<p>新闻：LED</p>
<p>韩国科学技术院（KAIST）展示了一种高效、超高分辨率的红色微型 LED 显示屏，为能够提供比现实更清晰视觉效果的显示器铺平了道路。</p>
<p>由电气工程学院的金相贤教授领导的研究团队，与仁荷大学的金大明教授、化合物半导体制造商 QSI 以及微显示/系统芯片设计公司 Raontech 合作，开发了红色微型 LED 显示技术，该技术在实现超高分辨率的同时显著降低了功耗（Park et al, ‘A Monolithic Three-Dimensional Integrated Red Micro-LED Display on Silicon Using AlInP/GaInP Epilayers’, Nature Electronics,2023 年 1 月 20 日; DOI: 10.1038/s41928-025-01546-4）。</p>
<p>利用这项技术，团队展示了一种 1700 像素每英寸（PPI）级别的超高分辨率微型 LED 显示屏——其分辨率约为现有旗舰智能手机显示屏的 3-4 倍，能够在虚拟现实（VR）和增强现实（AR）设备中提供真正 ‘接近现实’ 的视觉效果。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image1.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image1.jpg"/></p>
<p><em>图片：红色微型 LED 性能提升的结果。</em></p>
<p>微型 LED 是自发光显示器，在亮度、寿命和能效方面超过 OLED，但面临两个主要技术挑战。第一个是红色微型 LED 的效率下降，随着像素尺寸缩小，能量泄漏增加，问题变得严重。第二个是传统转移工艺的限制，该工艺依赖于机械定位和逐个放置微型 LED，使得超高分辨率的制造变得困难，并增加了缺陷率。</p>
<p>研究团队同时解决了这两个挑战。首先，他们采用了 AlInP/GaInP 量子阱结构，使得红色微型 LED 在非常小的像素尺寸下也能实现高效能量利用，能量损失最小化。量子阱/障碍结构作为能量屏障，将电子和空穴限制在量子阱层内，防止载流子泄漏。通过采用具有更高空穴浓度的量子阱，研究团队有效减少了随着像素尺寸减小而产生的能量损失，从而实现了更亮、更高效的红色微型 LED。</p>
<p>此外，研究人员采用了一种单体三维（3D）集成技术，而不是逐个转移 LED，将 LED 层直接堆叠在驱动电路上。这种方法最小化了对准误差，降低了缺陷率，并实现了超高分辨率显示器的稳定制造。团队还开发了一种低温工艺，以防止在集成过程中对底层电路造成损坏。</p>
<p>KAIST 声称这一成就特别重要，因为它展示了一种完全功能的、超高分辨率和高量子效率的红色微型 LED 显示器，被广泛认为是最难实现的组件。该技术预计将在下一代显示器中找到广泛应用，其中像素颗粒度必须几乎不可察觉，包括 AR/VR 智能眼镜、汽车抬头显示器（HUD）和超紧凑型可穿戴设备。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image2_1.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image2_1.jpg"/></p>
<p><em>图片：单体 3D 微型 LED-on-Si 显示器。</em></p>
<p>“这项工作同时解决了红色像素效率和微型 LED 电路集成的长期挑战，” 金教授表示。“我们将继续推动这项技术朝着实用商业化的方向发展，作为下一代显示平台。”</p>
<p>该研究由 KAIST 信息电子研究所的朴周赫博士作为第一作者领导。研究得到了韩国国家研究基金会基础研究项目（2019 年）、显示战略研究实验室项目（目前正在进行中）以及三星未来技术孵化中心（2020-2023 年）的支持。</p>
<p>红色 InGaN 微型 LED 在硅上的前景</p>
<p>微型 LED</p>
<p>www.kaist.ac.kr</p>

<p>KAIST 开发了一种高效、超高分辨率的红色微型 LED 显示屏，达到了 1700 PPI，显著超越了当前智能手机显示屏的水平。在金相贤教授的带领下，团队通过使用 AlInP/GaInP 量子阱结构和单体 3D 集成技术，解决了效率下降和制造挑战。这项技术在增强现实/虚拟现实设备、汽车抬头显示器和可穿戴技术中具有广泛的应用前景。该研究得到了包括韩国国家研究基金会在内的多个项目的支持</p>

<p>News: LEDs</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：LED</p>
</div><p>Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) has demonstrated a high-efficiency, ultra-high-resolution red micro-LED display, paving the way for displays that can deliver visuals even sharper than reality.</p>
<div class="lb-trans"><p>韩国科学技术院（KAIST）展示了一种高效、超高分辨率的红色微型 LED 显示屏，为能够提供比现实更清晰视觉效果的显示器铺平了道路。</p>
</div><p>A research team led by professor Sanghyeon Kim of the School of Electrical Engineering, in collaboration with professor Dae-Myeong Geum of Inha University, compound semiconductor manufacturer QSI, and microdisplay/SoC design company Raontech, has developed red micro-LED display technology that achieves ultra-high resolution while significantly reducing power consumption (Park et al, ‘A Monolithic Three-Dimensional Integrated Red Micro-LED Display on Silicon Using AlInP/GaInP Epilayers’, Nature Electronics, 20 January; DOI: 10.1038/s41928-025-01546-4).</p>
