<p>新闻：微电子</p>
<p>Navitas 推出 10kW DC-DC 平台，实现 800VDC 下一代 AI 数据中心的 98.5% 效率</p>
<p>美国加利福尼亚州托伦斯的 Navitas Semiconductor Corp——提供 GaNFast 氮化镓（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半导体——推出了一款 10kW DC-DC 功率平台，峰值效率高达 98.5%，开关频率为 1MHz，声称能够实现前所未有的功率密度，以支持下一代 AI 数据中心的快速大规模扩展。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg"/></p>
<p>这款全 GaN 的 10kW 800V 至 50V DC-DC 平台采用 650V 和 100V GaNFast FETs，采用三电平半桥架构和同步整流，能够在全砖（61mm x 116mm x 11mm）封装中实现 98.5% 的峰值效率和 98.1% 的满载效率，功率密度达到 2.1kW/in3。</p>
<p>该生产导向的平台支持 800V 至 50V 和 +/-400V 至 50V 架构，功率为 10kW，集成辅助电源和控制，以简化采用并支持下一代 HVDC AI 数据中心的高功率密度模块设计。请参阅 Navitas 关于 “重新定义数据中心电源：GaN 和 SiC 技术用于下一代 800 VDC 基础设施” 的白皮书。</p>
<p>“该设计平台使 HVDC 数据中心电源基础设施的过渡成为可能，支持 AI 工作负载未来的电力需求，这些需求将要求每个查询的计算能力增加 100 倍甚至 1000 倍，” 总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示。“Navitas 继续重新定义 AI 数据中心电源的可能性，10kW DC-DC 解决方案提供突破性的效率、功率密度和可扩展性，使其能够更快、更凉爽地运行，同时使其更加可持续，” 他声称。</p>
<p>10kW DC-DC 平台正在通过协作开发由关键数据中心客户进行评估，并将在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的 IEEE 应用电力电子会议和博览会（APEC 2026）上首次亮相，展位号为 Navitas (#2027)（3 月 22 日至 26 日）。</p>
<p>电力电子</p>
<p>www.apec-conf.org</p>
<p>www.navitassemi.com</p>

半导体 3 倍做多 - Direxion

纳斯达克半导体 ETF - First Trust

标普半导体 ETF - SPDR

NVTS

半导体 ETF - VanEck Vectors

费城交易所 半导体 ETF - iShares

NVTX

动态半导体 ETF - Invesco

<p>Navitas Semiconductor 推出了一款 10kW DC-DC 电源平台，峰值效率达到 98.5%，专为 800VDC 人工智能数据中心设计。该全氮化镓平台采用三电平半桥架构，支持高功率密度，促进人工智能工作负载向高压直流基础设施的过渡。该平台将在德克萨斯州圣安东尼奥举行的 IEEE APEC 2026 会议上展示，目前正被关键数据中心客户评估以进行合作开发</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>Navitas unveils 10kW DC–DC platform delivering 98.5% efficiency for 800VDC next-gen AI data centers</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 推出 10kW DC-DC 平台，实现 800VDC 下一代 AI 数据中心的 98.5% 效率</p>
</div><p>Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA — which provides GaNFast gallium nitride (GaN) and GeneSiC silicon carbide (SiC) power semiconductors — has unveiled a 10kW DC–DC power platform delivering up to 98.5% peak efficiency and 1MHz switching frequency, enabling what is claimed to be unprecedented power density to support the rapid, large-scale expansion of next-generation AI data centers.</p>
<div class="lb-trans"><p>美国加利福尼亚州托伦斯的 Navitas Semiconductor Corp——提供 GaNFast 氮化镓（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半导体——推出了一款 10kW DC-DC 功率平台，峰值效率高达 98.5%，开关频率为 1MHz，声称能够实现前所未有的功率密度，以支持下一代 AI 数据中心的快速大规模扩展。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg"/></p>
<p>The all-GaN 10kW 800V–to–50V DC–DC platform employs 650V and 100V GaNFast FETs in a three-level half-bridge architecture with synchronous rectification to deliver 98.5% peak efficiency and 98.1% full load efficiency in a full-brick (61mm x 116mm x 11mm) package, achieving 2.1kW/in3 power density.</p>
<div class="lb-trans"><p>这款全 GaN 的 10kW 800V 至 50V DC-DC 平台采用 650V 和 100V GaNFast FETs，采用三电平半桥架构和同步整流，能够在全砖（61mm x 116mm x 11mm）封装中实现 98.5% 的峰值效率和 98.1% 的满载效率，功率密度达到 2.1kW/in3。</p>
</div><p>The resulting production-oriented platform supports 800V–to–50V and +/–400V–to–50V architectures at 10kW, integrating auxiliary power and control to simplify adoption and enable high–power-density module designs for next-generation HVDC AI data centers. See Navitas’ Whitepaper on ‘Redefining Data Center Power: GaN and SiC Technologies for Next-Gen 800 VDC Infrastructure’.</p>
<div class="lb-trans"><p>该生产导向的平台支持 800V 至 50V 和 +/-400V 至 50V 架构，功率为 10kW，集成辅助电源和控制，以简化采用并支持下一代 HVDC AI 数据中心的高功率密度模块设计。请参阅 Navitas 关于 “重新定义数据中心电源：GaN 和 SiC 技术用于下一代 800 VDC 基础设施” 的白皮书。</p>
</div><p>“The design platform enables the transition to HVDC data-center power infrastructure, supporting the future power requirements of AI workloads that will demand between 100- and even 1000-times more compute per query,” says president &amp; CEO Chris Allexandre. “Navitas continues to redefine what’s possible in AI data-center power, with the 10kW DC–DC solution giving breakthrough efficiency, power density, and scalability to allow faster and cooler operation while making them more sustainable,” he claims.</p>
<div class="lb-trans"><p>“该设计平台使 HVDC 数据中心电源基础设施的过渡成为可能，支持 AI 工作负载未来的电力需求，这些需求将要求每个查询的计算能力增加 100 倍甚至 1000 倍，” 总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示。“Navitas 继续重新定义 AI 数据中心电源的可能性，10kW DC-DC 解决方案提供突破性的效率、功率密度和可扩展性，使其能够更快、更凉爽地运行，同时使其更加可持续，” 他声称。</p>
</div><p>The 10kW DC–DC platform is being evaluated by key data-center customers through collaborative development and will make its debut in the Navitas booth (#2027) at the IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2026) in San Antonio, TX, USA (22–26 March).</p>
<div class="lb-trans"><p>10kW DC-DC 平台正在通过协作开发由关键数据中心客户进行评估，并将在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的 IEEE 应用电力电子会议和博览会（APEC 2026）上首次亮相，展位号为 Navitas (#2027)（3 月 22 日至 26 日）。</p>
</div><p>Power electronics</p>
<div class="lb-trans"><p>电力电子</p>
</div><p>www.apec-conf.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.apec-conf.org</p>
</div><p>www.navitassemi.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.navitassemi.com</p>
</div>

Navitas unveils 10kW DC–DC platform delivering 98.5% efficiency for 800VDC next-gen AI data centers

SemiConductor

Navitas Semiconductor

Tradr 2X Long NVTS Daily ETF

Navitas 推出了一个 10kW DC-DC 平台，为 800VDC 下一代 AI 数据中心提供 98.5% 的效率