<div id="readability-page-1"><div id="conimg_0"> <p>据路透引述消息报道，美国记忆体巨头美光科技计划在新加坡加大记忆体晶片产能，以应对全球记忆体严重短缺，预计最快于周二（28 日）正式公布。报道指，今次投资将集中于 NAND 快闪记忆体（Flash Memory）。</p><h2>供应短缺料持续至 2027 年</h2><p>目前美光科技全球约 98% 的快闪记忆体晶片均产自新加坡，而美光早前已宣布斥资 70 亿美元在当地兴建先进封装厂，专门生产用于 AI 晶片的高频宽记忆体（HBM），该厂房预计于 2027 年正式投产。</p><p>不过，市场分析师普遍认为，尽管各大厂商正加速扩产，但全球记忆体供应短缺的局面，恐将持续至 2027 年下半年才有望完全缓解。</p><p>相关文章：新加坡拟投入逾 60 亿拓 AI 研究 避免本国行业落后浪潮</p> </div></div>

美光科技

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<p>美光科技计划在新加坡加大内存晶片产能，以应对全球内存短缺，预计最快于周二正式公布。此次投资将集中于 NAND 快闪记忆体，当前美光约 98% 的快闪记忆体晶片产自新加坡。美光已宣布投资 70 亿美元建设高带宽内存的先进封装厂，预计 2027 年投产。市场分析师认为，全球内存供应短缺将持续至 2027 年下半年。</p>

- 美光科技计划在新加坡扩大记忆体芯片产能应对短缺。  
- 投资将集中于 NAND 闪存，预计最快于 1 月 28 日公布。  
- 供需短缺问题或持续至 2027 年下半年。

星岛网

Invesco PHLX Semiconductor ETF

美光据报新加坡加大记忆体晶片产能 应对全球供应短缺

美光据报新加坡加大记忆体晶片产能 应对全球供应短缺

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