<div class="lb-trans"><p>由电气工程学院的金相贤教授领导的研究团队，与仁荷大学的金大明教授、化合物半导体制造商 QSI 以及微显示/系统芯片设计公司 Raontech 合作，开发了红色微型 LED 显示技术，该技术在实现超高分辨率的同时显著降低了功耗（Park et al, ‘A Monolithic Three-Dimensional Integrated Red Micro-LED Display on Silicon Using AlInP/GaInP Epilayers’, Nature Electronics,2023 年 1 月 20 日; DOI: 10.1038/s41928-025-01546-4）。</p>
</div><p>Using this technology, the team demonstrated a 1700 pixel-per-inch (PPI)-class ultra-high-resolution micro-LED display — approximately 3–4 times higher than the resolution of existing flagship smartphone displays — capable of delivering truly ‘reality-like’ visuals even in VR and AR devices.</p>
<div class="lb-trans"><p>利用这项技术，团队展示了一种 1700 像素每英寸（PPI）级别的超高分辨率微型 LED 显示屏——其分辨率约为现有旗舰智能手机显示屏的 3-4 倍，能够在虚拟现实（VR）和增强现实（AR）设备中提供真正 ‘接近现实’ 的视觉效果。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image1.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image1.jpg"/></p>
<p><em>Picture: Results of red micro-LED performance improvement.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>图片：红色微型 LED 性能提升的结果。</em></p>
</div><p>Micro-LEDs are self-emissive displays that surpass OLEDs in brightness, lifetime and energy efficiency, but they have faced two major technical challenges. The first is the efficiency degradation of red micro-LEDs, which becomes severe as pixel sizes shrink due to increased energy leakage. The second is the limitation of conventional transfer processes, which rely on mechanically locating and placing microscopic LEDs one by one, making ultra-high-resolution fabrication difficult and increasing defect rates.</p>
<div class="lb-trans"><p>微型 LED 是自发光显示器，在亮度、寿命和能效方面超过 OLED，但面临两个主要技术挑战。第一个是红色微型 LED 的效率下降，随着像素尺寸缩小，能量泄漏增加，问题变得严重。第二个是传统转移工艺的限制，该工艺依赖于机械定位和逐个放置微型 LED，使得超高分辨率的制造变得困难，并增加了缺陷率。</p>
</div><p>The research team addressed both challenges simultaneously. First, they adopted an AlInP/GaInP quantum-well structure, enabling highly efficient red micro-LEDs with minimal energy loss even at very small pixel sizes. The quantum-well/barrier structure acts as an energy barrier, confining electrons and holes within the quantum-well layer, preventing carrier leakage. By adopting quantum wells with higher hole concentration, the research team effectively reduced energy loss as pixel sizes decreased, enabling brighter and more efficient red micro-LEDs.</p>
<div class="lb-trans"><p>研究团队同时解决了这两个挑战。首先，他们采用了 AlInP/GaInP 量子阱结构，使得红色微型 LED 在非常小的像素尺寸下也能实现高效能量利用，能量损失最小化。量子阱/障碍结构作为能量屏障，将电子和空穴限制在量子阱层内，防止载流子泄漏。通过采用具有更高空穴浓度的量子阱，研究团队有效减少了随着像素尺寸减小而产生的能量损失，从而实现了更亮、更高效的红色微型 LED。</p>
