显高于 2025 年第四季度达成的协议。 高盛预计，其他客户也将跟随这一趋势，同意在 1Q26 大幅上调存储价格。结合现货价格的飙升，华尔街目前对近期存储价格和企业盈利的预期可能仍然偏低，存在进一步的上行空间。
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<h2 style="text-align: left"><strong>HBM 与估值：三星与 SK 海力士的目标价</strong></h2>
<p style="text-align: left"><strong>尽管市场对 HBM（高带宽内存）定价存在分歧，但出货量增长依然强劲。</strong> 高盛指出，虽然过去一个月卖方共识对 SK 海力士今年的 HBM 业务定价预期略有下降，但高盛依然维持其独特的观点：</p>
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量增： 高盛预计 HBM 出货量增速将比市场共识高出 9 个百分点。
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价减： 由于预期 HBM3E 12-Hi 定价会有显著削减，高盛对价格的预期比共识低 17 个百分点。
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<p style="text-align: left"><strong>投资评级与目标价：</strong> 基于上述基本面，高盛维持对韩国两大巨头的 “买入” 评级：</p>
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三星电子（Samsung Electronics）： 12 个月目标价 180,000 韩元。估值逻辑基于 SOTP（分部估值法），即使面临主要下行风险（供需恶化、OLED 份额流失），其 1Q26 DRAM 混合平均售价（ASP）预计仍将环比增长约 50%。
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<li>
SK 海力士（SK Hynix）： 12 个月目标价 700,000 韩元。高盛给予其相对于三星 30% 的 AI 溢价，目标市净率（P/B）设定为 2.8 倍，这一倍数参考了 2009-2010 年强劲上行周期的峰值。
</li>
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<p style="text-align: left">从现货溢价的极端水平到 ODM 营收的持续井喷，所有迹象都指向存储行业的 “超级周期” 仍在加速。对于投资者而言，现在的关键不是质疑涨价是否会发生，而是这波涨价潮将把相关公司的股价推向何种高度。</p>

<p>高盛报告指出，DRAM 现货价格相对合约价出现巨额溢价（DDR4 高达 172%），预示合约价格将被迫大幅上涨。AI 服务器需求持续强劲、主要厂商营收暴涨及客户接受更激进涨价等信号共同表明，存储芯片 “超级周期” 正在加速。</p>

- 高盛亚太团队认为 DRAM 市场将迎来价格风暴。  
- DDR4 和 DDR5 现货价格分别高出合约价 172% 和 76%。  
- 服务器需求强劲，南亚科营收暴增 445%，市场或涨价。

存储狂潮！高盛 1 月渠道调查：DRAM 价格近期面临强劲上涨