<p>新闻：光电</p>
<p>Nuvoton 发布高功率 1W 379nm 紫外激光二极管</p>
<p>日本京都的 Nuvoton Technology Corp Japan 已开始大规模生产其 KLC330FL01WW 高功率紫外半导体激光器（379nm，1.0W），该产品在 9.0mm 直径的 CAN 封装（TO-9）中提供了业界领先的光输出。</p>
<p>应用包括：无掩模光刻、树脂固化、标记、3D 打印、生物医学以及替代汞灯的光源等。</p>
<p><em><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="300" height="270" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg"/></em></p>
<p><em>图片：Nuvoton 的新款 KLC330FL01WW 379nm，1.0W 高功率紫外半导体激光器。</em></p>
<p>通过专有的器件结构和先进的高散热封装技术，它实现了短波长、高输出功率和长寿命——这三个元素在紫外半导体激光器中以前被认为是困难的。因此，它可以促进无掩模光刻中精细图案的形成和生产效率的提高，适用于先进的半导体封装（在该封装中，多个芯片被密集集成以优化性能和功率效率）。</p>
<p>新产品的特点包括：</p>
<p>随着人工智能（AI）发展的信息处理能力需求不断增长，半导体对性能的要求比以往任何时候都更高。另一方面，随着晶体管的小型化接近其物理和经济极限，半导体后端封装技术和先进的半导体封装，允许通过并排排列或垂直堆叠多个半导体芯片进行集成，受到了越来越多的关注。</p>
<p>在先进的半导体封装中，形成多个芯片之间的连接的主流方法一直是使用汞光谱的 i 线（365nm）和光掩模（电路的母版掩模）的曝光技术。另一方面，近年来对无掩模光刻技术的兴趣日益增长，该技术直接根据设计数据曝光（绘制）布线图案，而不使用光掩模。</p>
<p>该技术被认为可以减少与光掩模的设计和生产相关的时间和成本。此外，由于可以直接印刷与目标绘制表面形状相匹配的布线图案，因此对齐和修正变得更容易，目前正在考虑将其应用于先进的半导体封装。</p>
<p>作为无掩模光刻中的关键光源之一，半导体激光器面临着对更短波长（接近 i 线（365nm））和更高输出的需求，以实现更精细的布线并提高设备的生产效率。为了满足这些要求，Nuvoton 表示已利用其在激光设计和制造方面超过 40 年的经验，开发并商业化了一款波长为 379nm、输出为 1.0W 的紫外半导体激光器。</p>
<p>紫外半导体激光器通常由于低墙插效率（WPE）导致显著的热量产生，并且紫外光导致器件退化的倾向，使得在高于 1.0W 的输出水平下实现稳定操作变得困难。为了解决这个问题，Nuvoton 采取了双重方法，专注于增强墙插效率（WPE）的器件结构和有效散热的高导热封装技术，使公司能够开发出结合短波长、高输出和长寿命的产品：1.0W 紫外（379nm）器件。因此，Nuvoton 正在为延长利用紫外光的光学设备的使用寿命做出贡献。</p>
<ul>
<li>除了优化发射层和光导层外，Nuvoton 还采用了一种专有结构，精确控制掺杂剖面。通过减少光吸收损失和工作电压，这使得电能能够更高效地转化为光。</li>
</ul>
<ul>
<li>除了采用高导热材料制成的底座外，封装材料也进行了修订，以降低热阻。因此，器件温度的升高得到了抑制，允许在高输出下稳定运行。</li>
</ul>
<p>新产品已被添加到 Nuvoton 的紫外（379nm）、紫色（402nm）和靛蓝（420nm）半导体激光器替代品系列中，旨在替代汞灯的 i 线（365nm）、h 线（405nm）和 g 线（436nm）发射线，为客户提供新的选择。通过这一补充，客户可以根据应用、安装环境和所需性能灵活选择产品，增加系统设计的自由度。</p>
<p>新产品的详细信息在美国加利福尼亚州旧金山举行的 SPIE Photonics West 2026（1 月 20 日至 22 日）上展示，并将在日本横滨 Pacifico 举行的 OPIE’26（光学与光子学国际展览会，4 月 22 日至 24 日）上展出。</p>
<p>Nuvoton 推出紧凑型 1.7W 402nm 紫色激光器，采用 TO-56 CAN 封装</p>
<p>激光二极管</p>
<p>www.opie.jp</p>
<p>www.nuvoton.co.jp/en</p>

<p>Nuvoton Technology Corp 已经开始大规模生产其 KLC330FL01WW 高功率紫外半导体激光器，该激光器具有 379nm 的波长和 1.0W 的输出功率。该激光器旨在用于无掩模光刻、树脂固化和 3D 打印等应用。Nuvoton 的专有技术提高了墙插效率和热管理，确保了稳定的高输出操作。新产品扩展了 Nuvoton 的半导体激光器系列，为传统汞灯提供了替代方案，并支持先进的半导体封装需求。相关细节在 SPIE Photonics West 2026 和 OPIE'26 展会上进行了展示</p>

<p>News: Optoelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：光电</p>
</div><p>Nuvoton releases high-power 1W 379nm UV laser diode</p>
<div class="lb-trans"><p>Nuvoton 发布高功率 1W 379nm 紫外激光二极管</p>
</div><p>Nuvoton Technology Corp Japan of Kyoto, Japan has begun mass production of its KLC330FL01WW high-power ultraviolet semiconductor laser (379nm, 1.0W), which delivers what is claimed to be industry-leading optical output in a 9.0mm-diameter CAN package (TO-9).</p>
<div class="lb-trans"><p>日本京都的 Nuvoton Technology Corp Japan 已开始大规模生产其 KLC330FL01WW 高功率紫外半导体激光器（379nm，1.0W），该产品在 9.0mm 直径的 CAN 封装（TO-9）中提供了业界领先的光输出。</p>
</div><p>Applications include: maskless lithography, resin curing, marking, 3D printing, biomedical, and alternative light sources for mercury lamps etc.</p>
<div class="lb-trans"><p>应用包括：无掩模光刻、树脂固化、标记、3D 打印、生物医学以及替代汞灯的光源等。</p>
</div><p><em><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg"/></em></p>
<div class="lb-trans"><p><em><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg"/></em></p>