</div><p>Also, instead of transferring individual LEDs, the researchers employed a monolithic three-dimensional (3D) integration technique, stacking the LED layers directly on top of the driving circuitry. This approach minimizes alignment errors, reduces defect rates, and enables stable fabrication of ultra-high-resolution displays. The team also developed a low-temperature process to prevent damage to the underlying circuitry during integration.</p>
<div class="lb-trans"><p>此外，研究人员采用了一种单体三维（3D）集成技术，而不是逐个转移 LED，将 LED 层直接堆叠在驱动电路上。这种方法最小化了对准误差，降低了缺陷率，并实现了超高分辨率显示器的稳定制造。团队还开发了一种低温工艺，以防止在集成过程中对底层电路造成损坏。</p>
</div><p>KAIST claims that this achievement is particularly significant because it demonstrates a fully functional, ultra-high-resolution and highly quantum-efficient red micro-LED display, widely regarded as the most difficult component to realize. The technology is expected to find broad applications in next-generation displays where pixel granularity must be virtually imperceptible, including AR/VR smart glasses, automotive head-up displays (HUDs), and ultra-compact wearable devices.</p>
<div class="lb-trans"><p>KAIST 声称这一成就特别重要，因为它展示了一种完全功能的、超高分辨率和高量子效率的红色微型 LED 显示器，被广泛认为是最难实现的组件。该技术预计将在下一代显示器中找到广泛应用，其中像素颗粒度必须几乎不可察觉，包括 AR/VR 智能眼镜、汽车抬头显示器（HUD）和超紧凑型可穿戴设备。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image2_1.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/_images_000120_image2_1.jpg"/></p>
<p><em>Picture: Monolithic 3D micro-LED-on-Si display.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>图片：单体 3D 微型 LED-on-Si 显示器。</em></p>
</div><p>“This work simultaneously solves the long-standing challenges of red pixel efficiency and circuit integration in micro-LEDs,” says Kim. “We will continue to advance this technology toward practical commercialization as a next-generation display platform.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“这项工作同时解决了红色像素效率和微型 LED 电路集成的长期挑战，” 金教授表示。“我们将继续推动这项技术朝着实用商业化的方向发展，作为下一代显示平台。”</p>
</div><p>The study was led by Dr Juhyuk Park of the KAIST Institute of Information Electronics as first author. The research was supported by the National Research Foundation of Korea Basic Research Program (2019), the Display Strategic Research Laboratory Program (currently ongoing), and the Samsung Future Technology Incubation Center (2020–2023).</p>
<div class="lb-trans"><p>该研究由 KAIST 信息电子研究所的朴周赫博士作为第一作者领导。研究得到了韩国国家研究基金会基础研究项目（2019 年）、显示战略研究实验室项目（目前正在进行中）以及三星未来技术孵化中心（2020-2023 年）的支持。</p>
</div><p>Red InGaN micro-LED on silicon prospecting</p>
<div class="lb-trans"><p>红色 InGaN 微型 LED 在硅上的前景</p>
</div><p>microLED</p>
<div class="lb-trans"><p>微型 LED</p>
</div><p>www.kaist.ac.kr</p>
<div class="lb-trans"><p>www.kaist.ac.kr</p>
</div>

由 KAIST 领导的团队开发出了一种高效率、超高分辨率的红色微型 LED 显示屏