</div><p><em>Picture: Nuvoton’s new KLC330FL01WW 379nm, 1.0W high-power ultraviolet semiconductor laser.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>图片：Nuvoton 的新款 KLC330FL01WW 379nm，1.0W 高功率紫外半导体激光器。</em></p>
</div><p>Through a proprietary device structure and advanced high-heat-dissipation packaging technology, it achieves short wavelength, high output power, and long lifetime — three elements previously considered difficult for ultraviolet semiconductor lasers. As a result, it can contribute to fine patterning and improved production throughput in maskless lithography for advanced semiconductor packaging (in which multiple chips are densely integrated to optimize performance and power efficiency).</p>
<div class="lb-trans"><p>通过专有的器件结构和先进的高散热封装技术，它实现了短波长、高输出功率和长寿命——这三个元素在紫外半导体激光器中以前被认为是困难的。因此，它可以促进无掩模光刻中精细图案的形成和生产效率的提高，适用于先进的半导体封装（在该封装中，多个芯片被密集集成以优化性能和功率效率）。</p>
</div><p>Features of the new product include:</p>
<div class="lb-trans"><p>新产品的特点包括：</p>
</div><p>As demand grows for information processing capabilities driven by the evolution of artificial intelligence (AI), there is increasing need for higher performance from semiconductors than ever before. On the other hand, as the miniaturization of transistors approaches its physical and economic limits, semiconductor back-end package technologies and advanced semiconductor packaging, which allow for integration by arranging multiple semiconductor chips side by side or stacking them vertically, have been attracting attention.</p>
<div class="lb-trans"><p>随着人工智能（AI）发展的信息处理能力需求不断增长，半导体对性能的要求比以往任何时候都更高。另一方面，随着晶体管的小型化接近其物理和经济极限，半导体后端封装技术和先进的半导体封装，允许通过并排排列或垂直堆叠多个半导体芯片进行集成，受到了越来越多的关注。</p>
</div><p>In advanced semiconductor packaging, the mainstream method for forming wiring connections between multiple chips has been exposure technology using the i-line (365nm) of the mercury spectrum and photomasks (master masks of circuits). On the other hand, there has been growing interest in recent years in maskless lithography technology, which directly exposes (draws) wiring patterns based on design data without using photomasks.</p>
<div class="lb-trans"><p>在先进的半导体封装中，形成多个芯片之间的连接的主流方法一直是使用汞光谱的 i 线（365nm）和光掩模（电路的母版掩模）的曝光技术。另一方面，近年来对无掩模光刻技术的兴趣日益增长，该技术直接根据设计数据曝光（绘制）布线图案，而不使用光掩模。</p>
</div><p>This technology is considered to reduce the time and cost associated with the design and production of photomasks. Furthermore, because it is possible to directly imprint wiring patterns to match the surface shape of the target for drawing, alignment and correction are easier, and application to advanced semiconductor packages is currently under consideration.</p>
<div class="lb-trans"><p>该技术被认为可以减少与光掩模的设计和生产相关的时间和成本。此外，由于可以直接印刷与目标绘制表面形状相匹配的布线图案，因此对齐和修正变得更容易，目前正在考虑将其应用于先进的半导体封装。</p>
</div><p>As one of the key light sources in maskless lithography, semiconductor lasers have faced increasing demands for shorter wavelengths closer to the i-line (365nm) and higher output, in order to enable finer wiring and improve equipment throughput. To meet these requirements, Nuvoton says that it has leveraged over 40 years of experience in laser design and manufacturing to develop and commercialize an ultraviolet semiconductor laser with a wavelength of 379nm and an output of 1.0W.</p>
<div class="lb-trans"><p>作为无掩模光刻中的关键光源之一，半导体激光器面临着对更短波长（接近 i 线（365nm））和更高输出的需求，以实现更精细的布线并提高设备的生产效率。为了满足这些要求，Nuvoton 表示已利用其在激光设计和制造方面超过 40 年的经验，开发并商业化了一款波长为 379nm、输出为 1.0W 的紫外半导体激光器。</p>
</div><p>Ultraviolet semiconductor lasers generally suffer from significant heat generation caused by low wall-plug efficiency (WPE), and a tendency for device degradation caused by ultraviolet light, making stable operation at high output levels above 1.0W difficult to achieve. To address this, Nuvoton took a dual approach by focusing on both a device structure that enhances wall-plug efficiency (WPE) and a high-thermal-conduction package technology that effectively dissipates heat, enabling the firm to develop a product that combines short wavelength, high output, and long lifetime: a 1.0W ultraviolet (379nm) device. As a result, Nuvoton is contributing to extending the lifetime of optical devices that utilize ultraviolet light.</p>
<div class="lb-trans"><p>紫外半导体激光器通常由于低墙插效率（WPE）导致显著的热量产生，并且紫外光导致器件退化的倾向，使得在高于 1.0W 的输出水平下实现稳定操作变得困难。为了解决这个问题，Nuvoton 采取了双重方法，专注于增强墙插效率（WPE）的器件结构和有效散热的高导热封装技术，使公司能够开发出结合短波长、高输出和长寿命的产品：1.0W 紫外（379nm）器件。因此，Nuvoton 正在为延长利用紫外光的光学设备的使用寿命做出贡献。</p>
</div><ul>
<li>In addition to optimizing the emission layer and optical guide layer, Nuvoton has adopted a proprietary structure that precisely controls the doping profile. By reducing light absorption loss and operating voltage, this allows electrical energy to be converted into light more efficiently.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>除了优化发射层和光导层外，Nuvoton 还采用了一种专有结构，精确控制掺杂剖面。通过减少光吸收损失和工作电压，这使得电能能够更高效地转化为光。</li>
</ul>
</div><ul>
<li>In addition to adopting a submount made of high-thermal-conductivity materials, the package materials have been revised to reduce thermal resistance. As a result, rises in device temperature are suppressed, allowing for stable operation at high output.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>除了采用高导热材料制成的底座外，封装材料也进行了修订，以降低热阻。因此，器件温度的升高得到了抑制，允许在高输出下稳定运行。</li>
</ul>
</div><p>The new product has been added to the Nuvoton’s lineup of ultraviolet (379nm), violet (402nm) and indigo (420nm) semiconductor laser-based alternatives designed to replace the i-line (365nm), h-line (405nm) and g-line (436nm) emission lines of mercury lamps, providing customers with a new choice. With this addition, customers can flexibly select products according to application, installation environment, and required performance, increasing the freedom of system design.</p>
<div class="lb-trans"><p>新产品已被添加到 Nuvoton 的紫外（379nm）、紫色（402nm）和靛蓝（420nm）半导体激光器替代品系列中，旨在替代汞灯的 i 线（365nm）、h 线（405nm）和 g 线（436nm）发射线，为客户提供新的选择。通过这一补充，客户可以根据应用、安装环境和所需性能灵活选择产品，增加系统设计的自由度。</p>
</div><p>Details of the new product were showcased at SPIE Photonics West 2026 in San Francisco, CA, USA (20–22 January), and are being exhibited at OPIE’26 (OPTICS &amp; PHOTONICS International Exhibition) at Pacifico Yokohama, Japan (22–24 April)</p>
<div class="lb-trans"><p>新产品的详细信息在美国加利福尼亚州旧金山举行的 SPIE Photonics West 2026（1 月 20 日至 22 日）上展示，并将在日本横滨 Pacifico 举行的 OPIE’26（光学与光子学国际展览会，4 月 22 日至 24 日）上展出。</p>
</div><p>Nuvoton launches compact 1.7W 402nm violet laser in TO-56 CAN package</p>
<div class="lb-trans"><p>Nuvoton 推出紧凑型 1.7W 402nm 紫色激光器，采用 TO-56 CAN 封装</p>
</div><p>Laser diodes</p>
<div class="lb-trans"><p>激光二极管</p>
</div><p>www.opie.jp</p>
<div class="lb-trans"><p>www.opie.jp</p>
</div><p>www.nuvoton.co.jp/en</p>
<div class="lb-trans"><p>www.nuvoton.co.jp/en</p>
</div>

新唐科技发布高功率 1W 379nm 紫外激光二极管